日前,长江存储的首台光刻机运抵武汉天河机场,设备相关的海关、商检及边防口岸的相关手续办理完成后,即可运至长江存储的工厂。据消息,这台光刻机为ASML的193nm浸润式光刻机,售价7200万美元,用于14nm~20nm工艺。这也从侧面透露了长江存储3D NAND闪存芯片的工艺制程。这是长江存储的第一台光刻机,陆续还会有多台运抵。
在今年的4月5日,长江存储首批400万美元的精密仪器开始进场安装,标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。据悉,长江存储已经试产,产业链上不少企业都拿到了样片在测试。如顺利,今年四季度,中国首批拥有完全自主知识产权的32层3D NAND闪存芯片有望实现量产。
紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全此前接受采访时曾强调,这仅是刚刚开始。32层3D NAND闪存芯片量产后,不会上很高的产量,更主要的是完成完全自主技术积累,若技术不够好,不会硬冲产量。此外64层闪存产品研发也在迅速进行,力争2019年底实现产能爬坡量产,这样就能把与全球领先大厂的差距缩短在2年以内。
紫光集团董事长兼长江存储董事长赵伟国表示,我们希望5年站稳脚跟,别人没法把我们打出去,但真正的成功需要10年时间。芯片生产机台搬入。这正如航母舾装完毕,开始装配武器弹药,下一步就要在今年底实现芯片量产,出海远航。
关键字:长江存储 芯片 闪存芯片
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长江存储的首台光刻机运抵武汉,国产32层3D NAND闪存芯片
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