晶体二极管.电容五桥串桥升压电路

晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，称为二极管的击穿现象。 二极管的英文是diode。二极管的正.负二

0 引言 晶体二极管开关电路在数字系统和自动化系统里应用很广泛，在晶体二极管开关特性实验中，其开关转换过程中输出与输入存在时间上的延迟或者滞后，研究晶体二极管开关特性主要是研究其开关状态转换过程所需时间的长短。Microsemi公司研制的DQ系列二极管具有超快速软恢复等优点，极大地提高了晶体二极管的开关速度。随着技术的发展，新型的SiC肖特基势垒二极管与采用Si或GaAS技术的传统功率二极管相比，SiC肖特基二极管(SiC-SBD)可大幅降低开关损耗并提高开关频率。在AM-LCD中，用C60制作的势垒二极管作为有源矩阵的开关，其工作速度也很快。作为开关器件使用时，其由开到关或由关到开所需时间越短越好，因此，对于晶体二极管

晶体二极管.电容二倍升压电路（一）

晶体二极管单相桥式电阻负载整流电路