NAND闪存竞争激烈，三星面临技术瓶颈

众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，不需要电源即可保留数据。随着用于数据中心的IT设备和服务器需要更大的存储容量，尽可能多地堆叠薄层已成为NAND闪存芯片制造商的首要任务。

三星尚未公布其最新的NAND堆栈技术，该技术超越了其当前的128层芯片，而竞争对手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在争相展示前沿设计。这促使分析人士认为，存储芯片巨头可能正在失去其技术优势。去年11月，美国芯片制造商美光宣布开发出业界首款176层NAND闪存芯片。SK Hynix随后在12月发布了自己的176层芯片。

日本的Kioxia最近还宣布，它与Western Digital一起成功开发了162层3D NAND。他们说，新产品比以前的112层技术小40％，可以提供更高的密度和更低的读取延迟。

Objective Analysis的半导体行业分析师Jim Handy表示，三星在NAND闪存行业的领导地位不会很快改变，但他同意三星在堆叠更多层方面正在失去竞争力。“是的，三星落后于竞争对手。这并不是三星首次落后于NAND闪存竞争。我记得2012年，三星采用27纳米工艺的最不先进工艺，而其他所有人都在采用24纳米工艺或25纳米零件。”该分析师告诉《韩国时报》。

当被问及三星为什么尚未宣布其新的NAND闪存具有比162或176层更高的堆栈数量时，Handy指出，该公司过于依赖单平台技术，而其竞争对手将堆栈分为两层。

据我所知，拥有更高的堆栈是增加存储容量的最有效方法。三星一直在寻求一条更艰难的道路。三星通过使用单层方法增加了层数，而其他公司则迁移到了两层。从理论上讲，单个平台的生产成本应该较低，但是开发时间会更长，这似乎就是三星落后的原因。” 

三星预计，随着更多智能手机的销售，今年对NAND芯片的需求将会增加，而长期的社会疏离措施也将推动笔记本电脑等IT设备的销售。为了满足服务器需求，今年数据中心还将越来越多地订购NAND芯片。

为了更好地与竞争对手竞争，三星公司还准备采用双层方法推出第七代V-NAND，该公司首席财务官崔允浩说。

“为了向您提供有关NAND的更新，我们的单堆栈第六代V-NAND已经完成了产能提升。今年，我们将扩大生产。在下一代产品中，第七代V -NAND，我们计划首次采用双堆栈，”崔在一月份告诉投资者。“这将为我们提供行业中最小的堆叠高度的优势。最重要的是，通过使用我们积累的单层堆叠技术知识，我们期望即使在多层堆叠的情况下也能保持出色的成本竞争力在第七代V-NAND上。”

尽管该公司有远见，但分析师表示，新方法能否使三星看到明显更好的结果还有待观察。

“开发单层设备比较困难，这减慢了三星的发展速度。三星表示将为其第七代V-NAND使用两层方法。由于三星尚未生产两层设备，因此，甲板上的NAND，它必须学习如何做其竞争对手已经非常了解的事情。”

但是他并没有改变他对三星将继续领导NAND市场的看法。“三星正在保持其市场份额的领先地位。这是该公司的主要重点，因此我认为这不会改变。在技术上，三星有时会领先，有时还会跟随。如今，该公司的NAND技术落后于某些竞争对手，分析师说。

分析师表示，毫无疑问，三星将保持其在NAND闪存业务中的领先地位，但从长远来看，对韩国公司最大的威胁可能是中国制造商长江存储。

YMTC去年宣布开发128层3D NAND，从而在存储芯片行业大放异彩。该公司并未正式宣布它有能力批量生产该产品，但是128层NAND的成功开发可能会增加其在该行业的占有率。

这位分析师表示，在中国管理者努力使中国成为芯片行业领导者之一的支持下，YMTC有望实现稳定增长。

他说：“三星在NAND闪存中最大的长期威胁是中国的YMTC。YMTC拥有令人难以置信的资本来筹集新的生产设施。” “只要该公司学习如何大量生产NAND闪存，它就会通过抢占其他NAND闪存制造商的市场份额而迅速增长。当这种情况发生时，我相信三星可能会失去其排名第一的地位。”