DRAM如何改变世界?写在DRAM授予专利的55年

发布者:EEWorld资讯最新更新时间:2023-06-05 来源: EEWORLD关键字:DRAM 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

本文来源美光科技


1966 年是很久以前的事了。甲壳虫乐队发行了新专辑《左轮手枪》,经典西部电影《

好的/坏的/丑陋的》上映。


同年,罗伯特·丹纳德 (Robert Dennard) 发明了动态随机存取存储器 (DRAM)。两年后——1968年6 月 4 日,DRAM 专利被授予。


为了开发这项技术,Dennard 领导了 IBM 的一个研究团队,该团队对电容器上的二进制数据作为正电荷或负电荷进行了实验。由于电容器会泄漏电荷,Dennard 发明了一个平台,在这个平台上一切都由单个晶体管处理,从而大大减小了尺寸。


采用临时存储器的随机存取存储器 (RAM) 在当时被广泛使用,但它复杂、笨重且耗电量大。大型磁存储系统需要房间大小的设备,同时只能存储一兆字节的信息。Dennard 的想法是将下一代磁存储器缩小到25平方厘米。诀窍是将 RAM 压缩到单个晶体管中。突然之间,一台计算机可以在一个芯片上容纳十亿个 RAM 单元。


1970 年第一款 RAM 芯片 1103 发布,两年时间绕过了磁芯存储器,成为全球最畅销的半导体存储芯片,到 20 世纪 70 年代中期,它已成为标准。


在最近 IBM对 Dennard 的致敬中,他们描述了这一发现带来的冲击波:“在接下来的五年半时间里,DRAM 将一代又一代地发展......DRAM 内存不仅扫除了早期的磁技术,它成为重塑人类社会的行业的基础技术——从我们的工作方式到我们娱乐自己的方式,甚至到战争的方式。”


如今,单芯片 8Gb(千兆位)和 16Gb DRAM 组件在智能手机中无处不在,而 32Gb DRAM 组件用于服务器和超级计算机中的 128GB RDIMM(注册 DIMM)模块为全球经济提供动力。


虽然我们都熟悉摩尔定律,但 Dennard Scaling 将这一概念带入了更深层次的技术含义——即每一代,您都可以将晶体管面积缩小一半,同时将工作频率(时钟速度)提高 40%。此外,在给定空间内,晶体管将变得更便宜且数量更多,同时保持功耗不变(晶体管数量的两倍)。


Dennard 甚至看到了摩尔定律和 Dennard Scaling 的最终终结。一位 IBM 同事 Russ Lange 清楚地记得:“Bob 和我总是会就扩展是否要结束进行热烈的讨论。他会说,‘是的,扩展已经结束了。但创造力永无止境。'”


到 1981 年,美光在 DRAM 领域大放异彩,推出了第一款 64K DRAM 产品。这是我们在 DRAM 和 NAND 领域强大领导角色的诞生。三年后,我们发布了世界上最小的 256K DRAM 产品,并于 1987 年推出了 1 Mb DRAM。

image.png

美光64K DRAM产品

image.png

美光“We Do Windows”广告和美光 1Mb DRAM 产品


Gurtej Sandhu,多领域发明家,IEEE Andrew S. Grove 奖获得者和美光科技探路高级研究员,回忆了 DRAM 的早期创新时代,“大约 15 年前,当我访问 IBM Watson 中心时,我到了Dennard 的办公室。办公室一直对来访者开放,工作秩序井然,我听说几年前退休的Dennard 每周仍会来那里几个小时。有意思的是,在他发明 DRAM 时,正在寻找 SRAM 的低成本替代品的英特尔对它给予了更多关注。

image.png

Gurtej Sandhu,IEEE Andrew S. Grove 奖获得者,美光科技高级研究员


Sandhu 补充说:“在我们着手寻找未来的内存技术解决方案时,这是我们不应该忘记的历史教训。成功的内存技术实施将始终需要一种系统级方法来设计计算机体系结构和围绕它设计的软件,以便为最终客户获取最大利益。”


与 Dennard Scaling 一致,DRAM 不断变得更小、速度更快。到 2002 年,美光展示了世界上第一个 1 Gb DDR(双倍数据速率)DRAM 产品。多年来,我们继续引领 DRAM 创新,从早期的 PC DRAM 到图形,再到当前爆炸式增长的特定于汽车、IoT(物联网)和 AI(人工智能)设备的内存。


时间快进到 2021 年,美光发布了基于 1α (1-alpha) 节点的 DRAM 产品,采用世界上最先进的 DRAM 工艺技术,在密度、功耗和性能方面实现了重大改进。


Micron 技术和产品执行副总裁 Scott DeBoer 指出:“与之前的 1z DRAM 节点相比,1α内存密度提高了 40%,这一进步为未来的产品和内存创新奠定了坚实的基础。”


例如,该节点使我们能够为需要一流 LPDRAM(低功耗 DRAM)性能的平台提供超节能、可靠的内存和更快的低功耗 DDR5 (LPDDR5) 运行速度。基于 1 alpha 节点的 LPDDR5 在节电方面提升了 15%,使 5G 移动用户能够在智能手机上执行更多任务,而不会牺牲电池寿命。

image.png

美光 LPDDR5


其他应用包括业界首款满足最严格的汽车安全完整性等级 (ASIL) ASIL D 的汽车 LPDDR5 DRAM。该解决方案是美光针对基于国际标准化组织的汽车功能安全的全新内存和存储产品组合的一部分(ISO) 26262 标准。


今天,美光继续走在 DRAM 进步的最前沿,2022 年发布了 1β (1-beta) 生产节点,该节点拥有每芯片 16Gb 的容量和 8.5Gbps 的数据速率,提供 15% 更好的功率效率和高达 35% 的位密度改进。在节点技术的早期应用中,1 β 节点上的美光 LPDDR5X 将在手机中实现高分辨率 8K 视频录制和视频编辑。


同时,美光最近宣布 1γ (1-gamma) DRAM 工艺技术采用革命性的极紫外 (EUV) 光刻生产。我们将成为第一家将 EUV 技术引入生产的存储器公司,并将于 2025 年在台湾和日本的 1γ (1-gamma) 节点上将 EUV 投入生产。


55 多年前,Dennard的创新为蓬勃发展的内存行业注入了活力,其中包括Micron无与伦比的从 64k 至 1γ DRAM 领导地位和进步。


关键字:DRAM 引用地址:DRAM如何改变世界?写在DRAM授予专利的55年

上一篇:绿芯将在上海国际嵌入式展会展示用于工业、 汽车和交通运输应用的固态硬盘和存储卡
下一篇:绿芯将在德国斯图加特 ADAS和无人驾驶技术博览会上展示高可靠固态存储产品

推荐阅读最新更新时间:2024-11-04 08:01

矽品将投资台湾新成立DRAM公司TMC
台湾新成立DRAM公司——台湾创新记忆体公司(TMC)拟于第四季投入市场的计划正进入冲刺阶段,台湾半导体封测厂矽品周四表示,董事会通过将投资TMC普通股,金额10-20亿台币,为首家表态将投资TMC的企业。 矽品发言人江百宏表示,“决定投资主要是看好TMC与日本尔必达的合作模式,而且这是政府支持的产业再造计划。” TMC公司人士则是不予置评。 为了整合台湾DRAM产业,“经济部”在今年3月便宣布主导成立TMC,由联电荣誉副董事长宣明智担任召集人,之后并宣布与日本尔必达结盟,拟相互持股。 TMC已于7月底正式登记成立,董事长即为宣明智,登记资本额50万台币.该公司已向政府递件申请国发基金的注资,
[半导体设计/制造]
SK海力士缺货 DRAM涨势再起
    DRAM大厂SK海力士(Hynix)已正式通知客户,因无锡厂失火,10月无法如期履约交货,个人计算机代工厂(OEM)感觉事态严重,即将展开全面扫货,DRAM涨势再度一触即发。 图/经济日报提供        根据集邦报价,DDR3 2Gb现货均价昨(1)日攀高至2.3 美元,平9月17日创下的今年最高价。集邦预估,海力士无锡厂受损,影响DRAM缺货将到明年第1季。通路商则预估,DRAM报价10月攀上今年新高。      DRAM大厂及通路商表示,10月DRAM现货价及合约价将推上今年高点,目前手中握有最大PC用DRAM货源的美光可能将DDR3 2Gb DRAM报价推升站上2.5美元;DDR3 4Gb DRAM则
[手机便携]
8GDRAM供不应求,LPDDR价格飙涨
据外媒报道,DRAMeXchange的最新报告指出,用于移动设备的LPDDR DRAM协议价在今年第四季度将上涨10%~15%。 此前,LPDDR的价格是低于PC、服务器等平台的,但这些年需求越来越猛,生产企业们也开始打起高利润的主意。所以,不排除一些已经发布的千元机和尚未发布的千元机会在其售价上做出调整的可能。而旗舰机方面,因为本身缓冲空间较大,暂时不会受到冲击。 因为DRAM在整个2018年的产能依然都弱于需求,预计安卓内存的军备竞赛会暂时停留在8GB,甚至像三星、华为等依然维持6GB。 另外,IC Insights报告显示,过去12个月,DRAM已从2.45美元涨到5.16美元,涨幅达到惊人的111%,而且在年底
[嵌入式]
三星电子量产业内首款8Gb LPDDR4 移动DRAM
全球存储行业领导者三星电子今日宣布,已开始量产业内首款20纳米8Gb LPDDR4移动DRAM。 LPDDR可以说是全球范围内最广泛使用于移动设备的“工作记忆”内存。全新的20纳米8Gb LPDDR4内存,在性能和集成度上都比20纳米级4Gb LPDDR3内存提高一倍。此外,单颗容量高达8Gb的芯片使4GB LPDDR4封装成为可能,而这款封装则荣获了2015年国际消费电子展(CES, Consumer Electronics Show)嵌入式技术类创新奖。在此之前,三星电子的2GB LPDDR3和3GB LPDDR3产品已分别在2013年和2014年的CES上获此殊荣,而本次获奖更使三星电子成为唯一一个凭借移动DRAM解决方案
[手机便携]
趁美国困住福建晋华 三星、SK海力士加速拉开DRAM技术距
        SK海力士于15日发表世界第一个符合JEDEC规格的DDR5 DRAM,而三星电子则在7月成功开发出10纳米级LPDDR5 DRAM,韩国半导体企业藉着连续发表新规格,企图引领全球的半导体市场,同时也趁中美贸易战之际,扩大了与中国DRAM的技术差距。         据《首尔经济》报导,一位业内相关人士表示,最近中国DRAM企业福建晋华遭到美国禁止输出半导体设备和材料,在福建晋华遇到困境的时候,韩国企业们趁机开始加速“超差距”战略。          SK海力士释出的DDR5是继DDR4的之后,新一代DRAM的标准规格,拥有超高速、低耗能、高用量的特性,适合应用在大数据、AI等运算。比起前一代DDR4的电力
[手机便携]
海力士预言:DRAM厂 四家将出局
南韩海力士半导体公司(Hynix)运行长金钟甲说,拜全球积极减产之赐,DRAM产业下半年可望好转,但不认为第三季会出现缺货情况,并预言年底前将有三至四家业者“出局”。   金钟甲26日在股东大会上说,海力士今年某一季将转亏为盈,因为芯片业在“第四季可能已经落底,下半年会比上半年为佳,但整体而言今年仍将是艰困的一年。”他在会后告诉记者:“在大约家DRAM业者中,三至四家今年很可能出局。”   据韩国经济日报报导,南韩两大半导体业者三星电子半导体部门与海力士最快将在第三季恢复获利。海力士股价26日大涨14.7%,收1.17万韩元,今年来累计上涨75%。   金钟甲认为,DRAM产业今年第三季不会从供应过剩转为紧张,并预期今
[半导体设计/制造]
车用存储器需求高速成长,DRAM供货商如何布局?
TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示,随着自驾等级的提升、5G基础建设的普及等因素影响,车用存储器未来需求将高速增长。 以目前自驾程度最高的特斯拉(Tesla)为例,从Tesla Model S/X起,由于同时采用NVIDIA的车用CPU及GPU解决方案,DRAM规格导入当时频宽最高的GDDR5,全车系搭载8GB DRAM;而Model 3更进一步导入14GB,下一代车款更将直上20GB,其平均用量远胜目前的PC及智能手机,预估近三年车载DRAM用量将以CAGR超过三成的涨势继续向上。 TrendForce集邦咨询进一步补充,以目前市面上流通的车辆来计算,2021年平均一台车的DRAM使用量仅约4GB,虽然相较
[汽车电子]
车用存储器需求高速成长,<font color='red'>DRAM</font>供货商如何布局?
紫光集团发声自研存储 欢迎美光加入
外界认为高启全到大陆发展内存产业后,带走许多台湾半导体产业的人才,对此,他接受媒体采访时强调,找人才不分地方、国籍,不会特定挖哪一公司的员工。 他解释,长江存储是一家国际化的公司,拥有全球各地的人加入,美国人、日本人、南韩人都有,绝不是只有挖台湾工程师,长江存储内部是规定要用英文沟通,因为外籍主管很多,以国际化的规格在打造企业。 高启全说,长江存储2016年7月16日正式成立后,就购并武汉新芯100%股权,现在的武汉新芯约1,200人,另外,长江存储成立至今也招募将近700人,当中的研发人员占500人,台湾人约50名。 紫光稍早也发出声明表示,作为一家国际化的高科技公司,紫光一向非常重视与严格遵守相关法律,尊重对知识产
[嵌入式]
小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件
随便看看

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved