明年资本支出 台积将首超三星、英特尔

发布者:DazzlingSmile最新更新时间:2014-11-20 来源: 经济日报 关键字:台积  资本 手机看文章 扫描二维码
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  先进制程成为半导体巨擘兵家必争之地,台积电(2330)日前于法说会上初透口风,表示明年资本支将约略高于100亿美元,主要将用于16奈米制程的产能布建及10奈米的准备工作。工研院产业经济与趋势研究中心(IEK)则估,台积电明年资本支出可望达到115亿美元,超越英特尔、三星。
IEK分析,今年全球半导体厂商的资本支出估达643.6亿美元、年增8.4%,其中三星、英特尔、台积三强均超过百亿美元。如此庞大的资本支出,即是由于在扩大产能之余,先进制程的研发投资成本亦跟着水涨船高。举例来说,一条20奈米产线的投资金额就高达70亿美元。

IEK进一步指出,半导体厂商资本支出呈现大者恒大趋势,2013年前十大半导体厂商的资本支出占全球半导体产业总资本支出达8成、前三大厂商资本支出占全球比重更达到5成。若检视今年资本支出状况,可发现除三星下滑外,其他主要半导体厂商均较去年成长。IEK预估,受中国大陆政府大力支持的晶圆代工厂中芯(SMIC),今年资本支出更年增140%、来到15.65亿美元,这个数字已超越联电(2303)今年资本支出的12亿美元。

展望明年,IEK认为,台积资本支出可望首度超越三星、英特尔,前提是三星预订豪掷150亿美元兴建的平泽晶片厂,明年尚未开始动工。
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