有漏电流时储能器充电最佳过程及电路图

测试半导体器件和晶圆片（Wafer）常常要涉及到测量小电流。其中有些测试工作包括各种泄漏电流的测量。另一些对于晶圆片级半导体的弱电流测量则通常与介电材料（氧化物或化合物）的质量有关。这些弱电流测量工作常常使用静电计或源-测量单元。本文将介绍使用源-测量单元测量二极管的泄漏电流以及MOSFET的亚阈区电流（sub-thresh old current）。 二极管的泄漏电流 在理想的情况下，二极管的反向电流应当为零。然而，实际上确实存在着反向电流。衡量二极管质量的一个方面就是在规定的反向偏置电压下的泄漏电流。 图1 示出如何使用236型或6430型SMU来测量二极管的泄漏电流。236型SMU能够以10fA的分辨率测量

AT6832是专为电容分选机设计的漏电流检测仪器，它采用高性能微处理器控制。具有预充电电源和独立的测试电源，六量程测试，漏电流测量范围可达 0.1nA~20mA，最大显示位数 9999 数。测试速度可达 55 次/秒， 超高速测试为自动化生产提供了最佳方案。 仦器拥有分选功能，分选讯响设置，还可选配 Handler 接口，应用于自动分选系统完成全自动流 水线测试。幵可配备 RS-232 接口，用于进程控制和数据采集不分析。 计算机进程控制指令兼容 SCPI（Standard Command for Programmable Instrument 可程控仦器标准 命令集），高效完成进程控制和数据采集功能。 AT6832

本文针对传统 单相非隔离型 全桥光伏并网 逆变器 的不足，研究并设计了一种新型、高效率且具备漏电流抑制能力的两级式单相非隔离型光伏并网逆变器。该逆变器拓扑电路由前级Boost变换器与后级H6结构逆变拓扑级联而成。电流控制环采用比例谐振(PR)控制器来无静差跟踪给定的正弦电流，以提高并网电流质量。最后，通过一台2 kW的单相光伏并网逆变器样机，对理论分析结果进行了实验验证，结果表明该新型单相非隔离型光伏并网逆变器具有控制简单，变换效率高，可靠性高等优点。 引言 与传统的输出端安装工频隔离变压器的并网逆变器相比，两级式单相非隔离型光伏并网逆变器具有体积小、成本低、效率高等优点，尤其适合应用在近几年各国提出的“屋顶计划”等小功率光伏

配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用DPAK封装的100VMOSFET，以及一个同样采用DPAK封装的100V肖特基二极管。LED背光单元中，肖特基二极管的高漏电流可能会造成一些问题，尤其在较高温度下。某些客户曾遇到量产时肖特基二极管出现泄漏故障的问题。改善泄漏故障的一种方法是将肖特基二极管的额定电压从100V增加到120V，但系统温度较高时，漏电流依然是个问题。 　　飞兆半导体的设计团队开发了一种替代方法，即采用100VBoostPak解决方案。BoostPak系列（图1）在单封装内集成两个器件：一个100VMOSFET和一个150VNP二极管。 　　图1.BoostPak在单封装内集成100VMOSFET和1

2008 年12月15日，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款具有低电容及漏电流的最新小型ESD 保护阵列--- 2 线路的 VBUS052CD-FAH 和 4 线路的 VBUS054CD-FHI，这些器件可保护高速数据线，以防止瞬态电压信号。 具有 0.6 mm 超薄厚度、可实现板面空间节约的 2 线路 VBUS052CD-FAH 采用无引线 LLP1713 封装，而 4 线路 VBUS054CD-FHI 采用 LLP2513 封装。这些保护阵列采用“流通式”设计，在 HDTV 以及便携式游戏系统、MP3 播放器及手机等移动电子设备的 USB 2.0、HDMI、显示器端口、eSATA

泄漏电流测试仪，泄漏电流是指在没有故障施加电压的情况下，电气中带相互绝缘的金属零件之间，或带电零件与接地零件之间，通过其周围介质或绝缘表面所形成的电流称为泄漏电流。按照美国UL标准，泄漏电流是包括电容耦合电流在内的，能从家用电器可触及部分传导的电流。泄漏电流包括两部分，一部分是通过绝缘电阻的传导电流I1；另一部分是通过分布电容的位移电流I2，后者容抗为Xc=1/2 fc与电源频率成反比，分布电容电流随频率升高而增加，所以泄漏电流随电源频率升高而增加。例如：用可控硅供电，其谐波分量使泄漏电流增大。 若考核的是一个电路或一个系统的绝缘性能，则这个电流除了包括所有通过绝缘物质而流入大地（或电路外可导电部分）的电流外，还应包括通过电路或

    为提高下一代 逻辑元件 的先进金属 high-k  闸极堆叠 性能， IMEC 稍早前展示了具备可替换 金属闸极  (Metal-Gate-Last)电晶体的更高k (higher-k)电介质，与当前业界采用HfO2 high-k电介质的最先进逻辑元件相较，可减少200倍到1,000倍的闸极漏电流。 为满足奈米级元件对制程控制以及可替换金属闸极的微缩需求，IMEC透过制程最佳化实现了20nm闸极长度。 IMEC的研究也涉及了先进电晶体的重要制程变异来源。 这项研究成果已经在六月初的VLSI Technology Symposium发布。 随着FinFET等3D

测量泄漏电流一般有三种方法： 1、直接泄漏电流测量2、差分泄漏电流测量3、等效泄漏电流测量 然而，使用电流钳测量的第四种方法不是本文所需要描述的，但它确实提供了一种固定有线设备上的泄漏电流的方法。 直接泄漏法： 直接泄漏法与IEC 60601-1标准中使用的方法相同，用于测量人体模型（测量设备）对地的真实泄漏。 优势： 测量操作设备上的真实泄漏电流。 测量交流和直流泄漏电流的手段。 与其他方法相比，准确度最高。 通过测量设备测量可能通过人体的泄漏电流。 测量根据IEC 60601-1标准。 劣势： 构成测量装置的1KΩ电阻器会中断低电阻接地导线，因此在测试故障设备时会造成潜在危险。 在测量过程中，EUT / DUT