存储器市场爆发,DRAM市场前景看好。2017年全球存储器市场增长率达到60%,首次超越逻辑电路,成为半导体第一大产品。DRAM继续保持半导体存储器领域市占率第一。DRAM厂商中,三星、SK海力士和美光均采用IDM模式继续保持垄断地位,合计市占率超过95%,国产厂商开始积极布局,2018年将实现量产,有望逐步改变当前产业格局。DRAM消费产品中,移动终端、服务器和PC依旧占据头三名,合计占比86%,未来将继续拉动DRAM消费增长。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。
三星领先优势明显,传统技术难以替代。三星于2017年开始量产第二代10nm级8Gb DDR4 DRAM,并持续扩大整体10nm级DRAM的产能,继续维持与其他DRAM大厂1-2年以上的技术差距。新型存储器由于存在CMOS兼容问题和器件级变化性,且DRAM 的性价比高,技术成熟且具有规模优势,预计未来5-10年内难以被替代。同时,由于DRAM的平面微缩接近极限并向垂直方向扩展,18/16nm之后,薄膜厚度无法继续缩减,且不适合采用高介电常数材料和电极,继续在二维方向缩减尺寸已不再具备成本和性能方面的优势,3D DRAM在宽松尺寸下能够实现高密度容量,且寄生阻容减少,延时串扰低,未来可能成为DRAM的演进方向。
受益于需求增长拉动,DRAM保持量价齐增态势。随着5G商用逼近以及云计算、IDC业务的拉动,移动终端、服务器和PC侧的消费需求增长明显。各大厂商扩产热情不减,包括三星在韩国平泽的P1厂房和Line 15生产线,SK海力士的M14生产线,以及美光在广岛的Fab 15和Fab 16的扩产计划,但由于光刻技术接近瓶颈,良率问题日益突出以及新技术的出现,各厂商工艺进程都有所推迟,预计2018年全球DRAM产能增加10%,2018年DRAM依旧保持量价齐增态势。
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风险提示:行业竞争加剧,需求增长不达预期。
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关键字:DRAM 三星
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DRAM行业深度报告:期待国产产能释放改变全球供给格局
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