DRAM市场规模下滑30%，2020年恐难触底反弹-电子工程世界

美中贸易战压抑半导体需求，摩根大通最新预测指出，今年DRAM市场规模将大幅下滑30%，产品均价（ASP）更会见到下跌40%的剧烈减幅，但资本支出可望保持一定动能，台厂如南亚科等建议观望为先。

摩根大通日前基于市场需求略为回升，上调DRAM指标的南亚科评级至「中立」，但对市场前景审慎的看法不变，尤其保守看伺服器为主的大型建设需求尚未全面反弹，2020年DRAM要触底弹升的动能恐怕相当有限。

摩根大通指出，由于美中贸易战和客户谨慎拉货影响，今年中，DRAM价格一度反弹又回落，全年难脱衰退颓势。以年度比较看，其预测DRAM需求将比去年成长12%，市场规模受供过于求、将下滑30%，产品均价也会比去年骤减四成。

NAND需求相对好，摩根大通预测，今年该类记忆体需求将强劲成长30%，惟供过于求仍预估使产品均价下滑二到四成。资本支出方面，则受到厂商投入新型需求，DRAM和NAND均预期比去年小幅下滑，分别来到190亿美元和250亿美元的水准。

摩根大通认为，明年第1季记忆体还有跌价可能，库存过多不太可能让景气「V」型反转，甚至到明年底延续「L」型复苏的低迷状态，因此建议对台厂观望。

记忆体产能过剩拖累全年资本支出成长

据IC insights 报告指出，2019 年半导体产业中，记忆体产业链之资本支出费用约占整体半导体产业达43%，而由于记忆体近年产能爆量等因素，造成记忆体市场近1 年出现供过于求的跌价现象，各厂减少扩产，导致今年记忆体资本支出因此下滑，拖累整体半导体产业资本支出下修为978 亿美元，相较于去年减少80 亿美元。

拉开历史数据来看，从下图可知，过去2 年记忆体产业资本支出是大幅增加，且自2013 起至2018 为止记忆体产业资本支出占比已从24% 跳升至49%，2019 则略为下降至43%，整体7 年的年均复合增长率(CAGR) 则达18.9%。

半导体资本支出于半导体产业占比与各年变动(图: IC insights)

IC 产品中，以快取记忆体(NAND) 的资本支出为2017 与2018 年整体半导体产业资本支出达高峰的主要产品，如记忆体大厂三星、SK 海力士、美光即在过去2 年间开出不小产能。

而过去18 个月中英特尔(INTC-US)、东芝、威腾、SanDisk、XMC 与长江存储，也都明显加速扩增3D NAND 的产量，持续产能扩增下，也使得DRAM 与快取记忆体都出现供过于求的状况，终而造成持续性的价格下跌。

资本支出变动方面，过去两年全球各大记忆体厂的扩厂计划，由于目前皆已完成或接近完成，再加上产能扩增下使市场价格不断掉价，两大因素下使各厂已逐渐缩减资本支出费用，截至目前为止DRAM 与Flash 资本支出已分别下跌19% 与21%。

DRAM 与Flash 资本支出各年变动(图: IC insights)

展望记忆体后市IC insights 指出，跌价的持续与否，将取决于各厂对于资本支出的调整，其中大厂之一的SK 海力士已于上月宣布将减产，而若未来各厂持续出现减产的态度，未来将能平缓记忆体跌价的趋势。

IC insights 表示，从短期供需面来看，供给过剩造成的低价，已使消费者具价格优势，需求量的增加，或多少能弥补厂商的跌价损失。

关键字：DRAM NAND 引用地址：DRAM市场规模下滑30%，2020年恐难触底反弹

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