三星电子量产业界最尖端20纳米4Gb DDR3

    三星电子今日宣布已从本月起开始正式量产采用20纳米制程技术的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。

    三星电子利用现有的ArF浸入式光刻机，克服了20纳米DRAM微细化的技术限制，开创了内存存储器制造技术的新纪元。NAND闪存的基本存储单元由一个晶体管构成，而DRAM则由一个电容器和一个晶体管串联构成，因此后者更难实现制程技术的微细化。然而，三星电子通过对芯片设计和制程技术的改良，创新性地研发出“改良版双重照片曝光技术(Modified Double Patterning)”和“超薄介电层成型技术(Atomic layer deposition)”，顺利实现了20纳米4Gb DDR3 DRAM的量产。

    “改良版双重照片曝光技术 (Modified Double Patterning)”仅利用现有的光刻机设备即可生产20纳米DDR3，而且更为下一代10纳米级DRAM的量产做了核心技术储备，为半导体制程技术建立了一个新的里程碑。同时，电容器单元的介电层不仅超薄，而且前所未有的排列均衡，确保了基本存储单元的优越性能。

    在这些新技术的基础上，新一代20纳米DDR3 DRAM的生产率比25纳米DDR3提高了30%以上，更比30纳米级DDR3提高了超过一倍。同时，基于20纳米的DDR3 DRAM模组的耗电量同比基于25纳米的DDR3降低了25%，将为全球IT企业提供最优质的“超节能绿色IT方案”。

    三星电子存储芯片事业部战略营销部门负责人全永铉副总裁表示：“三星电子的新一代超节能型20纳米DDR3内存将在包括电脑和移动市场在内的IT领域迅速站稳脚跟，并进一步占据主流地位。今后，三星电子将继续领先竞争对手推出下一代大容量DRAM和绿色存储方案，与全球客户携手为世界IT市场的快速增长做出贡献。”

    未来，三星电子将致力于研发10纳米级的新一代DRAM产品，突破半导体技术的瓶颈，持续推进存储器市场的发展。

    据市场调研机构Gartner预测，2014年全球DRAM市场产值将由2013年的356亿美元增长至379亿美元。