据国外媒体报道,近日,全球第二大电脑记忆体晶片制造商Hynix表示,已与意法半导体(STMicroelectronicsNV)和英特尔的合资公司NumonyxBV签署了一项为期五年的协议,拓展其在快速增长的NAND闪存领域的共同开发项目。
据国外媒体报道,根据协议内容,两家公司将合作扩大NAND产品线,推出新产品和实现技术创新,从而应对未来五年NAND技术所面临的挑战。
根据协议内容,Hynix和Numonyx将共同开发技术项目,联合提供领先的NAND存储技术和产品,并进行资源整合以促进NAND技术和解决方案的开发。
NumonyxBV成立于今年4月份,是由英特尔、意法半导体和世界头号技术密集型私有股权基金公司FranciscoPartners联合组建的独立闪存半导体企业。英特尔拥有其45.1%的控股权,意法半导体拥有最多的48.6%。大约有2500名英特尔员工加入了Numonyx公司。
关键字:三大芯片巨头 NAND
编辑:梁朝斌 引用地址:三大芯片巨头合资开发NAND 英特尔任老大
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先贴出dts全文(内核linux4.19.222) 分两个文件-一个是s5pv210-smdkv210.dts 另个一是s5pv210.dtsi 第一个dts // SPDX-License-Identifier: GPL-2.0 /* * Samsung's S5PV210 SoC device tree source * * Copyright (c) 2013-2014 Samsung Electronics, Co. Ltd. * * Mateusz Krawczuk m.krawczuk@partner.samsung.com * Tomasz Figa t.figa@samsung.
[单片机]
三星、东芝竞扩产,NAND Flash恐跌三成
全球NAND Flash(储存型快闪记忆体)供给成长持续大于需求,预估NAND Flash今年底报价将较去年跌掉三成,且跌势恐将一直延续至2018年。
市调机构IHS iSuppli最新报告预测,NAND Flash今年底报价将跌至0.49美元每GB,远低于去年的0.71美元,预估2018年将进一步跌至0.14美元,其间年复合成长率为负的28%。
NAND Flash产出过多是导致价格崩跌的主因,若以1 GB等量单位计算,IHS iSuppl估计,2018年NAND Flash产出将自2013年的355亿单位成长成长5.7倍至2,036亿单位,预料将掀起价格战。
据南韩联合通讯社(Yonhap)报
[嵌入式]
存储器望出现DRAM、NAND Flash双好行情
DRAM价格趋于稳定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,台厂面对这样美好的光景,心中还是有些疑虑,担心三星电子(Samsung Electronics)会从中作梗,破坏DRAM价格涨势,然现在苹果(Apple)强劲追加NAND Flash订单,且随著智能型手机价格平民化的趋势,未来内建高容量存储器普及,都让各界相当看好2010年NAND Flash市场前景,三星在喜迎苹果大单之余,也无暇与台系DRAM厂厮杀,暌违多年的DRAM和NAND Flash双好行情可望再现。
2009 年存储器产业触底反弹的步调相当健康,年初由NAND Flash领涨,之后再由DRAM接棒,但NAND Flash价格虽然涨势熄火,但
[手机便携]
美光科技:营收大降30%,净利润下降78%
美光科技发布了公司2019财年第三财季报告。报告显示,美光科技第三财季营收为47.88亿美元,相比之下去年同期的营收为77.97亿美元;净利润为8.40亿美元,与去年同期的38.23亿美元相比下降78%。 毛利润方面,美国通用会计准则下为18.28亿美元,较上一财年同期的47.23亿美元减少28.95亿美元,较上一财季的28.64亿美元也减少了10.36亿美元;非美国通用会计准则下为18.84亿美元,远低于上一财年同期的47.5亿美元,也不及上一财季的29.28亿美元。 在美国通用会计准则下,美光第三财季的毛利润率为38.2%,较上一财年同期的60.6%下滑了22.4个百分点,较上一财季也下滑了10.9个百分点;非美
[嵌入式]
抢攻全球NAND Flash市场,美光宣布在新加坡兴建第3工厂
在市场 NAND Flash 快闪存储器供应仍有缺口,导致价格已就维持高档的情况下,包括国际大厂三星、SK 海力士、东芝,以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际,7 日美商存储器大厂美光(Micron)也宣布扩产,以补足市场供不应求的缺口。 美光指出,继目前在新加坡拥有 Fab 10N、Fab 10X 两座 NAND Flash 快闪存储器工厂之后,将在当地兴建第 3 座 NAND Flash 快闪存储器工厂。新工厂的占地面积约 16.5 万平方米,计划 2019 年年中前后完工,2019 年第 4 季开始投产。 不过,美光没有公布新工厂的具体投产 NAND Flash 快闪存储器类型和产能。但是,根据外界的预估
[半导体设计/制造]
韩媒质疑东芝发布96层3D NAND新闻时机
集微网消息,全球第2大NAND型闪存厂东芝6月28日宣布,携手SanDisk研发出全球首款采用堆栈96层制程技术的3D NAND Flash产品,且已完成试作、确认基本动作。 该款堆栈96层的3D NAND试作品为256Gb(32GB)、采用3bit/cell(TLC:Triple Level Cel)技术的产品,预计于2017年下半送样、2018年开始进行量产,主要用来抢攻数据中心用SSD、PC用SSD以及智能手机、平板和存储卡等市场。 韩媒BusinessKorea 3日报导,东芝和西部数据为了东芝内存出售案,搞到撕破脸互告。 韩国业界人士称,东芝财务吃紧,被迫出售内存求现,避免因为资本减损下市,怀疑东芝是否有能力投入庞大资金
[手机便携]
ICinsights:DRAM、NAND售价已暴涨一年
IC Insights的报告显示,DRAM及NAND Flash售价已经连续四个季度上涨。 不过因为原厂纷纷提出扩产计划,IC
Insights稍早忧心忡忡认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND
Flash产能,大陆还有新建厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。 近期SK海力士宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大内存扩产,让3D NAND存储器战火提前引爆。 市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前画下句点。 SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主
[半导体设计/制造]
传东芝新技术将NAND闪存寿命提高百倍
据外电报道,硬盘厂商东芝显然找到了解决固态硬盘最头疼的问题的答案。NAND闪存芯片有写入次数的限制,因此在使用寿命方面明显低于机电硬盘。但是,据nikkei.net网站报道,东芝有一项内部设计能够把NAND闪存的写入覆盖次数提高100倍。
东芝采用的这种设计是把数据写入DRAM内存,而不是直接写入到NAND闪存,特别是对于目前经常写入到硬盘的那些数据。DRAM内存中存储的数据在关机前将被传送到NAND闪存。
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