赛普拉斯为其领先业界F-RAM和nvSRAM产品组合提供晶圆销售支持-电子工程世界

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加利福尼亚州圣何塞市，2016年1月21日－赛普拉斯半导体公司（纳斯达克股票交易代码：CY）宣布其领先业界的非易失性随机存取存储器（(NVRAM）产品组合新增晶圆产品。赛普拉斯的NVRAM产品组合包括铁电RAM（F-RAM™）和非易失性静态RAM(nvSRAM)，可在断电时为重要数据提供可靠保护。很多关键任务应用除了需要F-RAM和nvSRAM的独特优势之外，还需要能够实现小巧、独特封装选项的裸片。

赛普拉斯的F-RAM是业内能效最高的NVRAM技术，具有近乎无限的100万亿次读写耐久性。F-RAM 存储单元中的铁电材料可抵御由辐射或磁场导致的数据损坏，因此可为医疗、航天和国防应用提供软错误免疫能力。赛普拉斯的nvSRAM是业内速度最快的NVRAM技术，存取时间低至20 ns。它具有非易失性数据保留功能，而且不需要额外的电池，同时提供无限的耐久性。

赛普拉斯非易失性产品事业部高级主管Sonal Chandrasekharan表示：“为NVRAM产品组合提供晶圆销售进一步满足了客户的广泛需求，客户现在可以在满足具体应用的封装规格的同时，充分利用nvSRAM的高性能或F-RAM的高能效优势。”

关于赛普拉斯的F-RAM

赛普拉斯提供丰富的F-RAM产品线，容量涵盖4Kb至4Mb，电压范围是2.0至5.5伏。赛普拉斯的F-RAM具有近乎无限的100万亿次读写寿命，因而理想适合于写操作密集的应用。F-RAM是业界能效最高的非易失性RAM解决方案；F-RAM单元具有与生俱来的低功耗特点，无需充电泵即可工作。赛普拉斯的F-RAM对于需要高性能、高可靠性、低成本非易失性存储器的应用来说，是非常理想的选择。这些应用包括汽车、工业、计算、网络、智能仪表以及多功能打印机。

关于赛普拉斯的nvSRAM

赛普拉斯的nvSRAM系采用存储在外部电容器中的电荷，而非电池，从而使这一器件适合于标准的PCB流水线生产。赛普拉斯的nvSRAM符合ROHS标准，可以直接替代SRAM和依靠电池供电的SRAM（BBSRAM）产品，提供快速非易失性数据存储能力。当发生断电的时候，数据可自动从SRAM传输到非易失性单元中。加电之后，数据可从非易失性存储器中恢复至SRAM。在网络、工业、计算和RAID应用中，nvSRAM提供了高速数据传输性能，并在断电的时候，无需电池即可保证数据的完整性。

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