耶鲁大学与SRC公司联合开发下一代内存芯片技术-电子工程世界

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　　SRC公司与耶鲁大学的研究者们周二宣布发明了一种能显著提高内存芯片性能的新技术。这项技术使用铁电体层来替换传统内存芯片中的电容结构作为基本的存储单元，科学家们将这种内存称为铁电体内存(FeDRAM),这种内存芯片的存储单元将采用与CMOS微晶体管类似的结构，不过其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料制作。

　　这种技术能使存储单元的体积更小，信息的保存时间比传统方式多1000倍左右，刷新的时间间隔可以更大，因此耗电量也更小，还可以像闪存芯片中那样在一个存储单元中存储多位数据。此外，有关的制造设备也更简单，因此从理论上说制造成本也更低。

　　目前研究者们正努力制造基于FeDRAM技术的原型产品。在SRC公司的大力支持下，据称FeDRAM 内存芯片有望在不久的将来面世，不过有关人士并没有给出这款产品具体的面世时间。

关键字：耶鲁大学内存芯片 CMOS FeDRAM 引用地址：耶鲁大学与SRC公司联合开发下一代内存芯片技术

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