宏光半导体公布2022年全年业绩 产品研发领域实现突破性进展

发布者:EE小广播最新更新时间:2023-04-03 来源: EEWORLD关键字:GaN 手机看文章 扫描二维码
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宏光半导体公布2022年全年业绩

产品研发领域实现突破性进展


持续加大力度完善第三代半导体GaN产业链


香港, 2023年4月3日 - (亚太商讯) - 宏光半导体有限公司(「宏光半导体」,连同其附属公司统称「集团」;)宣布其截至2022年12月31日止年度(「年内」)之经审核全年业绩。年内,宏光半导体积极发展第三代半导体新业务,进一步加快氮化镓(「GaN」)的技术研发和应用步伐,并实现多个重要里程碑。


本年度,由于第三代半导体业务仍处于投放及研发阶段,集团的收益贡献主要来自LED灯珠业务。2019冠状病毒病(「新冠肺炎」或「疫情」)持续反复对中国经济造成严重负面影响;因各地实施封城措施导致工厂临时关闭,使集团LED灯珠业务产业链有部分时间受停顿,产能受到波及,年内收益约为人民币87.5百万元(2021年:约人民币126.1百万元);毛利亦因而降至人民币16.4百万元(2021年:约人民币25.5百万元)。由于集团并无录得收购无形资产所得亏损等非现金流项目,纵然用于推展及研发第三代半导体业务之开支有所增加,公司拥有人应占之年内亏损大幅收窄至人民币约101.3百万元(2021年:约人民币446.8百万元)。


集团管理层表示,年内全球经济复苏受多重下行风险拖累,世界经济呈现动荡态势。纵然如此,全球对半导体的需求量依然巨大。面对国际大环境挑战,集团于年内积极发展GaN新业务,朝着成为以半导体设计与制造为核心,集研发、制造、包装、封测及销售为一体的全产业链半导体整合设备生产模式(「IDM」)企业之目标迈进。


业务回顾


年内,LED灯珠的收益约为人民币87.2百万元(2021年:约人民币126.1百万元)。收益下降主要由于新冠肺炎疫情反复爆发及出现变异毒株严重损害中国经济,令中国对高端LED产品的需求大幅减少,导致年内LED灯珠平均售价下降。


然而,凭借集团的科学家团队的雄厚科研实力以及在研发和生产方面投入的辛勤努力,集团的第三代半导体GaN业务中之外延片及快充产品已于年内开始为集团录得收入贡献。


GaN外延片研发及生产实现突破性进展 全力开拓第三代半导体产业链


年内,集团在GaN第三代半导体方面的研发、制造及落地得以实现,并快速切入外延片生产。集团已在其位于中国江苏省徐州经济技术开发区的半导体工厂内安装两条用作生产包括GaN相关产品的生产线,同时从欧洲和日本引入的核心机器已运抵厂房,并已准备就绪制造迎合市场需要的芯片。凭借本集团科学家团队的努力以及雄厚的研发实力,集团亦于年内实现重大突破,成功于10月开始生产自家6英吋GaN功率器件外延片,远早于预期时间表成功制造外延片,此乃集团迈向第三代半导体GaN供货商转型的重要成果,为量产GaN芯片铺路。


此外,集团于本年度获得九个实用新型及外观专利,包括氮化镓基逆变器及电源组件等,另有多个发明专利正在受理审批中。集团之全资附属公司徐州金沙江半导体有限公司亦于年内与GaN Systems于互联网数据中心电力基础设施进行首次公开GaN之行业实地试验,测试 结果标志着GaN在数据中心的电源基础设施中可广泛使用。


达成多方战略合作为GaN业务注入源源动力


集团于年内策略性与多家行业领先企业订立战略框架协议,建立互利共赢的战略合作关系,提升其自身的创新及生产制造能力,其中包括于3月与硬蛋创新签订战略合作协议,协助集团于中国境内出售其所生产的芯片,以及双方在芯片应用及发展方面开展长期的战略合作;于5月与中国泰坦能源技术集团有限公司(股份代号:2188.HK)就技术研发及交流达成战略合作协议,于未来三年合作研发采用集团的第三代半导体技术的新一代快速充电桩。海外方面,集团与GUH Holdings Berhad(「GUH」; 股份代号:3247.KL)订立无法律约束力谅解备忘录,将快充电池及GaN器件产品销售扩展至马来西亚及东南亚,同时会为GUH提供电池工厂之建设计划及采购相关设备,以及提供100兆瓦时储能站之全套模块设备。此外,集团于年内继续与香港法定机构合作,共同研究推进香港于「智慧城市」方面的发展,并升级香港的电动车及充电设施。


引入主要战略股东 加快进军新能源领域之步伐


GaN作为新兴高新科技,其广阔的前景得到投资者青睐。集团于年内成功引入多个战略股东,为开发关键技术募集更多资金,同时进一步扩大股东基础。当中,集团于8月与协鑫科技控股有限公司(「协鑫科技」;股份代号:3800.HK)创办人、主席兼执行董事朱共山先生(「朱先生」)之间接全资拥有的常盛有限公司(「战略投资者」)订立投资协议,战略投资者同意认购6,000万股认购股份及6,000万份认股权证,随后更与协鑫集团有限公司(「协鑫集团」)订立战略合作框架协议,于GaN功率芯片在新能源领域的应用开展长期战略合作,将协助宏光半导体进军新能源产业供应链市场。


展望


随着5G及人工智能等技术崛起,以GaN等为代表的第三代半导体研发及应用也被纳进国家战略规划中。集团将继续加大力度完善第三代半导体GaN产业链,务求加快步伐研发及拓展GaN相关产品的应用,配合徐州厂房升级、生产线及机器相继就绪,集团之科研团队及专家将继续聚焦生产研究,冀能加快实现产能落地。


鉴于电动汽车在内地及香港的渗透率提升,加上在政策支持与需求推动下,GaN功率产品领域可望快速发展。集团将继续于中港两地开发及商业化新一代充电桩,积极于香港探索及建立快速充电电池解决方案据点。此外,集团预计GaN技术在未来的大能源系统中将起核心作用,将与协鑫集团在中国境内成立新能源合营公司,并向合营公司提供技术支持,共同开发基于硅基功率芯片及第三代半导体之应用产品,使集团有望进一步加快GaN在新能源领域的技术研发和应用步伐。


展望未来,集团将积极寻求战略合作伙伴,秉持资源互补、合作共赢的原则,实现集团产业链升级。同时,集团亦会继续引入更多半导体领域的优秀专家人才以加强生产研发,务求实现集团产品应用和技术的叠代升级。在政府的利好政策驱动、广泛的下游应用市场和国产替代机遇三重因素的鼓舞下,集团将顺势谋变,进一步探索与发展以GaN重心的第三代半导体产品及应用,增质提效,为股东创造最大价值。


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