4MB闪存技术现身日本，解决编程速度问题-电子工程世界

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日本无晶圆厂芯片制造商Genusion公司日前宣布，该公司已经创造了其所谓的新兴4MB闪存技术。

Genusion一直在开发其所谓的“B4-Flash”技术，该技术采用公司的专有B4-HE(反馈偏压辅助的带对带穿遂产生热电子)注射机制作为安排其操作的方法。该技术解决了一个大问题。据该公司表示，提高“编程速度是目前闪存领域最迫切的问题之一”。目前的闪存编程速度范围为1～10Mbps，约为硬盘驱动器速度的1/10。

据位于兵库县尼崎市的该公司表示，B4-HE机制具有达到100 Mbps编程性能的潜力。

该公司声称已经展示了一个4Mb测试芯片，该芯片是采用现有闪存工艺技术制造的。该芯片有望在2009年前投入生产。该公司在加利福尼亚蒙特里举行的2007年度IEEE非易失性半导体内存研讨会上展示了其产品。

关键字：反馈偏压注射测试编辑：引用地址：4MB闪存技术现身日本，解决编程速度问题

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