三电平逆变器SVPWM控制策略及实验验证

发布者:灵感狂舞最新更新时间:2012-09-07 来源: 华中科技大学 关键字:三电平逆变器  空间矢量  脉宽调制  开关损耗 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

1  引言

    近几年来,在高压大功率应用领域,一种新型的逆变器——多电平逆变器受到越来越广泛的关注。多电平逆变器的思想最早是由Nabae于20世纪80年代初提出的。其基本原理是通过多个直流电平来合成逼近正弦输出的阶梯波电压。本文所讨论的二极管钳位型多电平逆变器是通过串联的电容将直流侧的高电压分成一系列较低的直流电压,并通过二极管的钳位作用使开关器件承受的反向电压限制在每个电容的电压上,从而在不提高器件电压等级的前提下相对提高逆变器输出电压。

2  拓扑结构

    虽然多电平拓扑结构种类较多,但是大致可分为:二极管钳位型,飞跃电容型和独立直流电源级联多电平这三种拓扑结构。这三种多电平拓扑结构各有优缺点,其中应用最广泛的是二极管钳位型多电平拓扑结构。本文的研究对象主要是二极管钳位型三电平逆变器。在图1所示的二极管钳位型三电平逆变器中,相对逆变器直流侧中点的参考电位0,逆变器的输出电压除了两电平逆变器输出电压+UD/2和-UD/2,还增加了第三个电平值0。图1中采用了12个可关断功率器件和6个钳位二极管,在直流侧接有2个等电容量的电容分别是C1,C2,每个电容分担的电压为UD/2,并且通过钳位二极管的钳位作用,使每个开关器件上承受的电压限制在一个电容电压(UD/2)上,从而大大减小了开关器件的电压应力。

图1  二极管钳位型三电平逆变器

    与三相两电平逆变器相同,三相三电平逆变器也可以用开关变量Sa、Sb、Sc分别表示各桥臂的开关状态,不同的是这时A、B、C桥臂分别有三种开关状态,从而Sa、Sb、Sc为三态开关变量,如表1所列。

表1  三电平(NPC)逆变器A相开关状态

Uao Sa1 Sa2 Sa3 Sa4 Sa
+UD/2 1 1 0 0 2
0 0 1 1 0 1
-UD/2 0 0 1 1 0

    因此,A相输出端A对电源中点0的电压uAO可以用A相开关变量Sa结合输入直流电压UD来表示

      uAO=·UD    (1)

输出线电压可表示为

      uAB=uAO-uBO=UD·(Sa-Sb)    (2)

整理即为

        =UD··     (3)

    与三相两电平逆变器相同,三相三电平逆变器可以定义逆变器的开关状态为(SaSbSc),则三电平逆变器有27个开关状态,分别对应着19个特定的空间电压矢量,如图2所示,并将整个矢量空间分成24个扇区。由图2可以看出,19种空间电压矢量可分为长矢量,中矢量,短矢量和零矢量,分别对应着1个,2个和3个不同的冗余开关状态,如表2所列。

表2  开关状态及相应电压矢量

开关状态 Sa Sb Sc 电压矢量
S1 0 0 0 V0
S2 1 1 1 V0
S3 2 2 2 V0
S4 1 0 0 V1
S5 1 1 0 V2
S6 0 1 0 V3
S7 0 1 1 V4
S8 0 0 1 V5
S9 1 0 1 V6
S10 2 1 1 V1
S11 2 2 1 V2
S12 1 2 1 V3
S13 1 2 2 V4
S14 1 1 2 V5
S15 2 1 2 V6
S16 2 1 0 V7
S17 1 2 0 V8
S18 0 2 1 V9
S19 0 1 2 V10
S20 1 0 2 V11
S21 2 0 1 V12
S22 2 0 0 V13
S23 2 2 0 V14
S24 0 2 0 V15
S25 0 2 2 V16
S26 0 0 2 V17
S27 2 0 2 V18

 

图2  三电平空间电压矢量图

3  空间矢量调制

    与两电平逆变器相似,三电平空间矢量PWM调制也是通过对调制空间矢量的位置进行判断,选择进行合成的开关矢量,并计算其相应的开通时间。

    我们定义三相三电平逆变器的电压空间矢量调制比如下

      m=   (1)

式中:是在空间以角速度ω=2πf旋转的电压矢量V*的模长;

      UD是电压矢量V13的模长。

    从图2中可以看出,三电平逆变器整个矢量空间的24个扇区可分成6个大的区间,则每一个区间包含4个小的扇区。旋转电压矢量V*是由所在扇区的三个电压矢量Vx,Vy,Vz合成的。它们的作用时间分别为Tx,Ty,Tz,且Tx+Ty+Tz=Ts。Ts为开关周期。现定义

         X=,Y=,Z=      (2)

    现在以第一个区间(0<θ<60°)为例,计算旋转电压矢量V*处在扇区D1,D7,D13,D14时Vx,Vy,Vz所对应的X,Y,Z值。定义m的边界条件分别为Mark1,Mark2,Mark3,如式(3),(4),(5)所示。

         Mark1=     (3) [page]

    Mark2=   (4)

        Mark3=    (5)

    1)当调制比m

        (6)

解式(6)得

             (7)

图3  旋转矢量在D1扇区的矢量图

    2)当调制比Mark1

解式(8)得

           (9)

    3)当调制比Mark2

              (10)

解式(10)得

               (11)

    4)当调制比Mmark2

              (12)

解式(12)得

             (13)

    这样,在计算其它五个区间的Tx,Ty,Tz时,只要将式(7)、(9)、(11)和(13)中的θ值分别用θ-60°,θ-120°,θ-180°,θ-240°,θ-300°来替代即可实现对整个矢量空间的计算。

4  最小开关损耗调制算法

    在三电平逆变器中,由于冗余开关状态的存在,使得一个电压矢量对应于两个或三个开关状态,因此必须使用一定的算法来减少开关动作次数,从而减少开关损耗。减少开关损耗算法的基本原则是每次开关状态的变化只引起一相电压的变化并且只有两个互补开关管的触发信号发生变化,从而减少了开关损耗并降低了开关频率。例如,在图2中,空间矢量从D14扇区旋转到D15扇区,A、B、C三相开关管的状态就可以按照(221→220→210→110→110→210→220→221)→(221→220→120→110→110→120→220→221)的顺序来变化。当空间矢量V*旋转到D14扇区时,这时的空间矢量是由V2(用开关状态221或110表示)、V7(用开关状态210表示)和V14(用开关状态220表示)三个矢量共同合成的,第一个括号内开关状态的调制顺序就是空间矢量在D14扇区的调制顺序。当空间矢量V*旋转到D15扇区时,这时的空间矢量是由V2(用开关状态221或110表示)、V14(用开关状态220表示)和V8(用开关状态120表示)三个矢量共同合成的,第二个括号内开关状态的调制顺序就是空间矢量在D15扇区的调制顺序。其中,开关状态221和110代表同一个矢量V2,以它作为开关状态的起始状态和末尾状态进行过渡。因此,无论是在扇区的内部还是在两个扇区之间,开关状态的每一次变化都只有桥臂互补驱动信号的两个管子开关状态发生了变化,从而减少了开关损耗。

5 实验研究

    本实验主电路拓扑如图1所示,二极管钳位型三电平逆变器的主开关器件选用2SK1941,其最大承受电压可达600V,最大通态电流16A。钳位二极管选择IXY SDESI30,它所能承受的最大通态电流为12A。逆变PWM开关频率为5kHz,输出正弦波基波频率为278Hz。本数字控制系统是基于TMS320F240 DSP芯片,12路驱动信号分别由TMS320F240经控制电路产生,全比较单元的六路PWM输出分别驱动ABC三相的S1和S3管,单比较单元的三路PWM信号及其反相信号经死区电路后分别驱动逆变器的S2和S4管。本控制是通过dq变换,把正弦交流检测量转变为dq直流反馈量,再分别进行PI调节,然后通过SVPWM模块对三电平逆变器进行控制。图4为三相三电平逆变器的控制系统结构图。

图4  三电平控制系统结构图

    图5(a)和图5(b)分别是二极管钳位型三电平逆变器输出相电压VAN、VBN、VCN和输出线电压VBC、VAC的实验波形,我们能够很明显地看出三电平的形状,三电平要比两电平更逼近正弦,因此可以在开关频率不是很高并且不增加开关管的耐压值的情况下,获得较低的谐波畸变率。

(a)  相电压VAN、VBN、VCN波形

(b)  线电压VBC、VAC波形 

图5  输出相电压和线电压波形(滤波前)[page]

    图6是闭环空载时逆变器输出A相线电压波形及频谱分析,总谐波畸变率1.53%。图7是闭环负载时逆变器输出线电压和线电流波形及频谱分析,线电压总谐波畸变率2.75%,系统输出功率1.8kW。

(a)  A相线电压波形

(b)  A相线电压频谱分析

图6  空载实验波形及频谱分析

(a)  A相线电压和线电流(1A/100mV)波形

(b)  A相线电压频谱分析

图7  阻性负载时实验波形及频谱分析

    从图6和图7的波形中我们可以看出,闭环正负波形不对称,并且带载时的谐波畸变率要比空载时的高。这主要是由于闭环带载运行时,由于负载电流的增加,从中点流过的电流加大,逆变器不停地对直流侧的两个电容充放电,导致两个电容上的电压不平衡。实验中对中点电流并没有进行特别的控制,从而导致直流侧两个电容上的电压不平衡,致使输出电压正负波形的不对称。

6  结语

    二极管钳位型三电平逆变器通过自身拓扑结构的改进,使得输出电平数增加,输出波形更加逼近正弦,因而输出波形具有更好的谐波频谱。由于开关器件所承受的电压应力减小,因此非常适合高压大功率的应用场合。在将来的研究中应该注意以下两个方面:

    1)应用于两电平的控制策略完全可以在二极管钳位型三相三电平逆变器中实现,因此现有的一些波形控制技术(如重复控制技术)也可以尝试在三电平逆变器中实现。

    2)在二极管钳位型三电平逆变器中,直流侧的两个电容电压不平衡是导致输出波形质量变差的原因之一。这个问题可以通过电压反馈补偿或通过滞环控制中点电位来解决。

关键字:三电平逆变器  空间矢量  脉宽调制  开关损耗 引用地址:三电平逆变器SVPWM控制策略及实验验证

上一篇:电力系统中三相UPS的设计
下一篇:精密交流电源中的数字控制分析

推荐阅读最新更新时间:2024-05-02 22:18

基于ATmgea8型单片机的加热控制系统
l 引言 温度是工业生产中主要的被控参数之一,与之相关的各种温度控制系统广泛应用于冶金、化工、机械、食品等领域。文中介绍的温度测量及加热控制系统以 ATmega8型AVR系列单片机为核心部件,通过对系统软件和硬件设计的合理规划,发挥单片机自身集成众多系统级功能单元的优势,在不减少功能的前提下有效降低了硬件成本,系统操控简便。实验证明该温控系统具有很高的可靠性和稳定性。 2 系统结构及控制算法 2.1 系统总体结构 温度测量及加热控制系统的总体结构如图1所示。系统主要包括现场温度采集、实时温度显示、加热控制参数设置、加热电路控制输出、与上位机串行通信和系统核心ATmega8型单片机等。 温度采集电路以模拟电压形
[单片机]
基于ATmgea8型单片机的加热控制系统
高频脉宽调制技术在逆变器中的应用
摘要:将HPWM软开关技术应用于逆变器,在不增加任何辅助电路的基础上实现了功率管的ZVS通断。HPWM软开关方式逆变器电路控制简单,基本不增加功率管的附加应力,且开通损耗大大减少,具有可靠性和效率均高的优点。分析了方案的工作原理以及实现ZVS的条件。同时指出方案存在的问题和解决办法。研制的工作频率50kHz,1000VA的逆变器证明方案的可行性。 关键词:高频脉宽调制;软开关;逆变器;零电压开关   1 引言 由于对逆变器高频化的追求,硬开关所固有的缺陷变得不可容忍:开通和关断损耗大;容性开通问题;二极管反向恢复问题;感性关断问题;硬开关电路的EMI问题。因此,有必要寻求较好的解决方案尽量减少或消除硬开关带来的各种问题
[电源管理]
高频<font color='red'>脉宽调制</font>技术在<font color='red'>逆变器</font>中的应用
准谐振反激式电源架构及应用
  低成本和高可靠性是离线电源设计中两个最重要的目标。准谐振 (Quasi resonant) 设计为设计人员提供了可行的方法,以实现这两个目标。准谐振技术降低了MOSFET的开关损耗,从而提高可靠性。此外,更软的开关改善了电源的EMI特性,允许设计人员减少使用滤波器的数目,因而降低成本。本文将描述准谐振架构背后的理论及其实施,并说明这类反激式电源的使用价值。   基本知识   现有的L-C 储能电路正战略性地用于PWM电源中。结果是L-C 储能电路的谐振效应能够“软化”开关器件的转换。这种更软的转换将降低开关损耗及与硬开关转换器相关的EMI。由于谐振电路仅在相当于其它传统方波转换器的开关转换瞬间才起作用,故而有 “准谐振
[电源管理]
准谐振反激式电源架构及应用
脉宽调制开关电源控制IC
开关 电 源 这 个 名 字 我 们 大 家 都 不 会 感 到 很 陌 生。 常 见 的 计 算 系 统 电 源 录 象 机、 电 视 机 电 源 都 使 用 了 这 种 电 源 技 术。 但 是 常 常 会 觉 得 这 种 电 源 技 术 好 象 很 复 杂 根 本 不 可 能 自 已 制 作 此 类 电 源, 当 然 早 期 的 开 关 电 源 控 制 部 份 集 成 电 路 使 得 开 关 电 源 的 外 围 变 得 如 此 简 单 以 至 于 简 单 过 一 线 性 稳 压 电 源。 这 里 介 绍 的 是 sgs Thomson 公 司 生 产 的 新 型 系 列 集 成 稳 压 IC:UCX84X 之 中的 UC18
[应用]
浅析让IGBT更快的技巧
  IGBT关断损耗大;拖尾是严重制约高频运用的拦路虎。这问题由两方面构成:   1)IGBT的主导器件—GTR的基区储存电荷问题。   2)栅寄生电阻和栅驱动电荷;构成了RC延迟网络,造成IGBT延迟开和关。   这里;首先讨论原因一的解决方法。解决电路见图(1) 图(1)   IGBT的GTR是利用基区N型半导体,在开通时;通过施加基极电流,使之转成P型,将原来的PNP型阻挡区变为P-P-P通路。为保证可靠导通;GTR是过度开通的完全饱和模式。   所谓基区储存效应造成的拖尾;是由于GTR过度饱和,基区N过度转换成P型。在关断时;由于P型半导体需要复合成本征甚至N型,这一过程造成了器件的拖尾。 图(2)   该电路采用准饱
[电源管理]
浅析让IGBT更快的技巧
解读:三电平与光伏逆变器效率
顶级逆变器制造商东芝三菱电机工业系统(中国)有限公司(以下简称“TMEIC中国”)全新推出大功率单机1MW光伏并网逆变器PVL-L1000E。与以往一样,TMEIC公司还是一直秉承日本企业高质量、高可靠性风格,除此之外,“领跑者中国效率业界第一,晶硅98.61%,薄膜98.67%”标语引起广大业内外人士关注。 为提高准入要求和技术创新,于2015年中旬,在“基础”认证的基础上对效率(平均加权总效率)和环境适应性(多重环境因子影响)进行综合考虑,推出中国“领跑者”认证。中国加权效率是中国“领跑者”认证中的一项核心项目。对光伏并网逆变器而言,产品在不同的输入电压、输入功率下转换效率是时刻变化的,中国加权效率是对逆变器在不同电压点,不同
[新能源]
减小50%开关损耗的MOSFET
  飞兆半导体推出 40V P 沟道 PowerTrench MOSFET 产品 FDD4141,为功率工程师提供快速开关的解决方案,可将开关损耗减少一半。FDD4141 具有低导通阻抗 (RDS(ON)),与目前的 MOSFET 比较能降低栅极电荷(QG) 达 50%,可让便携、计算、消费和家庭娱乐产品中的异步降压、电池充电和逆变器开关等应用,以更高的速度进行切换,而不会产生过多的热量。快速开关是步降转换器等开关速度需要达到数百 kHz 应用的必备条件。尽管其它 MOSFET 解决方案亦可在较高频率下进行切换,惟这些解决方案的栅极电荷较高,造成发热更多、效率降低。   FDD4141采用飞兆PowerTrench 工艺技术制造
[新品]
脉宽调制移相全桥开关电源设计方案
随着航空、航天和计算机事业的发展,对 电源 在体积、重量和效率等方面提出了越来越高的要求。 开关 电源 就是在这种情况下发展起来的一种小型电源。它具有体积小、重量轻、频率高、成本低、效率高等一系列优点。同时,由于它的线路简单,可靠性高,而被广泛地应用于航空、航天和 电子 计算机等方面。本文设计了一个由UC3846产生PWM进行脉宽调制的移相全桥 开关 电源。 在此 电路 中,输入为AC220V电压,经过二极管整流桥把交流电变成直流电,为了消除此直流电压的脉动,在设计时采用了π型滤波 电路 。后接一个移相全桥软开关电路,使功率管实现零电压零电流开通和关断,将电路在工作时的功率损耗减至最小。输出为±23V/15A和±200V/0.8
[电源管理]
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved