日本的东芝公司宣布已经为电路设计开发了一项新的紧凑模型,从而可以实现45纳米CMOS工艺中更高的门密度。
东芝称通过这项技术,45纳米CMOS的门密度可以提升到65纳米的2.6倍。
东芝称其已经开发出一项技术,通过观察电路设计所依赖的因素,能够分别预测每个晶体管的性能。
其新技术可以估算每个晶体管的特性参数并将之转化到电路设计中,结果就是:东芝得到了更高的门密度却没有增加设计中不稳定的可能。
这项最新的技术是在6月18号的2008年 VLSL(超大规模集成电路)技术讨论大会上公布的。
关键字:紧凑 模型 门密度 纳米 晶体管 特性
编辑:汤宏琳 引用地址:东芝为电路设计开发出新型紧凑模型
推荐阅读最新更新时间:2023-10-12 23:13
用于车载、大容量X8R特性的积层陶瓷贴片电容器的开发·量产
通过开发新型电介质材料,电容量最大可达2倍,具有可在严酷温度环境下使用的X8R温度特性。
2012年4月26日
TDK株式会社(社长:上釜健宏)开发出用于车载、X8R特性的TDK积层陶瓷贴片电容器,并宣布从2012年4月起开始量产与销售。通过开发即使在150℃的严酷温度环境下也能保持优异的可靠性以及温度特性的电介质材料,成功地扩大了该产品的电容量。同时,与以往产品相比,以更小的尺寸实现了相同的电容量,并节省了空间和元件数量。
近几年,汽车除了提高基本的行驶性能之外,在舒适性及安全性方面也日益追求高性能和多功能,车载设备的电子化取得了巨大的进展。此外,近年来提高油耗性能并减少二氧化碳排放量的新一代环保汽车也
[电源管理]
Power Integrations新推出的200 V Qspeed二极管兼具低恢复损耗和软开关特性,有助于提升效率和降低EMI
美国加利福尼亚州圣何塞,2013年5月13日讯 – 用于高能效电源转换的高压集成电路业界的领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号:POWI)今日宣布推出LQA200系列200 V二极管。该公司的Qspeed™高性能硅二极管基于合并PIN技术制造而成,具有软开关特性和低反向恢复电荷(Qrr)。这种独特的特性平衡组合能够实现高频率工作,允许使用尺寸更小、成本更低的磁芯元件,同时还能提高工作效率。
这些新型200 V软二极管均采用共阴极配置,规格从10 A到40 A不等,它们能够降低峰值反向电压,从而增大电压裕量并增强可靠性和耐用性。此外,还可以减少甚至省去对缓冲电容的需要,这有助于进一步提高效率和降低成
[电源管理]
Intel今年推新款手机芯片将采用3D晶体管
北京时间2月25日晚间消息,英特尔今年晚些时候将向设备厂商提供新一代Atom智能手机芯片,采用采用3D晶体管,以便于手机厂商对其进行测试。 这款智能手机芯片被称为Merrifield,采用3D晶体管。与英特尔当前的手机平台相比,Merrifield在性能和电池续航方面将大大提升。英特尔发言人称,Merrifield完全采用全新设计,新架构可以确保处理器运行速度更快,更节能。 英特尔去年5月发布了Merrifield,并表示该款芯片将定位于高端智能手机市场。最终,Merrifield将取代英特尔当前的智能手机芯片Clover Trail+。 Merrifield采用22纳米制造工艺,但英特尔表示,正在加速14纳米智
[手机便携]
到10纳米工艺,半导体特殊气体纯度比其他材料高1000倍以上
在新一轮半导体产业发展周期中,芯片制造得到了前所未有的重视程度。毫无疑问,这是一个正确的决策,但材料与设备等芯片制造上游,同样需要重视。尤其是材料方面,无论是硅片还是 晶圆 制造所需的各种化学材料,国内起步都比较晚,市场基本控制在国外厂商手里,国内制造商的议价能力不高,每逢上游涨价,就面临利润被侵蚀的风险。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 根据SEMI的数据,全球电子气体市场规模2014年已达35亿美元,其中特殊气体约占65%。博纯材料董事会主席兼首席执行官陈国富表示,半导体行业使用的高纯电子特气几乎全部依赖进口。造成这一状况的外因是国外公司不愿意向国内转移合成气体技术,也无意在中国设厂;内因是本土气体公司小
[半导体设计/制造]
555构成的电容、频率、晶体管在线检测器
如图所示为电容、频率、晶体管在线检测电路。本检测器对电容、频率、晶体管进行检测时可通过调节预置开关K1来转换。将K1置于II可检测电容。555和R8~R12及待测电容Cx组成单稳定时电路,Cx容量越大,则脉冲越宽,即td=1.1(R8~R12)Cx越长,电流平均值越大,相应表头的指示越大。电路中BG1为单结晶体管,其与R1、C3组成弛张振荡器,其输出的振荡脉冲信号作为IC的触发脉冲。将K1置于III可进行频率测量。此时单稳电路IC输出td'=1.1(R8~R12)CB的定值宽度的信号。输入信号的频率越高。IC被触发的次数越多,则电流平均值越大,相应表头指示也越大。将K1置于I可进行在线晶体管测试。该原理类似于检测电容。电路中
[测试测量]
“不会熄灭”的纳米粒子引发光源技术革命
纳米粒子(Nanoparticles)能在尺寸方面提供超越传统半导体LED与激光组件的优势,且只要改变其大小就能改变颜色,制造成本也较低;不过它会任意明灭的缺点,却抵销了以上所有的优点。现在,有研究人员宣称开发出不会熄灭(always-on)的发光纳米粒子。
上述研究是美国罗彻斯特大学(University of Rochester)、康乃尔大学(Cornell University),以及伊士曼柯达(Eastman Kodak)、美国海军实验室(Naval Research Laboratory)等单位共同合作的成果。研究人员所开发的新型发光纳米粒子,号称其稳定度可媲美传统的LED与激光组件。
纳米
[电源管理]
台积电准备在2025年量产2纳米芯片 汽车芯片短缺将进一步缓解
台积电日前发布第四季度收益报告,营收为6255.3亿元新台币(当前约1388.68亿元人民币),净利润为2959亿元新台币(当前约656.9亿元人民币)。 在接受提问时,台积电 CEO 表示他们准备在2025年量产2纳米芯片。此外,他还表示台积电正考虑在欧洲建设汽车芯片厂,正考虑在日本建设第二家工厂。 台积电首席执行官魏志刚在电话会议上对分析师表示:「汽车需求持续增长,目前我们可能仍无法100%供应他们所需的晶圆,但情况正在改善。我们预计短缺将很快得到缓解,预计今年汽车发货量将再次增长。」 台积电 CFO 则透露,2023年研发费用预计将增长20%;台积电预计2023年资本支出为320-360亿美元,预估348.6亿美
[汽车电子]
紧跟英特尔和AMD IBM联盟研发成功45纳米工艺
在半导体行业,美国英特尔公司和AMD公司已经率先开始采用45纳米工艺生产PC处理器。据报道,由IBM领衔的半导体产业联盟最近也成功采用45纳米工艺在一块300毫米直径的晶圆上加工出了芯片。 这个由IBM领军的半导体联盟包括新加坡特许半导体、德国英飞凌和韩国三星电子等公司。在最近的一次试验中,该联盟用45纳米工艺成功生产出了芯片。这个试验芯片上集成了标准库单元电路、英飞凌提供的I/O电路,以及嵌入的内存芯片。 该联盟宣布,用45纳米工艺生产的芯片比65纳米工艺在处理性能上提高了30%。 据悉,“IBM联盟”45纳米工艺的研发主要在IBM公司位于纽约州的“先进半导体技术中心”完成。联盟各成员协作了很长时间。据悉,联盟成员用45纳米
[焦点新闻]