以GaN打造的功率放大器为5G铺路-电子工程世界

    德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体...

    下一代行动无线网路——5G，将为需要极低延迟的间和/或高达10Gbps资料传输速率的创新应用提供平台。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日开发出实现5G网路不可或缺的一种建构模组：以氮化镓(GaN)技术制造的高功率放大器电晶体。

    Fraunhofer的研究人员Rüdiger Quay表示，晶片上的特殊结构可让基地台设计人员以极高的电压(较一般更高的传送功率)执行该元件。在其Flex5Gware计划中，Fraunhofer IAF已经开始在6GHz频率展开元件的原型测试了。

    在这一类的应用中，能量需求取决于传输频宽。Quay解释，所传送的每1位元都需要稳定且一致的能量。由于5G可实现较现有商用行动无线基础架构更高200倍的频宽，因而有必要大幅提高用于传统5G高频宽讯号的半导体元件能效。

    除了创新的半导体，研究人员们还使用高度定向天线等措施来提高能量效率。

    在金属加工制程中产生的副产品——镓(Gallium)十分普及。包含GaN的白光与蓝光LED也有助于提高GaN的产量，使得GaN成为当今一种更可负担的元件。其结果是，Fraunhofer IAS指出，相较于矽(Si)元件，GaN元件由于在整个产品寿命周期已超过其更高的制造成本，因而实现更节能的元件。

    编译：Susan Hong

    (参考原文：GaN power amplifier addresses 5G technology，by Christoph Hammerschmidt)

关键字：GaN 引用地址：以GaN打造的功率放大器为5G铺路

上一篇：Silicon Labs欢庆成立20周年
下一篇：瞄准智慧城市基础建设　恩智浦推第三代RF方案

推荐阅读最新更新时间：2024-05-07 17:16

宏光半导体公布2022年全年业绩产品研发领域实现突破性进展

宏光半导体公布2022年全年业绩产品研发领域实现突破性进展持续加大力度完善第三代半导体GaN产业链香港, 2023年4月3日 - (亚太商讯) - 宏光半导体有限公司（「宏光半导体」，连同其附属公司统称「集团」；）宣布其截至2022年12月31日止年度（「年内」）之经审核全年业绩。年内，宏光半导体积极发展第三代半导体新业务，进一步加快氮化镓（「GaN」）的技术研发和应用步伐，并实现多个重要里程碑。本年度，由于第三代半导体业务仍处于投放及研发阶段，集团的收益贡献主要来自LED灯珠业务。 2019冠状病毒病（「新冠肺炎」或「疫情」）持续反复对中国经济造成严重负面影响；因各地实施封城措施导致工厂临时关闭，使集团

[半导体设计/制造]

美国实验室研发出GaN CMOS场效应晶体管

由美国波音公司和通用汽车公司拥有的研发实验室-HRL实验室已经宣布其实现互补金属氧化物半导体（CMOS）FET技术的首次展示。该研究结果发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。在此过程中，该实验室已经确定半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。这一突破为氮化镓成为目前以硅为原材料的电源转换电路的备选技术铺平了道路。氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用中有出色的表现，但该潜力还未用于集成功率转换。除非快速切换GaN功率晶体管在电源电路中故意放缓，否则芯片到芯片的寄生电感导致电压不稳定。 HRL资深研究工程师、首席研究员楚榕明称。楚和他在HRL微电子实验室的同事们克服了这一限制，开发出G

[半导体设计/制造]

Nexperia联手Ricardo共同开发基于GaN的EV逆变器设计

分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家 Nexperia 宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作，以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件，因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域，这意味着车辆行驶里程更长，而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在，GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC，成为插电式混合动力汽车或纯电动汽车中使用的牵引逆变器的首选技术。 Nexperia去年推出了一系列已获AEC-Q101认证的GaN FET器件，在这一高效技术领域为汽车设计师们提供成熟可靠的

[汽车电子]

我国实现晶圆级Si-GaN单片异质集成共源共栅晶体

近日，西安电子科技大学微电子学院关于硅与氮化镓异质集成芯片论文在国际半导体器件权威期刊IEEE Transactions on Electron Devices上发表。图片来源：西安电子科技大学新闻网据悉，郝跃院士团队提出了一种转印和自对准刻蚀方法，并首次实现了晶圆级的Si-GaN单片异质集成的共源共栅晶体管。这项技术和方法有望实现多种材料的大规模异质集成并基于此制造功能多样化的器件和电路，避免了昂贵且复杂的材料异质共生技术或晶圆键合工艺。通过转印和自对准刻蚀的新技术，使得硅器件与氮化镓器件的互连距离缩短至100μm以下，仅为传统键合线长度的5%。据估算，新型的共

[半导体设计/制造]

我国实现晶圆级Si-<font color='red'>GaN</font>单片异质集成共源共栅晶体

PI CEO：已大量投入汽车电子研发，预计2023年起飞

日前，Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan在季报电话会议上宣布了公司正式进入GaN行业。 Balu说道：“基于GaN的InnoSwitch器件具有卓越的高效率，实现了硅开关无法达到的功率密度水平。虽然我们最初关注这些新产品是针对移动设备的高功率充电器，但GaN在PI未来几年的路线图中将扮演重要角色，我们计划推出一系列新产品，将GaN的卓越性能特性带入更广泛的应用。” 不过在谈及PI的GaN技术是否会进入汽车市场时，Balu表示GaN和汽车没有直接关系，但是汽车将成为PI长期稳定的应用市场。“目前我们正在针对汽车市场进行大量投资，已经进入了多个领域，且与动力传动系或动力转换有关。例如主电

[汽车电子]

科锐推出多款碳化硅基氮化镓器件，助力大型雷达加速发展

Wolfspeed CMPA901A020S、Wolfspeed CMPA9396025S、Wolfspeed CMPA801B030 系列均为GaN MMIC器件，具备小型化、高效率等优势。 2021年4月19日，美国北卡罗莱纳州达勒姆讯 –– 全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, 宣布，推出多款碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）器件：Wolfspeed CMPA901A020S、CMPA9396025S、CMPA801B030 系列。本次推出的器件采用MMIC技术，具备研发部署大型雷达系统所需的小型化、高效率、高可靠性、以及优异的功率密度等特点，可有效应对大型雷达所面临的挑战。 X-波段（8 GHz 到 12 GH

[电源管理]

中国正在推动GaN RF专利的申请

Knowmade表示，最近两年是RF GaN专利的转折点在电信和军事应用的推动下，RF GaN市场正在经历令人瞩目的增长。市场研究公司Yole预测GaN RF市场将从2019年的7.4亿美元增长到2025年的20多亿美元，复合年增长率为12％。随着市场的增长，RF GaN专利也发生了变化：活动现在集中在中国。在最新的RF GaN专利格局报告中，涵盖了从外延结构到RF半导体器件、电路、封装、模块和系统的所有内容，Yole姐妹公司Knowmade分析了6300多项专利，代表了500多个不同机构申请的3000多个专利族（发明）。Knowmade首席执行官兼联合创始人Nicolas Baron表示：“与2019年相比，2020

[网络通信]

中国正在推动<font color='red'>GaN</font> RF专利的申请

GaN Systems IMS评估平台在贸泽开售助力高效电源系统开发

专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供货GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB绝缘金属基板 (IMS) 评估平台。IMS评估平台价格亲民，对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言，能够改善热传导性能、提高功率密度并降低系统成本。贸泽电子备货的这款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS评估平台包含一个GSP65MB-EVB 主板和两个IMS 评估模块。每个IMS评估模块均搭载了GS66516B增强模式高电子迁移率晶体管 (E-HEMT)——底部散热的高功率

[半导体设计/制造]

热门资源推荐
热门放大器推荐

小广播

热门活动

换一批

■PI 电源小课堂|无 DC-DC 变换实现多路高精度输出反激电源

■有奖直播报名:大联大世平集团&恩智浦 | AI 无所不在，单板电脑也可以

■2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站，火热报名中

■Follow me第二季第4期来啦！与得捷一起解锁蓝牙/Wi-Fi板【Arduino Nano RP2040 Connect】超能力！