英飞凌扩展数据记录存储器产品组合,推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON™ F-RAM存储器

发布者:EE小广播最新更新时间:2023-08-08 来源: EEWORLD关键字:英飞凌  存储器 手机看文章 扫描二维码
随时随地手机看文章

英飞凌扩展数据记录存储器产品组合,推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON™ F-RAM存储器及新型4Mbit F-RAM存储器


【2023年8月8日,德国慕尼黑讯】汽车事件数据记录系统(EDR)市场的不断发展正在推动专用数据记录存储设备的需求,这些设备能够即时捕获关键数据并可靠地存储数据长达数十年。近日,英飞凌科技股份公司进一步扩展其EXCELON™ F-RAM存储器产品,推出两款分别具有1Mbit和4Mbit存储密度的新型F-RAM存储器。全新1Mbit EXCELON™ F-RAM是业内首款车规级串行F-RAM存储器。


 image.png


这两款新品已通过AEC-Q100 1级认证,支持更宽泛的温度范围(-40°C 至+125°C ),补充了存储密度从4Kbit到16Mbit不等的车规级F-RAM存储器产品组合。它们均具有快速且高度可靠的读/写性能,在SPI模式和Quad SPI(QSPI)模式下的读写性能分别高达50 MHz和108 MHz。此外,这些存储器具有10万亿次读写周期,能够支持以10微秒间隔进行数据记录长达20年。


英飞凌科技RAM解决方案副总裁Ramesh Chettuvetty表示:“随着电子系统的广泛应用,以及行业法规鼓励在安全气囊系统及发动机控制和电池管理系统中使用高可靠非易失性存储器,汽车系统中的数据记录需求正在迅速增长。需要记录数据的应用数量不断增加,根据特定用例定制存储密度的需求也随之增长。英飞凌致力于帮助客户灵活满足各类系统设计对存储器架构的要求。”


EXCELON F-RAM存储器具有零延迟写入功能,可以持续捕获并记录数据,直到事故或其他用户定义的触发事件发生前的最后一瞬间。这两款新品采用串行(SPI/QSPI)接口,具备F-RAM存储器的超低功耗特性,工作电压范围为1.8 V至3.6 V,并采用标准的8引脚SOIC封装。半导体科技公司英飞凌的F-RAM存储器除了具有出色的耐用性外,还可在断电后保存数据超过100年。


供货情况


英飞凌存储密度为1Mbit (CY15B201QN-50SXE)和4Mbit (CY15B204QN-40SXE) 的EXCELON 车规级F-RAM存储器件现已量产。

 


关键字:英飞凌  存储器 引用地址:英飞凌扩展数据记录存储器产品组合,推出业内首款1Mbit车规级串行EXCELON™ F-RAM存储器

上一篇:美光第二代HBM3内存实现带宽、效率与速度的同时提升
下一篇:Pure Storage开创行业先河:以全闪存解决方案满足各种存储需求

小广播
最新嵌入式文章
何立民专栏 单片机及嵌入式宝典

北京航空航天大学教授,20余年来致力于单片机与嵌入式系统推广工作。

换一换 更多 相关热搜器件

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved