2017电子行业年度新闻回顾

移动互联网时代，手机已经成为数字化信息社会中人的代理，要实现端侧智能(On-DeviceAI)，需要往更强大的感知系统、认知系统、安全系统和动力系统发展。

为此，华为带来了拥有强大AI计算力的手机SoC，也是业界首颗带有独立NPU的手机芯片——麒麟970。

据介绍，麒麟970首次采用台积电10nm工艺，集成55亿个晶体管(骁龙835是31亿颗，苹果A10是33亿颗)，功耗降低20%。

ARM推出全新DynamIQ技术，为人工智能开启无限可能

ARM近日宣布推出全新的DynamIQ技术。作为未来ARM Cortex-A系列处理器的基础，DynamIQ技术代表了多核处理设计行业的转折点，其灵活多样性将重新定义更多类别设备的多核体验，覆盖从端到云的安全、通用平台。DynamIQ技术将被广泛应用于汽车、家庭以及数不胜数的各种互联设备，这些设备所产生的以泽字节(ZB，一泽字节大约等于1万亿GB)为计算单位的数据会在云端或者设备端被用于机器学习，以实现更先进的人工智能，从而带来更自然、更直观的用户体验。

小米自主研发芯片澎湃S1：定位中高端 28纳米

2月28日消息小米今日正式发布了定位中高端的自主研发芯片松果“澎湃S1”，此举被业内认为是中国芯片极具里程碑意义的事件。由此，小米也成为继苹果、三星、华为之后全球范围内有同时生产芯片和手机能力的第四家终端厂商。

三大运营商9月1日起全面取消手机国内长途和漫游费

据报道，从中国移动、中国电信和中国联通获悉，三家基础电信运营商自9月1日起，全面取消手机用户国内电话长途和漫游通话费(不含港澳台地区)，用户无需申请，自动生效。

据中国信息通信研究院专家预测，此次全面取消手机国内长途和漫游费，有望直接惠及我国5.4亿移动用户，每年降费总额可达280亿元，平均每个用户每年将节约52元。

英特尔发布商用5G新空口调制解调器系列产品

英特尔11月宣布其无线产品路线图取得重大进展，以加快5G的普及。其中的亮点包括：推出英特尔首个支持5G新空口(5G NR)的多模商用调制解调器家族，英特尔® XMM™ 8000系列，以及英特尔最新LTE调制解调器——英特尔® XMM™ 7660。英特尔还宣布已经成功实现了基于英特尔®5G调制解调器的完整端到端5G连接，而这款早期5G芯片是英特尔发展史上的一座关键里程碑。英特尔表示，在2017年世界移动通信大会上发布的英特尔® XMM™ 7560调制解调器已实现千兆级速度。

突破摩尔定律，1nm晶体管诞生

多年以来，技术的发展都在遵循摩尔定律，即当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目，约每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18-24个月翻一倍以上。眼下，我们使用的主流芯片制程为14nm，而明年，整个业界就将开始向10nm制程发展。

10月8日，美国伦斯伯克利国家实验室搞了一个大新闻，他们突破了物理极限，将现有最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm。

ARM落地深圳，中国自主芯片的春天来了

5月14日，一件传言很久的大新闻终于尘埃落定：一家主导了世界上几乎所有芯片架构的公司要落户中国了。这家公司就是ARM，它将和厚安创新基金合资成立公司，然后提供芯片设计所需的知识产权、技术支持和培训。

我国诞生世界首台3D心血管打印机

首台3D血管打印机诞生在四川成都高新技术开发区，世界首创3D生物打印血管就在这里诞生。在四川华西医院再生医学研究中心对一只恒河猴做了实验手术，科研人员将一段3D生物打印血管移植到猴子体内，猴子的基因和身体结构和人类比较接近，选择的部位是猴子的腹主动脉，这段动脉的内径是6mm和人体下肢的动脉血管粗细相当。

国内首款智能数字助听器核心SoC芯片研制成功

2017年4月19日，国内首款智能数字助听器芯片由中国科学院微电子研究所研制成功，这是国内首颗助听器核心SoC芯片，是一种真正意义上的单芯片全集成助听器解决方案。

三星已搞定石墨烯电池，能量密度提升45%

虽然手机性能、屏幕等技术在这几年飞速发展，可为一切提供动力的电池产业在这几年却进展缓慢，称其为限制移动设备发展的最大阻碍也不为过。在早前华为宣布取得进展后，近日韩国三星公司也发布了自己的“石墨烯”电池。和传统电池相比，三星的石墨烯电池能量密度提升45%，并且充电速度可以达到传统电池的5倍。

USB IF公布USB 3.2标准,以后都是Type-C了

今年7 月份的时候，有关 USB 3.2 即将到来的报道就已经出来了。与 USB 3.0 / 3.1 相比，尽管 USB 3.2 只是个普通计算机用户没理由去关心的“增量更新”，但它的部分特性还是令人激动不已。

高通正式公布第5代自主架构CPU:Falkor CPU

Falkor CPU完全兼容ARMv8指令集，加入三级缓存设计，支持6通道DDR4、32条PCIe 3.0，封装尺寸55x55mm，而且双路的话最高48核。