SiC芯片市场将迎来大爆发

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电动汽车推动了SiC功率半导体市场，但成本仍然是个问题。

随着电动汽车以及其他系统的增长，碳化硅（SiC）功率半导体市场正在经历需求的突然激增。

但需求也导致市场上基于SiC的器件供应紧张，促使一些供应商在棘手的晶圆尺寸过渡期间增加晶圆厂产能。一些SiC器件制造商正从4英寸晶圆过渡到6英寸晶圆。

SiC是一种基于硅和碳的复合半导体材料。在生产流程中，专门的SiC衬底被开发出来，然后在晶圆厂中进行加工，得到基于SiC的功率半导体。许多基于SiC的功率半导体和竞争技术都是专用晶体管，它们可以在高电压下开关器件的电流。它们用于电力电子领域，可以实现系统中电力的转换和控制。

SiC因其宽带隙技术脱颖而出。与传统硅基器件相比，SiC的击穿场强是传统硅基器件的10倍，导热系数是传统硅基器件的3倍，非常适合于高压应用，如电源、太阳能逆变器、火车和风力涡轮机。另外，SiC还用于制造LED。

最大的增长机会在汽车领域，尤其是电动汽车。基于SiC的功率半导体用于电动汽车的车载充电装置，而这项技术正在进入系统的关键部分——牵引逆变器。 牵引逆变器为电动机提供牵引力，以推动车辆前进。

对于这一应用，特斯拉在一些车型中使用了SiC功率器件，而其他电动汽车制造商则在评估这项技术。Yole Développement的分析师Hong Lin表示：“当人们讨论SiC功率器件时，汽车市场无疑是焦点。丰田和特斯拉等先驱企业的SiC活动给市场带来了许多刺激和喧嚣。SiC MOSFET在汽车市场具有潜力。但仍存在一些挑战，比如成本、长期可靠性和模块设计。”

据Yole称，在汽车和其他市场的推动下，2017年SiC功率器件业务达到3.02亿美元，较2016年的2.48亿美元增长22%。Lin表示：“由于采用了SiC MOSFET模块的特斯拉Model 3产能增长，在汽车行业的推动下，我们预计2018年会实现飞跃。”

据Yole称，到2023年，SiC功率半导体市场预计将达到15亿美元。SiC器件的供应商包括Fuji、英飞凌、Littelfuse、三菱、安森半导体、意法半导体、Rohm、东芝和Wolfspeed。 Wolfspeed是Cree的一部分。X-Fab是SiC的唯一代工厂商。

电力电子技术在全球电力基础设施中发挥着关键作用。这项技术用于工业（电机驱动）、交通运输（汽车，火车）、计算（电源）和可再生能源（太阳能、风能）。电力电子技术在系统中实现交流电和直流电（AC&DC）的转换。

对于这些应用，行业使用的是各种功率半导体。一些功率半导体是专用晶体管，在系统中充当开关。它们允许电源在“开”状态下流动，在“关”状态下停止。

功率半导体是在成熟节点上制造的。这些器件旨在提高效率并最大限度地降低系统中的能量损失。通常，它们是根据电压和其他规格来评定的，而不是根据工艺尺寸评定。

多年来，主流的功率半导体技术一直（现在仍然）是硅基，即功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。功率MOSFET被认为是最便宜、最流行的器件，用于适配器、电源和其他产品。它们用于高达900伏的应用中。

在传统的MOSFET器件中，源极和漏极位于器件的顶部。相比之下，功率MOSFET具有垂直结构，其中源极和漏极分别位于器件的相对侧。垂直结构使器件能够处理更高的电压。

最主要的中端功率半导体器件是IGBT，它结合了MOSFET和双极晶体管的特性。IGBT用于400伏~10千伏的应用。

问题在于，功率MOSFET和IGBT正在达到其理论极限，并且存在不必要的能量损失。器件因传导和开关而产生能量损失。传导损耗是由器件中的电阻引起的，而开关损耗是在开关状态期间发生的。

Wolfspeed公司电力营销和应用高级总监Guy Moxey表示：“从5伏到几百伏，硅MOSFET一直都是一种很好的技术。当电压达到600伏到900伏时，硅MOSFET很好，但它开始出现能量损失。IGBT是很好的举重运动员，但它既不快速也不高效。”

这便是SiC的用武之地。基于氮化镓（GaN）的功率半导体也正在出现。GaN和SiC都是宽带隙技术。硅的带隙为1.1 eV。 相比之下，SiC的带隙为3.3 eV，GaN的带隙为3.4 eV。

贸泽电子（Mouser Electronics）在一篇博客中表示：“电子带隙是固体材料中价带顶部和导带底部之间的能量间隔。正是这种带隙使半导体能够根据需要开关电流，以实现特定的电气功能。”

宽带隙器件具有几个优点。例如，电动车辆由电动机驱动器驱动，电动机驱动器传统上使用功率MOSFET或IGBT。Wolfspeed公司的Moxey表示：“如果你用SiC替换掉原来的电动机驱动器，那么你的驱动器损耗会降低80％。这意味着在相同的续航里程内，你可以使用更小的电池。电池越小意味着成本越低。”

同时，基于SiC的功率半导体用于600伏~10千伏应用。Moxey表示：“600~1700伏电压适用于大多数SiC应用。当电压达到3.3~10千伏时，它非常适合。例如风力发电和小型电网。”

在电源领域，GaN用于30~600伏的应用。Moxey表示说：“GaN和SiC是互补技术，而非竞争技术。”

GaN和SiC器件都比硅快，但也更贵。Yole旗下System Plus Consulting部门设备主管Elena Barbarini表示：“目前，SiC MOSFET器件的每安培成本比同类IGBT高出五倍以上”

2002年，随着SiC二极管的引入，出现了第一个基于SiC的器件，随后在2011年推出了SIC功率MOSFET。与功率MOSFET类似，基于SiC的器件是垂直结构。

SiC功率MOSFET是基于SiC的功率开关晶体管。Rohm公司应用工程师Mitch Van Ochten解释说：“二极管是一种向一个方向传导电流并在相反方向阻挡电流的器件。”

无论如何，SiC功率半导体正在增长。Applied Materials公司战略与技术营销总监Mike Rosa表示：“硅在功率器件中发挥着重要作用。但当你谈到更高的功率和更轻的重量时，制造商们关注的却是像SiC这样的材料”

基于SiC的器件在晶圆厂中生产，行业持续进行晶圆尺寸的过渡。Rosa表示：“4英寸或6英寸晶圆都可以使用SiC。整个行业都在拼命追逐8英寸晶圆。”

事实上，Cree已经完成从4英寸（100mm）晶圆到6英寸（150mm）晶圆的过渡。Rohm和其他公司正处于过渡阶段。200mm晶圆上的SiC在一段时间内不会出现。

通常，当迁移到新的晶圆尺寸时，每个晶圆上的裸片数量将增加2.2倍。更大的晶圆尺寸可以降低整体生产成本。

在数字CMOS领域，芯片制造商几年前便从4英寸过渡到6英寸。对SiC进行相同的过渡听起来很简单，但也存在一些挑战。Lam Research战略营销高级总监David Haynes表示：“尽管在150mm晶圆上大规模生产SiC功率器件已经经过了近5年的验证，但150毫米的高性能、低缺陷密度SiC衬底的可用性和成本仍然是采用的障碍。”

Haynes表示：“也就是说，随着向150mm量产的过渡的实现，相关的成本节约将有助于在越来越多的应用中推动商业可行性。另一个例子是SiC MOSFET技术的路线图。平面SiC MOSFET已经在商业应用中得到了一段时间的验证，但是今天，对于沟槽结构的SiC MOSFET的开发和商业化得到了重大推动，与平面结构相比，它可以提供明显更低的导通电阻。”

同时，在晶圆厂中，基于SiC的功率器件通常遵循与硅基芯片相同的工艺流程。 但也存在一些差异，例如SiC衬底的开发。

对于硅基芯片，工艺的第一步是开发原始硅晶圆。为此，将硅晶种放到坩埚中加热。最后形成的主体被称为硅锭，将其拉制并切成300mm及更小尺寸的硅晶圆。

然而，对于SiC而言，工艺是将SiC块状晶体被放入坩埚中加热，将得到的锭料拉出并切成薄片。

多年来，SiC块状晶体一直被一种称为微管的缺陷所困扰，微管是在晶体中贯穿的微米大小的孔洞。华威大学副教授Peter Gammon表示：“微管缺陷和其他会破坏器件操作的缺陷现在几乎都消除了。材料供应商现在提供零微管产品。”

一旦SiC晶圆被开发出来，下一步就是形成SiC衬底。将裸晶圆插入沉积系统中，晶圆上会生长出SiC外延层，从而形成SiC衬底。然后，在晶圆厂中对SiC衬底进行加工，并使用检测系统对缺陷进行检测。SiC器件容易出现缺陷，尤其是随着供应商转向更大的晶圆尺寸。

KLA-Tencor公司 LS-SWIFT部门副总裁兼总经理Lena nicolades表示：“SiC存在很多缺陷。对于SiC，我们的检测系统使用较短的波长。它能在衬底中找到间断点。”

与此同时，汽车行业是整个半导体行业中增长最快的领域。联华电子业务发展副总裁Walter Ng说：“越来越多的客户正在重新定义他们的产品组合，以适应物联网和汽车市场。今年，我们与汽车相关的收入大幅增长。我们预计，在可预见的未来，汽车相关的收入仍将继续增长。”

SiC在汽车领域也出现了增长，尤其是在电动汽车领域。电动汽车，包括纯电动汽车和混合动力汽车，占今天全球汽车销量的1%左右。据Frost＆Sullivan称，在中国和其他国家的推动下，电动汽车市场将从2018年的160万辆增长到2019年的200万辆。到2025年，市场预计将达到2500万辆。

Lam公司的Haynes表示：“采用电动汽车和混合动力汽车肯定会成为现实。然而，在全球范围内，采用的时间和采用率差异很大，并且与政府政策和消费者获得适当价格的产品和充电基础设施密切相关。毫无疑问，中国市场是电动汽车的主要增长引擎。” 

在电动汽车中，系统有几个领域，例如娱乐系统、车载充电器、牵引逆变器等。 牵引逆变器将电池的能量转化给牵引电动机，从而推动车辆前进。

SiC正在进军车载充电器、DC-DC转换器和牵引逆变器。车载充电器通过电网为车辆充电。

图1：电动汽车中的电力电子技术 （来源：意法半导体）

DC-DC转换器获取电池电压，然后将其降低到较低的电压，用于控制窗户、加热器，以及其他功能。

器件制造商之间的一场大战正发生在牵引逆变器领域，尤其是纯电池电动汽车领域。一般来说，混合动力汽车正朝着48伏电池的方向发展。对于电力发明家而言，SiC对于混合动力汽车来说通常过于昂贵，尽管也有例外。

与混合动力汽车一样，纯电池电动汽车也由牵引逆变器组成。高压母线将逆变器连接到电池和电机上。电池为汽车提供能量。推动汽车前进的电动机有三根线。

这三根线延伸到牵引逆变器，然后联网到逆变器模块内的六个开关。

每个开关实际上是一个功率半导体，在系统中充当电开关。对于开关，现有的技术是IGBT。因此牵引逆变器可以由六个IGBT组成，额定电压为1200伏。

Rohm公司的Van Ochten表示：“实际上，它们是电开关。我们可以为这些电开关选择技术，它们可以启用和禁用各种电机绕组，并有效地使电机旋转。用于这种功能的最流行的电子半导体开关称为IGBT。超过90%的汽车制造商都在使用它们。它们是根据需要将电池电流转换到电动机的最便宜的方式。”

然而，使用IGBT有一些权衡。Van Ochten表示：“IGBT可能是最新技术价格的三分之一，但它们的速度很慢。”

这就是业界瞄准SiC MOSFET的原因，SiC MOSFET比IGBT具有更快的切换速度。意法半导体宽带隙和功率射频业务部门主管Maurizio Ferrara表示：“SiC MOSFET还降低了开关损耗，同时降低了中低功率水平下的传导损耗。它们的工作频率是IGBT的四倍。由于更小的无源元件和更少的外部元件，因此可以减小重量、尺寸和成本。因此，与硅基解决方案相比，SiC MOSFET可将效率提高90％。”

所以，对于牵引逆变器而言，从IGBT转向SiC MOSFET是有意义的。但这并不那么简单，因为成本在等式中扮演着重要的角色。

然而，特斯拉已经开始尝试冒险。据Yole称，特斯拉正在Model 3中使用意法半导体生产的SiC MOSFET。Yole还补充说，特斯拉还使用其他供应商的产品。其他汽车制造商也在探索这项技术，不过出于成本考虑，大多数OEM都没有加入这一行列。

不过，有几种方法可以实现从IGBT到SiC MOSFET的转变。据Rohm称，有以下几种选择：

• 将IGBT留在系统中，但用SiC二极管替换硅二极管。

• 将IGBT和硅二极管全部用SiC MOSFET和SiC二极管替换。

在逆变器中，有六个IGBT，每个IGBT都有一个单独的硅二极管。使用二极管有几个原因。Rohm公司的Van Ochten表示：“IGBT无法承受反向电动势和过高的电压。因此，需要在每个IGBT上加一个二极管，以防止在关闭开关时破坏它。”

使系统更有效率的一种方法是替换掉硅二极管。Van Ochten表示：“提高牵引逆变器效率的第一步是将IGBT留下。然后用SiC二极管代替普通的硅二极管。SiC二极管具有更好的性能。这样可以提高效率。”

最终的解决方案是用SiC二极管和SiC MOSFET取代IGBT和硅二极管。Wolfspeed公司的Moxey表示：“由于材料的价格，SiC比硅更贵。但是，如果你的开关速度提高了四、五倍，就可以降低磁性元件和电容器的成本。”

这一切将走向何方？英飞凌汽车部副总裁Shawn Slusser表示：“当我们研究不同的应用时，我们预计，充电站和车载充电器将成为首批采用SiC技术的应用。”

Slusser表示：“至于汽车应用，我们预计IGBT将在未来十年主导市场。SiC具有高效率、高功率密度的优点，但成本较高。这意味着缩小尺寸和缩小电池容量的优点需要弥补更高的成本。这就是为什么我们相信SiC将最先用于车载充电器，因为更高开关频率下的SiC效率和更小的无源元件可以补偿SiC器件的高成本。只要电池成本节省多于SiC器件增加的成本，SiC就将被广泛应用于大型电池电动汽车的主逆变器应用领域。对于800伏系统的电动汽车，还有其他优点，例如更短的充电时间、更高的逆变器效率和更低的电缆成本。”

可以肯定的是，SiC正在升温，电动汽车也在升温。如果供应商能够降低成本，那么SiC功率半导体似乎将成为主导者。但这说起来容易做起来难。

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摩尔精英是领先的芯片设计加速器，重构半导体基础设施，让中国没有难做的芯片。主营业务包括“芯片设计服务、供应链运营服务、人才服务、企业服务”。覆盖半导体产业链1500多家芯片设计企业和50万工程师，掌握集成电路精准大数据。目前员工200人且快速增长中，在上海、硅谷、南京、北京、深圳、西安、成都、合肥、广州等地有分支机构和员工。