相位滞后的RC移相式振荡电路图

RC桥式正弦振荡电路 RC桥式正弦振荡电路如图6.2所示。其中R1、C1和R2、C2为串、并联选频网络，接于运算放大器的输出与同相输入端之间，构成正反馈，以产生正弦自激振荡。 R3、RW及R4组成负反馈网络，调节RW可改变负反馈的反馈系数，从而调节放大电路的电压增益，使电压增益满足振荡的幅度条件。 为了使振荡幅度稳定，通常在放大电路的负反馈回路里加入非线性元件来自动调整负反馈放大电路的增益，从而维持输出电压幅度的稳定。图中的两个二极管D1，D2便是稳幅元件。当输出电压的幅度较小时，电阻R4两端的电压低，二极管D1、D2截止，负反馈系数由R3、RW及R4决定；当输出电压的幅度增加到一定程度时，二极管D1

RC正弦波振荡电路 一、RC串并联网络 RC桥式正弦波振荡电路的主要特点是采用RC串并联网络作为选频和反馈网络，因此我们必须先了解它的频率特性，然后再分析这种正弦振荡电路的工作原理。 1．定性分析 RC串并联网络如图所示。为了讨论方便，假定输入电压 0 是正弦波信号电压，其频率可变，而幅值保持恒定。如频率足够低时， ，此时，选频网络可近似地用RC高通电路表示。当频率足够高时， ，则选频网络近似地RC低通电路来表示。 由此可以推出，在某一确定频率下，其输出电压幅度可能有某一最大值；同时，相位角jf从超前(趋于90°）到滞后(趋于-90°）的过程中，在某一频率f0下必有jf=0。 2、定

电磁炉振荡电路：(1) 当G点有Vi输入时、V7 OFF时(V7=0V), V5等于D12与D13的顺向压降, 而当V6则由R56、R54向C5充电。 　　(2) 当V6 V5时,V7转态为OFF,V5亦降至D12与D13的顺向压降, 而V6则由C5经R54、D29放电。 　　(3) V6放电至小于V5时, 又重复(1) 形成振荡。 　　“G点输入的电压越高, V7处于ON的时间越长, 电磁炉的加热功率越大,反之越小”。

　　交流测试设备通常需要一种低失真的信号源作待测设备的激励。常见的办法是用一台信号发生器，产生一个低失真的基准信号，将其送入一个功率放大器以驱动待测设备。本设计实例提出了一种较轻便的替代方案。 　　图1是一个振荡器，它产生一个有功率驱动能力的低失真正弦信号。功率振荡器主要由两部分构成：一个双T型网络，还有一个大功率低压降稳压器。双T网络有两个并联的T型滤波器：一个低通滤波器和一个高通滤波器。双T网络经常被选用于陷波滤波器。低压降稳压器作信号放大，驱动负载。此电路中的稳压器包括一个电流基准的电压跟随器结构。它从Set至Out管脚有单位增益，电流基准是一个精密的10μA电流源。Set脚的RSET电阻设定输出的直流电平。在Out和Set

电容三点式振荡器是一种电子元件，也叫考毕兹振荡器，是自激振荡器的一种。由串联电容与电感回路及正反馈放大器组成，因振荡回路两串联电容的三个端点与振荡管三个管脚分别相接而得名。 优缺点 这种电路的优点是输出波形好、振荡频率可达100兆赫以上。缺点是调节频率时需同时调CC1、CC2不方便。适宜于作固定的振荡器。 以下为一可靠实用的无线话筒： BG1组成的放大电路把来自小型电容话筒检测到的微弱声音信号进行放大，达到一定的幅度后送到BG2组成的电容三点式振荡器对BG2产生的载波信号进行调制，最终从天线输出。电路采用二极管稳压技术，能使电路更稳定的工作。电路如下图： 　　 元件选择 BG1用2SC9014等效功率三极管

PIC16C5X系列可以使用４种类型振荡方式：标准晶体/陶瓷振荡XT、高速晶体振荡HS（4MHz以上）、低频晶体振荡LP（32KHz）以及阻容振荡RC。 对于窗口型可重擦除芯片可以通过对 定义EPROM （Coriguratiou EPROM）编程来选择任何一种振荡方式。对于OTP和掩腌片QTP则由厂家定义好振荡方式，并通过相应的检测。 §1.9.1 晶体/陶瓷振荡 这种振荡包括XT、HS和LP。其 电路 是在OSC1和OSC2两端加一晶体/陶瓷振荡，如图1.12。只有 HS 晶体振荡才可能需要Rs（100Ω Rs 1KΩ）。 表1.7列出了使用陶瓷 振荡器 时所需的 电容 值。表1.8列出了使用晶体振荡器时所需

LC振荡电路除了哈特莱振荡电路以外，考毕兹(Colpitz)振荡电路也很普遍。在此针对考毕兹振荡电路的工作原理原理，以及其主要应用之一的Dip Meter的制作提出说明。 Dip Meter主要用来做为频率测试之用，尤其在高频率的测试中非常有用。 考毕兹振荡电路的原理 图l 6所示的为考毕兹振荡电路的原理图。哈特莱振荡电路是由2个串联的线圈，得到相位差，而考毕兹振荡是利用2个串联的电容，以得到相位差。 (此为使用1个线圈，2个电容构成的基本电路。常用于VHF频带振荡器上。) 电容器C1与C2为串联。在此以其连接点为基准，检讨其相位，可以知道两者的电压相位差为180°。 由于此一连接点为FET的源极，VGS与VDS的相