用MOS场效应管网络减小音频振荡器的失真

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 MOS场效应管 　　即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），

频率可调的音频振荡器

可变音频振荡器电路图

这里介绍的逆变器(见图1)主要由 MOS场效应 管 ，普通 电源 变压器 构成。其输出功率取决于 MOS场效应 管和 电源 变压器 的功率，免除了烦琐的 变压器 绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及制作过程。 作过程。工作原理同前所述，这种低电压、大电流、频率为50Hz的交变信号通过 变压器 的低压绕组时，会在 变压器 的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些情况下，如振荡部分停止工作时， 变压器 的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的保险丝不能省略或短接。 电路板见图11。所用元件可参考图12。逆变器的变压器采用次级为12V、电流为10A、初