晶闸管驱动电路-电话振铃检测电路

0 引 言 　　冶金、化工、电力行业中广泛采用了晶闸管可控整流装置。在这些装置中通过控制晶闸管的导通角来改变电压或电流，并实现稳流控制。这类装置大多采用模拟装置来实现触发和稳流，其硬件电路复杂，调试困难，不适应现代迅速发展并大量采用的集散型控制系统（简称DCS）的需要。我国现有的数字触发装置大多采用51系列单片机构成，由于受51系列单片机的运行速度和性能的限制，无法将三相同步信号都检测出来，运算速度也不够快，因此，控制精度和实时性均不理想，同内还没有性能很可靠的产品。本文介绍的数字触发装置采用先进的微控制器80C196KC构成。80C196KC运行速度快（比51系列产品快近十倍），而且它的一些功能对于构成数字触发装置非常实用。

可控硅驱动电路 MOC3061在热线开关中的应用电路如图2 所示, 在可控硅驱动中的实际电路如图3 所示。图中R1 为限流电阻,使输入的L ED电流分别为15mA (MOC3061 )、10mA(MOC3062 )、5mA (MOC3063 )即可。R1 可按下式计算: 当增加。 R2 是双向可控硅的门极电阻,当可控硅灵敏度较高时, 门极阻抗也很高, 并上R2 可 提高抗干扰能力。 R3 是触发功率双向可控硅的限流电阻,其值由交流电网电压峰值及触发器输出端允许重复冲击电流峰值决定,可按下式选取: 外39Ω 电阻和0. 01μF 电容组成浪涌吸收电路,防止浪涌电压损坏双向可控硅。建议

MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。 在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。 当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。 一个好的MOSFE

下图为IR53HD420驱动发光二极管的新颖电路。图中VDC为直流320V。由220V交流经整流滤波获得。IR53HD420输出产生320Vp-压接到一个串联组合的紧凑型荧光灯管和一个限流电感器Ll上，并与一个并联电容器相连形成LC共振，从而加温。点亮荧光灯管。并且提供灯管电流。该装置工作很好。紧凑型荧光灯管电压为典型的150Vp—p。将几十个LED（LEDI—LED64）串联。并将它们连接到一个桥式整流器（D1—D4）。至少在导通状态下能够起到模仿一个紧凑型荧光灯的效果。图中给定的Rt和Ct的数值，使该桥路工作在70kHz。本电路提供给64个LED的电流大约为80mA。LED电流由直流加上一个小脉动电流组成，保持低的脉动电流有利

为交流线路保护的传统MOV无源技术带来一流的箝位性能。 Littelfuse， Inc.，作为全球电路保护领域的领先企业，今日宣布推出两个SIDACtor®保护晶闸管产品系列，专为保护高频高强度或異常环境中的设备免受严重的瞬态过电压而设计。 Pxxx0MEL 5kA系列和Pxxx0FNL 3kA系列SIDACtor保护晶闸管能够更加可靠地应对多次高能量浪涌事件。 很多未采用半导体的高功率防护产品在经历几次浪涌事件后便会出现性能减退，采用半导体的Pxxx0MEL和Pxxx0FNL系列则与之不同，可发生多次浪涌事件时持续发挥保护功效，同时不会出现性能减退。 Pxxx0FNL系列3kA SIDACtor晶闸管 Pxxx0M

用数字万用表二极管档测量单双向晶闸管（可控硅） 　　单向晶闸管性能鉴别 　　单向晶闸管简称晶闸管(SCR)，旧称可控硅，是一种可控型整流元件，其电路符号见图1，A为阳极，K为阴极，G为控制极。 　　单向晶闸管性能鉴别 　　单向晶闸管简称晶闸管(SCR)，旧称可控硅，是一种可控型整流元件，其电路符号见图1，A为阳极，K为阴极，G为控制极。 　　(1)判别电极用红表棒固定接触任一电极不变，黑表棒分别接触其余两个电极，如果接触一个极时一次显示0．2～0．8V，接触另一个电极时显示溢出，则红表棒所接的为G，显示溢出时黑表棒所接的为A，另一极为K。若测得不是上述结果，需将红表棒改换电极重复以上步骤，直至得到正确结果。

　　 1.前言 　　晶闸管又叫可控硅(SCR).自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管，双向晶闸管，光控晶闸管，逆导晶闸管，可关断晶闸管，快速晶闸管，等等.晶闸管是一种大功率半导体器件，它的最大特点是容量大，电压高，损耗小，控制灵便.是大功率变频技术较理想器件. 　　 2.晶闸管的结构与工作原理 　　2.1晶闸管的结构它有三个电极，螺旋那一端是阳极a的引出端，并利用它与散热器固定；另一较粗的引线为阴极k，较细的引线则为控制极g.容量更大的晶闸管一般采用平板式，可带风冷或水冷散热器，容量较小的晶闸管与大功率二极管外形相似，只是多了一个控制极.晶闸管的内部结构由PNPN四层半导体构成，中间形

确定T2 控制极G与T1极之间的距离较近，其正反向电阻均较小。将万用表置于R伊1赘挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大，只有一组的读数为数十赘，则该组红、黑表所接的两引脚为主端子T1和控制极G，另一空脚即为主端子T2。 确定T1、G 触发能力的检测 将黑表笔接已确定的第二阳极T2，红表笔接第一阳极T1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将T2、G 极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，T1、T2间阻值约10 赘左右。随后 确定T2 极后，再仔细测量T1、G 极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极T1，红表笔所接引脚为控制极G