SK海力士公布的第二季度财报显示,营收年减38%至6.5万亿韩元,营业净利较去年同期狂减89%至6,380亿韩元(约合5.419亿美元),净利也从去年同期的4.3万亿韩元大减88%至5,370亿韩元。
由于受到存储器跌价和日韩贸易纠纷的双重打击, SK 海力士表示,需求复苏程度低于预期,报价跌幅也比想像还要深,所以将会有弹性地调整生产与投资计划,应对充满挑战的市场环境。
SK 海力士进一步指出,明(2020)年的投资额将明显低于今年,DRAM产能也将从今年第四季度开始调降,且今年NAND闪存芯片投入的降幅将会从之前的10%调整至15%,韩国两座晶圆厂的扩产时间也会重新考虑。
由于供给过剩的状况持续,存储器价格从去年年底开始一路下跌,但DRAM、NAND Flash的现货报价却在最近几周攀高,主要是受到日韩贸易战的影响,可能这短期内将会平衡供求关系。
关键字:海力士 财报 NAND闪存 DRAM
引用地址:
SK海力士遭受双重打击,营收净利双双暴跌
推荐阅读最新更新时间:2024-11-03 01:45
提高存储器子系统效率的三种方法
行业专家认为,对于一个典型的大型数据中心而言,其50亿美元成本的80%左右会用在设备的机械和电子基础设施上。 对于数据中心服务器,高功率密度的原因之一在于存储器子系统。典型的1U服务器需要600~1,000W的电源供电。这些用于数据中心的高端服务器支持16~18个DRAM插槽。在DDR3(第三代双倍数据速率)系统上,每一个插槽都通过典型的2Gb模块平均汲取9W功率。存储器子系统总功率约为144~162W,约占系统可用功率的25%。将该总功率与典型数据中心中40,000~80,000个服务器相乘,结果为5~13MW(兆瓦特),这仅为存储器子系统的汲取功率。这些功率足以为超过13,000个美国家庭供电。 存储器协会正在推行用三种方法
[嵌入式]
高盛:DRAM涨势将趋冷明年转跌
据外电报道,高盛判断, DRAM 价格涨势可能在未来几季降温, 2018年价格也许会转跌,决定调降内存大厂美光评等。下面就随网络同学校吧一起来了解一下相关内容吧。 巴伦周刊8日报导,高盛的Mark Delaney报告表示,过去四个季度以来, DRAM 毛利不断提高。 过往经验显示, DRAM 荣景通常持续四到九季,此一趋势代表DRAM多头循环已经来到中后段。 业界整合使得本次价格高点,比以往更高。 Delaney强调,和DRAM业界人士谈话发现,DRAM现货价的成长动能放缓,价格似乎触顶或略为下滑。 NAND情况较不严重;产业人士表示,NAND价格走升,供给缓慢提高,当前较易取得货源。 Delaney并称,DRAM投
[网络通信]
DRAM的未来在哪里?
译自——semiengineering 内存——尤其是DRAM——已经成为人们关注的焦点,因为它发现自己正处在提高系统性能的关键路上。 这并不是DRAM第一次成为人们关注的焦点。问题是,并不是所有的事情都以相同的速度发展,从处理器性能到晶体管设计,甚至到制造这些设备的技术,所有的事情都出现了串行瓶颈。现在轮到回忆了。 Rambus的IP核心产品营销高级总监Frank Ferro表示:“在瓶颈方面,内存系统再次处于前沿。人工智能正在推动对内存容量和带宽的巨大需求。为了让DRAM市场保持活跃,可能需要进行规模化、封装,甚至是激进的存储单元(bit-cell)的创新。 为了满足我们对内存的需求,将当前的DRAM扩展到更小
[嵌入式]
为减少资本支出,美光将基于 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 技术推迟到 2025 年
美国最大存储芯片制造商美光科技周三宣布,公司将在 2023 年裁员大约 10%,并停发奖金。这再次表明,科技行业的增长放缓正在影响就业。 作为减少资本支出的一部分,消息称美光将使用 EUV 光刻的 1γ nm 制程 DRAM 推迟到 2025 年,232 层之后的 NAND 节点也被推迟。 美光 1γ 制造技术中原定于 2024 年的某个时候推出,但因为美光必须在 2023 和 2024 财年减少新设备的支出,并减少 DRAM bit 出货量,它将不得不放慢 DRAM 在其 1β 和 1γ 制造技术上的增长速度。 据了解,该公司最新的 1β 制造节点 —— bit 密度提高了 35%,电源效率提高了 15%,不过这一技
[半导体设计/制造]
铠侠开发出170层的NAND闪存产品
日本芯片制造商铠侠开发了大约170层的NAND闪存,并与美光和SK海力士共同获得了这项尖端技术。 日经亚洲评论报道称,这种新型NAND存储器是与美国合作伙伴西部数据(Western Digital)联合开发的,其写入数据的速度是铠侠目前顶级产品(112层)的两倍以上。 另外,铠侠还成功地在新型NAND每层上安装了更多的存储单元,这意味着与相同容量的存储器相比,它可以使芯片缩小30%以上。更小的芯片将使智能手机、服务器和其他产品的构造具有更大的灵活性。 据悉,铠侠计划在正在进行的国际固态电路大会上推出其新款NAND,并预计最早在明年开始量产。 随着5G技术的兴起,数据传输规模更大、速度更快,铠侠希望挖掘与数据中心、智能手机相关的
[手机便携]
SK集团全数收购乐金半导体硅晶圆公司所有股权
SK 集团( SK Group)表示将收购 乐金 Siltron(LG Siltron)剩余49%公司股份。 乐金 Siltron是 乐金 集团( SK Group)的半导体硅晶圆公司,2017年初SK集团已用 6,200亿韩元(约5.5亿美元)取得 51%乐金Siltron股份。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。 今年1月份,SK曾以 6,200亿韩元收购 LG 所拥有的LG Siltron 51%的股份。LG Siltron是制造半导体芯片基础材料——半导体硅晶片的专门企业,据 SK 指出,LG Siltron 2015 年营收为 7,774 亿韩元、盈利为 54 亿韩元,2016 年 LG Silt
[半导体设计/制造]
带你了解一下海力士无锡工厂的ASML NXT2000i
12月19日晚间,中国首台ASML NXT2000i正式搬入SK海力士位于无锡的工厂。 据ASML证实,此次入驻SK海力士无锡工厂确为NXT2000i,也即NXT2000。ASML解释道,i是immersion的意思。NXT2000都是immersion的机器。所以NXT2000即NXT2000i。 据了解,无锡是SK海力士在中国的DRAM内存芯片生产基地,目前每月晶圆的产量约为14万片。 同时,SK海力士还成立了SK Hynix System IC公司,开始进军晶圆代工市场,同时增加1000万美元投资,在无锡扩大模拟IC芯片业务。 今年8月份曾有消息表示,ASML已经开始出货新品Twinscan NXT2000i DUV(N
[半导体设计/制造]
DRAM制造商 “从鼎盛走向衰败”
市场研究集团IC Insights的研究报告显示,在2007年的销售收入增长排名中,DRAM制造商的表现最差,颠覆了一年以前的趋势。 研究人员表示,恶劣的表现主要是因为2007年整个DRAM的平均销售价格下滑了39%。 在2007年的50强半导体供应商当中,DRAM公司占据了4席。这几乎与2006年的情况完全相反,那时,10家顶级公司(以增长率排名)当中有7家是DRAM供应商。 数字显示,在2006年的50强芯片供应商当中,ProMOS拔得头筹;但是,去年该公司沦落至排名倒数第一,增长率为负30%。奇梦达公司的遭遇几乎一样糟糕,达到了26%的负增长率,从2006年的排名第六急跌至去年的第48名。 排名是
[焦点新闻]