RF MICRO DEVICES® 扩展其无与伦比的氮化镓系列功率晶体管

日前，设计与制造高性能射频系统与解决方案的全球领先者RF Micro Devices(RFMD)宣布推出专有微机电系统(MEMS)——面向 RF及其他应用的技术。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。RFMD是开发面向低成本整合RF应用的MEMS技术的先驱者，公司自2004年起便已开始积极进行MEMS技术的商业化。RFMD期望其专有的MEMS技术将在RF及其他应用中实现突破性的性能及空前水平的功能整合。 RFMD推出的第一批RF MEMS器件将是面向3G多模手机的RF MEMS发送接收开关及RF MEMS模式开关。通过极大减小产品占位面积并提高效率，从而延长手机通话时间，

恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（Nasdaq: NXPI）日前宣布推出MRF1K50H射频晶体管，与采用任何技术或在任何频率下的产品相比，都具有最强大的性能。MRF1K50H可在50V电压下提供1.50 kW CW功率，能够减少高功率射频放大器中的晶体管数量，从而减小放大器尺寸并降低物料成本。MRF1K50H可在最高500 MHz频率下工作，适用于广泛的应用，从激光和等离子体源到粒子加速器、工业焊接机、无线电和VHF TV广播发射机、业余无线电线性放大器。 与所有耐用型LDMOS晶体管相同，MRF1K50H也能在VSWR为65:1的条件下正常工作，但与前一代产品1.25-kW MRFE6VP

　　功率半导体业领先厂商意法半导体推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管，导通电阻仅为2毫欧（最大值），新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。 　　采用意法半导体最新的 STripFET™ VI DeepGATE™制造工艺，单元密度提高，以有效芯片尺寸对比，新产品实现业内最佳的导通电阻RDS(ON)，比上一代产品改进大约20个百分点，开关稳压器和直流--直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本身既有的低栅电荷量特性，这项优点让设计人员可以使用高开关频率，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。 　　意法半导体新30V表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括SO-8、DPAK

随着油电混合车和电动车技术的演进，逆变器驱动技术已经进入汽车领域，从空调机和加热系统等低功率应用，一直到驱动和再生制动系统等高功率应用，所有这些系统的共通点是需要通过保护逆变器设计中的功率开关晶体管来最大限度地提高工作寿命。 汽车系统中的逆变器为电动机控制电源的关键部件，它可以把相对较低的直流电池电压转换成为交流高电压，其中使用功率开关来调节能量的递送，请参考图1。通过微控制器送出开关信号，并利用隔离门驱动器作为低电压微控制器和高电压功率开关间的接口。 许多新形态的功率开关，如碳化硅，都被评估是否可以使用于汽车逆变器中，但目前最具竞争力的还是IGBT。长久以来，这些功率晶体管已经被广泛应用于高电压和高功率的处理上，但在发展过程中

0 引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大，集电区体电阻上的电压降会增大，从而使饱和压降增大到不允许的程度。而减小NC又会使空间电荷限制效应发生，从而造成大电流β的急剧下降。为解决上述矛盾，设计时一般采用外延结构。 事实上，TIP41C低频大功率平面晶体管在设计上应采用深扩散、厚基区、大面积宽电极等结构，管芯的纵向尺寸应比较厚，横向尺寸应比较宽。控制管芯面积在2×2 mm2左右时，可采用覆盖式结构设计光刻版图，这样就能尽可能增加发射区周长，满足电流要求，也能使电流分布更均匀。为

0 引言 TIP41C是一种中压低频大功率线性开关晶体管。该器件设计的重点是它的极限参数。设计反压较高的大功率晶体管时，首先是如何提高晶体管的反压，降低集电区杂质浓度NC。但由于电阻率ρC的增大，集电区体电阻上的电压降会增大，从而使饱和压降增大到不允许的程度。而减小NC又会使空间电荷限制效应发生，从而造成大电流β的急剧下降。为解决上述矛盾，设计时一般采用外延结构。 事实上，TIP41C低频大功率平面晶体管在设计上应采用深扩散、厚基区、大面积宽电极等结构，管芯的纵向尺寸应比较厚，横向尺寸应比较宽。控制管芯面积在2×2 mm2左右时，可采用覆盖式结构设计光刻版图，这样就能尽可能增加发射区周长，满足电流要求，也能使电流分布更均匀。为

　　据外媒报道，恩智浦半导体NV已经推出Gen9+LDMOS射频功率晶体管，适用于无线/蜂窝基站，相比Doherty系列提升5%的效率。 　　Gen9晶体管为Doherty功率放大器(对称和非对称)而设计，可在现有的封装选项下提供基准功率密度。Gen9在频率范围3.4-3.8GHz频段进行了优化操作，这些频段资源被批准释放后，明年这些有优化操作将被运营商使用。 　　随着4G移动数据业务在全球的迅速推广，Gen9产品系列是专门针对紧凑，高效，高性能LTE基站而推出，延续前几代LDMOS的良好品质和技术基因，Gen9将以业界领先的成本优势，提供更高的效率和出色的线性功能。 　　众所周知，恩智浦的LDMOS射频功率晶体管的面世的初