联电14纳米 明年试产

    联电（2303）14奈米先进制程生态系统成军，安谋（ARM）及新思（Synopsys）均助阵，加入联电14奈米鳍式场效电晶体（FinFET）合作夥伴。联电表示，14奈米已有128Mb SRAM产品良率产生，预定今年底接受客户设计定案（tape out），明年底试产。

联电虽在先进制程落后台积电，但推进到14奈米制程，包括相关矽智财等生态体系逐步成形，联电昨天与安谋和新思同步宣布共同拓展成为14奈米FinFET的合作夥伴。

联电宣布，以安谋Cortex-A系列处理器为核心架构的核心测试晶片（PQV）已透过联电的14奈米完成设计定案，代表安谋Cortex-A 系列处理器核心通过联电高阶制程验证。

联电表示，与安谋在14奈米的合作案，是延续自双方成功将安谋Artisan实体IP整合至联电28奈米高介电金属闸极（HKMG）制程。

联电强调完成14奈米FinFET制程技术验证，是联电启动其他IP 生态系统的第一步，包括基础IP矽智财（foundation IP）和安谋处理器实体设计。

联电也表示，第二个14奈米PQV测试晶片将纳入新思DesignWare嵌入式记忆体IP，与DesignWare STAR记忆体系统测试与修复解决方案。

透过新思的合作，可让联电微调14奈米FinFET制程，实现最佳化的功耗，效能与位面积表现，展现联电加速推动14 FinFET的决心。