Trendforce 旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange最新调查显示,全球行动式记忆体总营收在2015年首季达到35.76亿美元,季衰退不到1%,占 DRAM 总产值的29.8%,并且有持续扩大趋势。DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第一季主要受惠于三星(Samsung)来自23nm产出增加,行动式记忆体整体出货与上季增加8.2%,加上行动式记忆体平均销售单价与其他产品别相对抗跌,全球行动式记忆体整体营收规模持续扩大。
吴雅婷表示,2015上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌的趋势。随着 LPDDR4 导入市场后,新旧产品交代衍生出更多的生意契机,而搭载3GB LPDDR4的三星智慧型手机Galaxy S6出货也比预期中更佳,加上iPhone新机将导入2GB的预期心态下,即便价格趋势向下但跌幅也非常有限。目前行动式记忆体占整体DRAM供应已接近四成,随着下半年传统旺季的到来,全球DRAM供应商获利能否继续成长,将取决于LPDDR4的转进与先进制程的切换速度而定。
三星半导体在行动式记忆体的营收18.6亿美元,与上季相较大幅上升超过12%。其中行动式记忆体占总DRAM营收中也大幅提升至36%,主要受惠于价格稳定以及产出增加。过往三星以获利为考量,由于标准型记忆体与伺服器记忆体的毛利仍然高于行动式记忆体,造成该领域出货比例下滑;但从第一季度价格表现看来,标准型记忆体的获利快速缩减,使得行动式记忆体的获利率以长远看来相对具吸引力。因此三星正积极量产20nm及23nm行动式记忆体,在LPDDR4也是进度最快的厂商,目前已有6Gb/8Gb的产品率先问世,获利能力持续提升。
2015年第一季行动式记忆体供应商营收排名
SK海力士受到淡季效应影响,第一季行动式记忆体营收大幅下降,加上SK海力士无法像三星一样在淡季时出货给自有品牌的产品,所以受景气的影响较明显。目前主要出货制程为25nm LPDDR3 4Gb产品,且该制程预计将维持一年的生命周期。在LPDDR4的进度落后的情况下,SK海力士(SK Hynix)短期内受惠于新iPhone使用2GB LPDDR4的比例将会少很多。
美光半导体(Micron)第一季行动式记忆体营收达到8.1亿美元,季衰退3.6%,主因来自于iPhone 6出货潮已过,并且受到三星持续扩大在苹果的供给比例,导致营收出现小幅衰退。目前美光行动式记忆体的主要制程已经转向25nm,但由于LPDDR4布局与其他竞争厂商相较略晚,eMCP的进度也相对落后,将是美光在行动式记忆体未来发展的隐忧。
在台系DRAM厂商部分,南亚科技第一季行动式记忆体营收0.5亿美元,较 2014年第四季大幅衰退21.6%,而全球市占下降至1.4%,主要原因在于客户端拉货紧缩,以及行动式记忆体投片减少影响。南亚科技市占比重虽小,但后续对于行动式记忆体的发展仍相当积极。30nm微缩制程将于今年下半导入,新产品LPDDR3有望下半年开始量产,拉近与一线大厂的距离。
华邦电子行动式记忆体的营收较前季成长7%,全球市占率来到1.0%,行动式记忆体营收比重占总营收的13%,成长主因来自于产品组合的调整与先进制程的持续转进。目前华邦仍持续往46nm制程迈进,第一季投片已经来到44K满载水位。新工厂有望于今年动工,明年将有超过10K的产能可以运用,但购入多少机台需看市场状况而定。
关键字:移动存储器体 DRAM
引用地址:移动存储器体营收占DRAM总产值近三成
吴雅婷表示,2015上半年行动式记忆体价格呈现稳定小跌的趋势。随着 LPDDR4 导入市场后,新旧产品交代衍生出更多的生意契机,而搭载3GB LPDDR4的三星智慧型手机Galaxy S6出货也比预期中更佳,加上iPhone新机将导入2GB的预期心态下,即便价格趋势向下但跌幅也非常有限。目前行动式记忆体占整体DRAM供应已接近四成,随着下半年传统旺季的到来,全球DRAM供应商获利能否继续成长,将取决于LPDDR4的转进与先进制程的切换速度而定。
三星半导体在行动式记忆体的营收18.6亿美元,与上季相较大幅上升超过12%。其中行动式记忆体占总DRAM营收中也大幅提升至36%,主要受惠于价格稳定以及产出增加。过往三星以获利为考量,由于标准型记忆体与伺服器记忆体的毛利仍然高于行动式记忆体,造成该领域出货比例下滑;但从第一季度价格表现看来,标准型记忆体的获利快速缩减,使得行动式记忆体的获利率以长远看来相对具吸引力。因此三星正积极量产20nm及23nm行动式记忆体,在LPDDR4也是进度最快的厂商,目前已有6Gb/8Gb的产品率先问世,获利能力持续提升。
2015年第一季行动式记忆体供应商营收排名
SK海力士受到淡季效应影响,第一季行动式记忆体营收大幅下降,加上SK海力士无法像三星一样在淡季时出货给自有品牌的产品,所以受景气的影响较明显。目前主要出货制程为25nm LPDDR3 4Gb产品,且该制程预计将维持一年的生命周期。在LPDDR4的进度落后的情况下,SK海力士(SK Hynix)短期内受惠于新iPhone使用2GB LPDDR4的比例将会少很多。
美光半导体(Micron)第一季行动式记忆体营收达到8.1亿美元,季衰退3.6%,主因来自于iPhone 6出货潮已过,并且受到三星持续扩大在苹果的供给比例,导致营收出现小幅衰退。目前美光行动式记忆体的主要制程已经转向25nm,但由于LPDDR4布局与其他竞争厂商相较略晚,eMCP的进度也相对落后,将是美光在行动式记忆体未来发展的隐忧。
在台系DRAM厂商部分,南亚科技第一季行动式记忆体营收0.5亿美元,较 2014年第四季大幅衰退21.6%,而全球市占下降至1.4%,主要原因在于客户端拉货紧缩,以及行动式记忆体投片减少影响。南亚科技市占比重虽小,但后续对于行动式记忆体的发展仍相当积极。30nm微缩制程将于今年下半导入,新产品LPDDR3有望下半年开始量产,拉近与一线大厂的距离。
华邦电子行动式记忆体的营收较前季成长7%,全球市占率来到1.0%,行动式记忆体营收比重占总营收的13%,成长主因来自于产品组合的调整与先进制程的持续转进。目前华邦仍持续往46nm制程迈进,第一季投片已经来到44K满载水位。新工厂有望于今年动工,明年将有超过10K的产能可以运用,但购入多少机台需看市场状况而定。
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Yole:供需失衡推动存储芯片价格上涨,市场年均增长9%
存储器 行业正处于强劲增长的阶段。Yole在其《2017年 存储器 封装市场与技术》报告中预计,2016~2022年整个 存储器 市场的复合年增长率约为9%,到2022将达到1350亿美元, DRAM 和NAND市场份额合计约占95%。此外,供需失衡正推动存储器半导体芯片价格上涨,导致存储器IDM厂商获得创纪录的利润!下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 存储器的需求来自各行各业,特别是移动和计算(主要是服务器)市场。平均而言,每部智能手机的 DRAM 内存容量将增长三倍以上,预计到2022年将到6GB左右,而每部智能手机的NAND存储器容量将增加5倍以上,预计到2022年将达到150GB以上。对于服务器来说
[网络通信]
2014年大陆DRAM消化102亿美金全球份额20%
中国工信部主导的投资基金持续展开收购,此次收购利基型DRAM及SRAM厂矽成,被视为是为了打造更完整的物联网系统作准备。图/美联社
2014年各DRAM产品在陆市占
大陆工信部领衔成立的国家积体电路产业投资基金,持续在全球展开收购,继日前决定出手收购CMOS影像感测器大厂豪威(OmniVision)之后,由中国武岳峰资本主导的基金,也宣布将以每股19.25美元价格,收购美国记忆体设计厂矽成(ISSI)。
业界认为,大陆打造自己的半导体生产链,当然不会放过DRAM及Flash,而此次出手收购利基型DRAM及SRAM厂矽成,就是要建立更完整的供应链。而由近期的并购动作来看,大陆官方是想打造更完整的物
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IC Insights:强劲上涨之后减库存,DRAM价格将在4季度回落
据全球知名半导体分析机构IC Insights更新的《麦克林报告》,DRAM价格在今年前八个月飙升了41%,从1月份的平均销售价格(ASP)3.37美元上涨至8月份的4.77美元。9月份DRAM ASP下滑3%至 4.62 美元,仍比年初增长 37%(如下图)。2019年对DRAM来说是相对困难的一年,ASP下降44%,不过2020年出现了强劲的价格上涨和市场反弹。不过这一年爆发的疫情给这一细分市场的发展蒙上了阴影。 从今年年初开始,疫苗在各个国家逐渐获批,经济逐渐恢复,在今年的前三个季度,DRAM 供应商争先恐后地满足所有最终用途细分市场被压抑的需求。由于买家渴望为他们的系统提供足够的芯片库存,因此提前购买并额外订购,为价格
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疫情“后移症”,芯恩、紫光DRAM等项目计划或被推迟超半年
2020年上半年,受新冠疫情影响,半导体产业链订单延迟、减少等情况屡见不鲜;各地的重大半导体项目也存在计划推迟等情况。 青岛芯恩项目 2018年5月,芯恩(青岛)集成电路有限公司芯片项目启动签约仪式举行,这是中国国内启动的首个CIDM集成电路项目。签约期间的公开信息显示该项目计划2019年底一期整线投产,2022年满产。 2019年10月28日,芯恩举行了集成电路研发生产一期项目厂房封顶仪式,同年12月27日,青岛芯恩设备进场。 今年3月18号,由于张汝京出席广东海芯集成电路有限公司研发生产基地项目举办开工仪式,出现了“张汝京有可能放弃青岛芯恩”之类的种种猜疑。对此,张汝京发出声明,与项目创始人陈永正是旧识,仅是担任公司顾问,
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Rambus内存专利大战赢得重要胜利
北京时间3月27日消息,据国外媒体报道,在与主要内存芯片厂商长达近10年的法律纠纷中,Rambus终于在本周三获得了一场重要胜利。美国圣何塞地方法院的一个陪审团裁定,由于向其它公司提供了专利授权,Rambus并没有从事垄断行为。 受此消息影响,Rambus股价在纳斯达克常规交易中上涨7.25美元,报收于25.86美元,涨幅将近39%。在随后的盘后交易中,Rambus又上涨1.02美元,涨至26.88美元。陪审团的裁决对于Rambus来说是一个绝对的利好,因为这有助于该公司获得数亿美元的专利费用。Rambus绝大部分营收和利润都来自于专利芯片设计授权,目前其芯片设计已经广泛应用于DRAM芯片之中。2007年,Rambus的
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三星在IEDM上宣布:DRAM工艺可达10nm
韩国三星电子于2015年12月9日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲(论文26.5)。三星此次试制出了20nm工艺的DRAM,该公司表示其特性非常良好,并表示“采用同样的方法,可以达到10nm工艺”。
最近,有技术人员指出DRAM的微细化极限是20nm。DRAM在单元中的电容器中储存电荷,对有电荷状态分配1、无电荷状态分配0,以此记录信息。但是,随着微细化发展,电容器的表面积越来越小,不能再如愿存储电荷。因此,业内通过将电容器做成细长的圆柱状来确保表面积,也就是确保容量。圆柱的直径与长度之比——宽高比正日益接近100。通常铅笔的宽高比为22左右,所以DRAM的电容器比例如同跟4根铅笔
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三星DRAM连霸24年 2015年市占写下45%新高
三星电子(Samsung Electronics)连续24年蝉联全球DRAM存储器半导体市占率第一,为半导体产业写下新历史;2015年市占率达45.3%,营收突破200亿美元,不但刷新自身纪录,也成为存储器价格持续下跌声中,唯一还能获利的业者。
据韩媒Money Today报导,市调机构IHS资料显示,2015年三星DRAM营收为204.34亿美元,较2014年186.61亿美元成长9.5%,首次突破200亿美元。虽然全球DRAM市场规模由462.46亿美元萎缩至450.93亿美元,但三星营收却逆势成长。
从整年度的市占率来看,三星占45.3%创下历史新高;排名第二的SK海力士(SK Hynix)为27
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狂扫全球硅晶圆产能 三星3D NAND、DRAM、7纳米制程大扩产
2017年 三星 电子(SamsungElectronics)同步启动DRAM、3D NAND 及晶圆代工扩产计划,预计资本支出上看150亿~220亿美元,远超过台积电100亿美元和英特尔(Intel)120亿美元规模, 三星 为确保新产能如期开出,近期传出已与多家硅晶圆供应商洽谈签长约,狂扫全球硅晶圆产能,并传出环球晶已通知客户自2018年起硅晶圆供应量将减少30%,主要便是为支持 三星 产能需求做准备。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。 三星为因应DRAM和3D NAND 市场强劲需求,加上在逻辑事业全力投入7纳米制程,企图与台积电一较长短,抢回苹果(Apple)处理器芯片订单,三星2017年资本支出估计
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