超长延时电路

    调查显示，在整个世界范围内，存储器芯片的交易大概占了半导体交易的三分之一，存储器成为数字产品中重要组成部分。存储器的存储速度、功耗成为存储器芯片研发中重要指标。存储器电路根据不同的应用和不同的存储方式分成了各种不同的种类，包括SRAM，DRAM，ROM．EPROM，FLASH和FRAM等。随着电子设备的发展，电子设备的存储容量越做越大，存储密度也越来越高。存储密度的不断发展，快速推动了半导体工艺的发展，使半导体工艺的特征尺寸越做越小。同时存储器基本单元结构也不断创新和缩小，从典型的8T、6T到一个单管。     随着特征尺寸的减小，芯片存储密度的增大，仔储器读写速度的不断提高，存储器渎写时位线上的寄生电容越来越成为芯片读取速

　　下面几种延时复位电路，都是利用在单片机RST引脚上外接一个RC支路的充电时间而形成的。典型复位电路如图（a）所示，其中的阻容值是原始手册中提供的。图（b）是简化后的复位电路，图（c）在图（a）的基础上加上一个二极管D，有助于电容C的快速放电，为下一次上电复位延时做准备。在经历了一系列延时之后，单片机才开始按照时钟源的工作频率，进入到正常的程序运行状态。