晶体管恒流偏置电路
通常,当RL»R时,流过光敏电阻的电流基本不变,此时的偏置电路称为恒流电路。然而,光敏电阻自身的阻值已经很高,再满足恒流偏置的条件就难以满足电路输出阻抗的要求,为此,可引入如图2-13所示的晶体管恒流偏置电路。
稳压管DW将晶体三极管的基极电压稳定,即UB=UW,流过晶体三极管发射极的电流Ie 为
上一篇:光敏电阻的恒压偏置电路
下一篇:DC电子捕鼠机电路图
推荐阅读最新更新时间:2023-10-13 11:02
摩尔定律预言晶体管将在2021年停止缩减
本月早些时候公布的2015年半导体国际技术路线图显示,经过50多年的小型化,晶体管可能将在短短五年间停止缩减。该报告的预测,到2021年之后,继续缩微处理器当中小晶体管的尺寸,对公司来说不再经济。相反,芯片制造商将使用其它手段提升晶体管密度,即从水平专到垂直,建立多层电路。
一些人认为,这一变化将有可能被解释为摩尔定律死亡的另外一种方式。雪上加霜的是,这是最后一份ITRS路线图。目前,半导体行业协会和半导体研究公司已经分道扬镳,就摩尔定律死亡之后,寻找和制定新的半导体发展路线图。预计其他ITRS参与者也参与其中。
但是业界分析师认为,这些路线图的变化看似微不足道,但是这对整个行业来说是一个重
[半导体设计/制造]
离子晶体管,使单个细胞的运动可视化
把离子的增减作为栅极电压的变化进行检测的离子感应场效应晶体管(ISFET)除了用于DNA分析之外,在生物领域也有很多用途。例如,东京大学工学系研究科材料光学专业副教授坂田利弥就在研究通过为ISFET组合其他功能,来综合调查细胞的各种状态。
其做法之一是通过组合MEMS和晶体管,详细调查活细胞及该细胞感染的病毒的活动(图C-1)。细胞的活动状态通过呼吸时呼出的二氧化碳使溶液的pH值发生变化来掌握。如果细胞死亡,就会释放出钾离子(K+)。另外,如果病毒感染了细胞,或侵入细胞内部,细胞的重量和MEMS的振动条件会发生变化,因此振动频率会改变。
图C-1:出现组合MEMS和晶体管的开发案例 东京大学坂田研究室
[医疗电子]
混合信号设计 模拟工具必须迎头赶上
就在不久前,市场上的绝大多数IC从本质上说,不是纯数字电路就是纯模拟电路。而如今,为了满足成本、尺寸、重量和功耗等方面的要求,复杂的模拟和数字功能组合出现在了“混合信号”器件上。
虽然传统的模拟设计和验证工具经过多年发展已经在容量和性能上取得了很大进步,但是它们的基本架构在很大程度上却仍然是基于上世纪90年代中期的技术。数字工具目前已经发展到能够提供高度自动化的水平,从而极大提高了设计者的产能。与其不同,模拟工具所支持的自动化水平极低,而模拟设计工作也仍然在很大程度上依赖手工作业,整个过程耗时且容易出错。
大约在上世纪60年代初,也就是数字集成电路设计的早期,工程师用钢笔在纸和蜡纸(偶然还会用到餐厅的桌布)
[模拟电子]
23亿个晶体管 处理器挑战集成度及性能极限
尽管高登-E-摩尔(Gordon E. Moore)提出警告,认为“摩尔法则”无法继续有效,但微处理器的高集成度化仍在进一步发展,并为性能的提高作出重大贡献。虽然处理器内核的数量及缓存容量持续增加,但目前仍存在诸多应该解决的重要课题,其中包括芯片间的通信性能出现瓶颈、耗电量增加、以及由于软错误及缺陷造成的错误等导致的可靠性低下等。另外,芯片内的时钟及电源分配难度也很高,因此要求进一步革新电路技术。
在“ISSCC 2009”的“Session3:Microprocessor Technology”中,共发表了8篇有关高性能处理器及相关电路技术的论文。有关处理器的论文数量受全球经济不景气的影响,较上年的20篇大幅减
[嵌入式]
TI推出业内电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET 60-V N通道功率MOSFET
2016年7月14日,北京讯
德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装,其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。
CSD18541F5金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)保持典型的54-m 导通电阻(Rdson),其设计与优化的目的是取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种微型连接盘网格阵列(LGA)封装的焊盘间距为0.5-mm,易于安装。请阅读博客文章了解更多信息: 借助新型60V FemtoFE
[电源管理]
Nexperia推出全新高质量、高可靠性功率汽车双极晶体管
总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管(符合 AEC-Q101 标准以及消费者/工业标准)。该款产品组合包括8款同时支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。 这些符合行业标准尺寸的通用元件如今补充了 Nexperia 现有的高性能双极功率晶体管产品系列,从而进一步丰富了本公司的功率双极半导体系列。应用场景有:LED 汽车照明;LCD 显示器背光源调光;现行电压调节器;继电器替代产品;电机驱动系统;激光打印机和 MOSFET 驱动器。 Nexperia 产品经理 F
[汽车电子]
Intel今年推新款手机芯片将采用3D晶体管
北京时间2月25日晚间消息,英特尔今年晚些时候将向设备厂商提供新一代Atom智能手机芯片,采用采用3D晶体管,以便于手机厂商对其进行测试。 这款智能手机芯片被称为Merrifield,采用3D晶体管。与英特尔当前的手机平台相比,Merrifield在性能和电池续航方面将大大提升。英特尔发言人称,Merrifield完全采用全新设计,新架构可以确保处理器运行速度更快,更节能。 英特尔去年5月发布了Merrifield,并表示该款芯片将定位于高端智能手机市场。最终,Merrifield将取代英特尔当前的智能手机芯片Clover Trail+。 Merrifield采用22纳米制造工艺,但英特尔表示,正在加速14纳米智
[手机便携]
ST第一批采用SO8尺寸的STripFET封装的IC
意法半导体推出了该公司第一批采用顶置金属片的PolarPAK 封装的功率IC,这种封装有助于大电流电源组件实现优异的热性能和更高的功率密度。新的STK800和STK850分别是20A和30A的功率场效应MOS晶体管,占板面积与SO-8封装相同,仅为5mm x 6mm。因为顶部和底部都有散热通道,所以封装的高度更低,只有0.8mm高。 ST和Siliconix公司于2005年3月签订一项使用PolarPAK技术的许可协议。新封装的引线框架和塑料封装与大多数标准功率场效应MOS晶体管使用的封装相似,具有优良的裸片保护功能,在制造过程中拾放芯片十分容易。然而与标准的SO-8封装相比,PolarPAK的散热效率更加出色,在相同的占
[新品]
小广播
热门活动
换一批
更多
最新电源管理文章
更多精选电路图
更多热门文章
更多每日新闻
更多往期活动
- Microchip有奖问答 | 新品 MCU 独立于内核的外设(CIP)技术解密
- 快来访问泰克高速串行通信专题 配置您的专属解决方案 赢好礼!
- 有奖报名 | 安富利邀您参与2022国际工业博览会!(11月30日-12月4日,上海)
- 直播已结束|富士通铁电随机存储器无加密算法真赝验证解决方案
- TI低功耗蓝牙技术与阿里云IoT智能生活开放平台iLOP的完美结合!预报名+看直播均可赢好礼!
- 下载文章:“深入了解信号发生器”丰富知识赢取好礼
- 如何用3个关键步骤,来确保下一代设计安全性,深入解读嵌入式设备DeepCover加密控制器,看视频答题赢好礼!
- 选你所爱,TI 19款模拟芯片超低价团购!
- 免费测评乐鑫ESP32-C3-DevKitM-1
厂商技术中心