英特尔将发布45nm工艺的SRAM芯片

英特尔将在ISSCC 2008上发布采用45nm高-k金属栅极的SRAM，主要用于新一代“Core2”微处理器二次缓存。会上的演讲的题目为“A 153Mb SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-K Metal-Gate CMOS Technology”。

即将发布的SRAM电源电压为1.1V时，工作频率为3.5GHz。通过对单元的PMOS晶体管进行动态体偏压（body bias）控制，提高SRAM单元的稳定性，同时依靠可编程控制漏电电流。

Intel对晶体管的改进是来自之前晶体管的栅极介质，Intel是使用一种基于铪元素的化合物来替代之前的二氧化硅，这种基于铪元素的High-K介质具备良好的绝缘属性，同时可以在栅极及硅底层之间形成较高的场效应(High-K)。因为High-K的铪化合物比二氧化硅更厚的同时保持着理想的高场效特性，所以，这种High-K材料还可以大幅度减少泄露电流。

虽然基于铪的这种High-K栅介质有着高场效以及绝缘的良好特性，但其却不能使用之前的多晶硅栅极，而是需要应用上一种全新的金属栅极来替代。

据悉，第55届ISSCC会议(ISSCC2008)将在明年2月3~7日在旧金山举行。清华大学微电子学研究所所递交的一篇有关PLL的论文入选。

论文名为“A 1GHz Fractional-N PLL Clock Generator with Low-OSR ΔΣ Modulation and FIR-Embedded Noise Filtering”。据ISSCC资料显示，该论文利用0.18um CMOS工艺实现了1ppm频率精度的分数分频PLL时钟发生器。混合FIR噪声滤出技术的采用使得带外的量化误差被压至新低，从而实现了低过采样率ΔΣ调制。