武汉新芯：除了研发略延迟，企业基本保持计划进度

4月28日央视《新闻联播》报道，在武汉新芯集成电路制造有限公司，习近平听取了国家存储器基地项目情况介绍，并到生产车间察看国内领先的集成电路生产线。以该公司为平台组建的长江存储科技有限责任公司是国家存储器基地项目的实施主体，承担着我国存储器跨越式发展、赶超世界一流的重要使命。 在生产车间，总书记仔细察看集成电路生产线，听取有关芯片全流程智能化制造和加快国产化进程情况介绍。他强调，装备制造业的芯片，相当于人的心脏。心脏不强，体量再大也不算强。要加快在芯片技术上实现重大突破，勇攀世界半导体存储科技高峰。“两个一百年”奋斗目标不是敲锣打鼓、轻轻松松就能实现的。机遇前所未有，挑战前所未有。每个人都要增强责任感、使命感，在各自岗位上

近日，武汉新芯集成电路制造有限公司（简称“武汉新芯”）——一家领先的集成电路研发与制造企业，与西安紫光国芯半导体有限公司（简称“西安紫光国芯”）开展专业领域纵深合作，其自主开发的3DLink™技术赋能西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM) 平台，加速行业技术创新实现重大突破：异质集成嵌入式DRAM (SeDRAM)技术达到目前世界领先水平，相关技术论文已被IEDM 2020、CICC 2021成功录取，在IMW 2021也做了专题报告。武汉新芯基于全新的三维集成技术平台(3DLink™)，实现了多款可定制化开发的工艺解决方案进入量产。 西安紫光国芯通过代工合作的方式使用武汉新芯晶圆堆叠技术3DLink™设计SeDRA

    由华美半导体协会（CASPA）联合中国科技公司武汉新芯举办的华美半导体协会特别论坛，昨日在圣他克拉万豪酒店举行。武汉新芯执行总裁杨士宁代表武汉新芯参与活动，他表示，武汉新芯发展势头良好，现正计划扩大公司规模，计划在几个月内在矽谷建立办事处，增加与矽谷企业的联系。 武汉新芯在上个月28日举行新厂动土仪式，新厂区主要建设闪存芯片，拟投资金额达到240亿美元，投资规模非常大手笔。该厂的目标是生产NAND Flash产品，乃至3D NAND Flash产品，产能目标30万片。 杨士宁说，来美国主要希望与国外同类企业建立联系，矽谷的信息产业全世界最强，所以来矽谷考察非常重要，此次公司会借参与年会的机会与美国企业互通有无。