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推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 20:57
ADC0809与MCS-51单片机接口电路图及编程
ADC0809是美国国家半导体公司生产的CMOS工艺8通道,8位逐次逼近式A/D模数转换器。其内部有一个8通道多路开关,它可以根据地址码锁存译码后的信号,只选通8路模拟输入信号中的一个进行A/D转换。目前仅在单片机初学应用设计中较为常见。 ADC0809是CMOS单片型逐次逼近式A/D转换器,内部结构如图所示,它由8路模拟开关、地址锁存与译码器、比较器、8位开关树型A/D转换器、逐次逼近寄存器、逻辑控制和定时电路组成。 主要特性 1)8路输入通道,8位A/D转换器,即分辨率为8位。 2)具有转换起停控制端。 3)转换时间为100μs(时钟为640KHz时),130μs(时钟为500KHz时)。 4)单个+5V电
[单片机]
汽车LVDS接口保护电路图
LVDS(英文全称:Low-Voltage Differential Signaling),中文叫:低电压差分信号,是一种低功耗、低误码率、低串扰和低辐射的差分信号技术,被广泛应用于串行高速数据通讯场合。低电压差分信号(LVDS)技术核心是采用极低的电压摆幅高速差动传输数据,能够实现点对点或一点对多点的连接,为汽车应用提供了可靠的视频接口。很多汽车厂商都会利用LVDS技术去实现车上的高速图像传输。 都知道,汽车工作环境比较恶劣,为此,在设计高速低电压差分信号(LVDS)接口系统时,应选用正确的电路保护元件免受瞬态威胁并满足现代汽车的安全性和可靠性。事实证明,在 LVDS 差分线路上,选用瞬态电压抑制TVS/ESD二极管,可以在上
[嵌入式]
传统的RS485接口电路图
作为一种常用的通讯接口器件,RS-485/RS-422 芯片可以在很多半导体公司中找到对应的型号,比如ADI 公司(器件前缀为ADM)。大部分产业RS-485总线的客户应用如下的电路连接方式如图所示,其485电路主要由2或3个快速光耦,RS-485收发器件以及隔离电源模块组成,优点是连接简单,价格便宜,缺点是用的器件较多,占用的PCB面积大,而且光电耦合器的在速度限制、功耗以及LED老化上受到限制。 图 ADM487E典型应用电路
[嵌入式]
基于AVR单片机大容量数据采集系统的设计
0 引言 AVR系列单片机一直以功能强、高可靠性、高速度、低功耗等特点而受到广泛的应用。但是AVR单片机自身的存储空间不大,例如在长时间或者高速数据采集系统中,对数据存储空间需求很大,单片机自身的空间难以满足存储要求,所以在大容量数据采集的场合下其作用受到了限制。因此,在AVR单片机的基础上外扩一个存储芯片可以解决其存储容量小的问题。 Flash存储器体积小、容量大、并可随机访问,是作为扩展存储芯片的最佳选择。设计中采用了sumsung公司生产的NAND型的K9F5608UOM芯片作为扩展存储。 1 硬件设计 论文设计了5路A/D采集电路,介绍了如何在实际的电路中实现大容量数据采集。设计要求:5路并行采集电路,A/D采集
[单片机]
FPGA中SPI Flash存储器的复用编程方法的实现
SPI (Serial Peripheral Interface,串行外围设备接口)是一种高速、全双工、同步的通信总线,在芯片的引脚上只占用4根线,不仅节约了芯片的引脚,同时在PCB的布局上还节省空间。正是出于这种简单、易用的特性,现在越来越多的芯片集成了这种通信协议。 1 SPI配置介绍 1.1 Spantan-3E SPI配置流程 SPI方式是通过符合SPI接口时序的第三方SPI Flash 对FPGA进行加载。它适合作为FPGA硬件结构的bit文件保存介质,如果应用软件工程编译后的代码较小,保存在同一片SPI FLash中(即复用SPI Flash)无疑是可行的最廉价方案。 由于本没计软件工程规模较小,所
[模拟电子]
基于S3C2410A芯片和Flash存储器实现嵌入式工控量热仪的设计
1、引言 现在大多数的发电厂、煤炭矿厂以及各大小级别实验室中所使用的工控量热仪都是这样的一个框架:完成仪器试验测试控制的下位机控制模块;提供人机交互,传输和接收命令、数据的上位机模块;以及两模块间的连接通信设备。在此系统中下位机通常使用的是单片机来完成对试验仪器的控制,并负责从通信设备 usb68013接收到数据,提取相应的试验控制命令来控制仪器试验。这里主要讨论的是系统上位机的构建和实现,对下位机不做进一步的讨论了。那么对于系统的上位机通常的做法就是使用 pc机,当然,通用 pc机有着丰富的资源,不管是它的 cup时钟频率、内存资源、以及对系统各种软硬件管理的能力等,都有着其它替代品不可比拟的优势。但是,使用 pc作为设备的上位
[单片机]
DDR4、NAND Flash存储器芯片发展趋势
DDR4以前瞻性的高传输速率、低功耗与更大记忆容量,在2014年下半将导入英特尔工作站/服务器以及高阶桌上型计算机平台,并与LP-DDR3存储器将同时存在一段时间;至于NAND Flash快闪存储器也跨入1x纳米制程,MLC将以iSLC/eSLC自砍容量一半的方式,提升可抹写次数(Program Erase;P/E)来抢占极端要求耐受度的军方与工控市场,而C/P值高的TLC从优盘、记忆卡的应用导向低阶SSD…
DDR4服务器先行 2016超越DDR3成为主流
处理器(CPU)、绘图芯片(GPU)运算效能随摩尔定律而飞快进展,加上云端运算、互联网行动化浪潮下,持续驱动动态存储器(Dynamic RAM;DRAM)的
[模拟电子]
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