美光英特尔推出3D NAND闪存新品-电子工程世界

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该先进技术的存储密度比其他NAND技术提高了三倍[[[]容量差别基于美光和英特尔384Gb TLC 3D NAND芯片与业界其他3D NAND TLC产品的比较。

美国爱达荷州博伊西市，加利福尼亚州圣克拉拉市，2015年4月2日——近日，美光科技有限公司（Micron Technology, Inc. 纳斯达克股票代码：MU）和英特尔公司发布双方联合研发的世界上密度最大的3D NAND闪存技术。闪存是在最轻的笔记本电脑、最快的数据中心和几乎所有手机、平板电脑和移动设备中使用的存储技术。

这一最新的3D NAND技术由英特尔和美光联合开发，以卓越的精度垂直堆叠了多层数据存储单元，利用该技术制成的存储设备的容量将比由与之竞争的NAND技术所打造出的设备容量高三倍[1]。该技术可以在更小的空间内实现更大的存储容量，为众多消费类移动设备和最为严苛的企业级部署带来显著的成本节约、能耗降低和性能提升。

平面NAND闪存已接近其扩展极限，为存储行业带来了巨大的挑战。摩尔定律展示了性能的持续提升和成本的不断下降的轨迹，3D NAND技术通过保持闪存存储解决方案和摩尔定律的一致性，将推动闪存的更广泛采用，并产生巨大影响。

美光科技有限公司存储技术与解决方案副总裁Brian Shirley说：“美光与英特尔的合作诞生了业界领先的固态存储技术，提供了极高的密度、性能和效率，是当今任何其他闪存都无法比拟的。这一3D NAND技术具备引发市场重大变革的潜能。从智能手机一直到进行了闪存优化的超级计算，闪存到目前为止所产生的影响还仅仅只是一个开始。”

“英特尔与美光的开发成就体现了我们一直致力于为市场提供领先且创新的非易失性存储技术的承诺。我们的全新3D NAND技术创新在密度和成本方面都取得了巨大进步，将加速固态存储在计算平台领域的应用。” 英特尔非易失性存储解决方案集团高级副总裁兼总经理Rob Crooke表示。

创新工艺架构

此项技术的一大重要方面是基础存储单元。英特尔和美光选择使用了浮栅单元，这种被普遍采用的设计在长年大批量平面闪存的生产中进行了改进。这是首次在3D NAND中使用浮栅单元，这一关键的设计选择可实现更高的性能，同时提升质量和可靠性。

全新的3D NAND技术将闪存单元垂直堆叠32层，可在标准封装内实现256Gb多层单元（MLC）和384Gb三层单元（TLC）芯片，由此可使口香糖大小的固态硬盘具备超过3.5TB的存储容量，以及使标准2.5英寸固态硬盘具备超过10TB的容量。由于容量可通过垂直堆叠单元来获得，单个单元的尺寸就能变得相当大——这将有望提升性能和耐久性，甚至可让TLC设计也能很好地适用于数据中心存储。

3D NAND设计的主要产品特性包括：

大容量——是现有3D技术容量的三倍[i]—每个芯片高达48GB的NAND——因此可在指尖大小的封装内实现3/4TB的容量。

更低的单位GB成本——第一代3D NAND相较平面NAND达到了更好的成本效率。

快速——高读取/写入带宽、I/O速度和随机读取性能。

环保——全新睡眠模式通过切断不活跃NAND晶粒的电源（甚至是在同一封装内的其他晶粒处于活跃状态时），在待机模式下显著减少能耗。

智能——与前几代产品相比，创新的新特性改善了延迟并提高了耐久性，同时也让系统集成更加容易。

256Gb MLC版本的3D NAND当前已向部分合作伙伴提供样品，384Gb TLC版本的样品将于今年春末提供。目前，晶圆厂生产线已开始初步生产，并将于今年第四季度全面投产这两件设备。美光与英特尔也正在分别开发基于3D NAND技术的全新固态硬盘解决方案，并预计在2016年推出相关产品。

关键字：英特尔推出 nand闪存新品引用地址：美光英特尔推出3D NAND闪存新品

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