布局边缘计算，宜鼎2666 DDR4宽温强固型内存发布-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

宜鼎发布2666 MT/s DDR4宽温内存以满足智能化边缘运算设备性能需求

2018年11 月 15日，台北讯 – 宜鼎今日发布全新强固型DDR4 2666宽温系列内存产品，特别专注于各种工业严苛条件中的边缘应用。宜鼎国际DRAM全球事业处副总张伟民表示，「DDR4 2666将于2019年成为市场上的标准规格。而宜鼎身为全球工控储存大厂，率先提供2666宽温的强固型系列内存，正以领导业界之姿，获得了绝佳的市场地位，更是目前在发展物联网和边缘计算技术上，最关键的工业级内存模块解决方案。」

2666宽温系列采用无缓冲（带和不带ECC）和缓冲模块，并严格使用工业级原装IC。此外，这些模块都具有抗硫化功能，并与Intel®Menlow和Purley平台兼容。

全新DDR4 2666MT / s宽温DRAM系列的容量从4GB到16GB，适用于所有工业应用，包括强固耐用的服务器，无风扇系统，任务关键型应用，监控和网络等。随着边缘计算的工业应用持续成长，市场对于同时具备宽温功能的强固内存需求大增，更将成为未来航空航天和车载方面的应用关键。

张伟民更进一步表示，「随着计算能力的持续发展，我们在边缘计算和物联网的分散化趋势中看到了机会。目前宜鼎新的2666 DDR4强固系列内存已成功推进欧洲，中东和中国市场，未来还将整合子公司安提边缘计算的GPU技术，提供边缘计算的整合方案，后势可期。」

关键字：DDR4 引用地址：布局边缘计算，宜鼎2666 DDR4宽温强固型内存发布

上一篇：国外存储巨头垄断市场，国产公司的生存之路
下一篇：美光推出 1TB 汽车级和工业级 PCIe NVMe™ 闪存

推荐阅读最新更新时间：2024-05-03 03:21

创见发布工业级DDR4-3200内存模组

创见宣布发布其新的工业级DDR4-3200内存模块系列。该系列关注5G网络和边缘智能计算。这些模块的特点是高传输带宽，3200MHz，低延迟，低功耗，运行电压为1.2V。根据公司发布的版本，该系列包括无缓冲长DIMM、无缓冲SO-DIMM、ECC长DIMM、ECC SO-DIMM和长DIMM等多种形式。此外，这些内存模块针对Intel、AMD和ARM处理器进行了优化，符合JEDEC规范。就性能和内存容量而言，DDR4-3200内存模块的容量为8-32GB。可应用在高端服务器、计算机、人工智能设备和其他设备。由于只使用1.2V电压，它们比DDR3、DDR2和DDR功耗更低。 DDR4-3200模块的另一个重要特

[嵌入式]

澜起科技推出全球首颗第二代DDR4的寄存时钟驱动芯片

中国上海，2014年10月27日（GLOBE NEWSWIRE）澜起科技集团有限公司，专注于为家庭娱乐和云计算市场提供以芯片为基础的全方位解决方案的全球无晶圆厂供应商，今天宣布推出全球首颗第二代DDR4寄存时钟驱动器芯片（DDR4RCD02）。 DDR4RCD02芯片完全符合最新的JEDEC DDR4RCD02规范，支持2667MHz及以上的时钟频率。该芯片在性能和速度较其最高支持DDR4-2400的第一代DDR4寄存时钟驱动芯片（DDR4RCD01）有显著改善。目前澜起科技已经将DDR4RCD02工程样片交给客户，供其开发支持第二代DDR4 RDIMM和LRDIMM模式的应用程序。 “我们

[手机便携]

Altera演示FPGA中业界性能最好的DDR4存储器数据速率

Arria 10 FPGA和SoC的2,666 Mbps DDR4存储器接口适用于大数据量应用。 2014年12月19号，北京——Altera公司(Nasdaq: ALTR)今天宣布，在硅片中演示了DDR4存储器接口，其工作速率是业界最高的2,666 Mbps。Altera的Arria® 10 FPGA和SoC是目前业界唯一能够支持这一速率DDR4存储器的FPGA，存储器性能比前一代FPGA提高了43%，比竞争20 nm FPGA高出10%。硬件设计人员现在可以使用最新的Quartus® II软件v14.1，在Arria 10 FPGA和SoC设计中实现2,666 Mbps DDR4存储器数据速率。视频演示表明，鲁棒的存

[嵌入式]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■报名直播赢【双肩包、京东卡、水杯】| 高可靠性IGBT的新选择——安世半导体650V IGBT

■免费申请 | 上百份MPS MIE模块，免费试用还有礼！

■PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源

■2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站，火热报名中