推荐阅读最新更新时间:2024-11-23 07:30
看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
你如果问当前内存市场是谁的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制着内存市场,当前都处于供不应求的状态。不过,在内存天下三分的大背景下,新一代 存储技术 3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音, RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。到目前为止,RRAM的发展进程已经超越了英特尔的3D X-point技术, Crossbar公司市场和业务拓展副总裁Sylvain Dubois在2017中芯国际技术研讨会上接受与非网的采访时说:“Crossbar已经有产品在中芯国际的40nm工艺制程平台试产”。 立足现在 着眼未来 每一个技术的更新换代都不是一朝一夕的事情,需要经历
[嵌入式]
IC Insights:NAND与DRAM朝3D发展
随着 DRAM 和 NAND 技术持续迈向更先进几何制程与多层次记忆体的道路,IC Insights密切观察有关 DRAM 和 NAND 供应商的最新动态,期望能提供更清楚的 DRAM / NAND发展蓝图。 在2014年中期,制造 NAND 快闪记忆体元件的最先进制程技术采用的是20nm以及更小的特征尺寸,而 DRAM 采用的制造技术还不到30nm。根据图1所示的制程技术蓝图显示,在2017年以前,最小特征尺寸为2D (平面)的NAND flash将会过渡到10-12nm,而 DRAM 则将迁移至20nm或更小的 DRAM 。 不过,IC Insights坦承,这样的发展态势还无加以定论,因为制造制程节点的定义并
[嵌入式]
tiny4412 裸机程序 七、重定位代码到DRAM
一、关于DRAM 上一章我们讲解了如何对代码进行重定位,但是将代码重定位到只有256K IRAM中作用不大。 正确的做法是将代码重定位到容量更大的主存中,即DRAM。Exynos4412中有两个独立的DRAM控制器,分别叫DMC0和DMC1。DMC0和DMC1分别支持最大1.5G的DRAM,它们都支持DDR2/DDR3和LPDDR2等,512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb and 8 Gbit的内存设备,支持16/32bit的位宽。DRAM0 对应的地址是0x4000_0000~0xAFFF_FFF共1.5GB,DRAM1 对应的地址是0xA000_000~0x0000_0000共1.5GB。 图7-1、DRAM
[单片机]
DRAM技术再一次实现突破,DDR6火速杀到:速度飞天
可能不少PC用户连DDR4内存都还没配置上吧? 据外媒消息,第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发, 预期速率12Gb/s ,也就是 DDR6-12000 。 接受采访时,SK海力士研发Fellow Kim Dong-kyun前瞻,DDR6将在5~6年内发展起来。 Kim Dong-kyun透露,“后DDR5”产品已经有几套技术概念成型,其中一套延续现有的数据传输规范,另一套则是将DRAM和CPU等片上系统的处理技术结合。 资料显示,去年11月,SK海力士宣布基于1Ynm工艺、开发出单颗容量16Gb(2GB)的DDR5 DRAM内存颗粒,工作频率高达5200MHz,电
[嵌入式]
PC出货高峰将至 业界称内存上涨将延续到10月
据台湾媒体引述内存市场机构报道说,最近的DRAM内存价格上涨趋势将一直延续到10月份。 据台湾媒体引述内存市场机构DRAMeXchange的观点说,最近,DRAM内存出现了一段时间的上涨,而DRAM内存的厂商和买家已经达成了一种共识,即内存合同价格的上涨可能延续到九月下旬甚至更远。这家机构表示,未来几周,内存价格的涨幅大约在3%到5%之间,其中512M DDR2-667的价格将会突破45美元。 DRAMeXchange预测说,十月份,DRAM内存价格仍将保持强劲。因为业界预计十月份和十一月份的电脑出货量将会比一年中的其他时间都高出不少,因此,电脑行业对于DRAM内存的需求仍然十分旺盛。 这家市场机构还表示,因为现在每台电脑中所
[焦点新闻]
DRAM厂受影响 存储器震出高价
全球最大存储器厂三星电子因为优先供货给自家行动装置及Ultrabook,6月起将全面减少DRAM及NAND供货,加上中台湾昨日发生地震,包括瑞晶、华邦电、南科、华亚科等DRAM厂均受影响,2Gb DDR3现货价飙上1.81美元新高价。包括威刚董事长陈立白在内的业界人士均认为,存储器旺季行情已提前在6月引爆。 三星6月起大幅减少对台湾及大陆的存储器供货,主要是要优先供给自家产品使用,但已经导致宏达电、宏碁、华硕等业者的零组件备货不足,至于联发科的手机芯片出货都受到影响。 三星新机皇Galaxy S4推出一个月卖出逾千万支,6月又进入大尺寸智能手机Galaxy Note 3的出货旺季,由于新机种内建32GB以上eMMC,及2
[手机便携]
DRAM价反弹 存储器模组封测受惠
DRAM价格可望反弹,记忆体模组厂威刚、创见和后段记忆体封测厂力成、华东和华泰等可望受惠。 不过,美光扩大与力成DRAM后段封装合作,也牵动DRAM后段封测版块,随美光持续将订单集中给力成,原合作客户南茂面临砍单压力。 今年记忆体市况快速转变,DRAM市场因供过于求,价格直直落,原本获利良好的华亚科,上季毛利率由55%高峰跌落到37%,获利减幅37%;南亚科虽有利基型DRAM支撑,毛利率也自47%降到42%,获利减幅也有32%。 台厂DRAM双雄原预估第3季获利还会下滑,不过因三星改变供货策略,可望扭转获利衰退颓势。 今年记忆体模组厂创见和威刚也同样因DRAM下滑,将重心转
[半导体设计/制造]
美光新加坡厂明年投产,NAND Flash卡位战再起
美系存储器大厂美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大跃进,已挤下海力士(Hynix)坐稳全球三哥宝座,在扩产速度上,美光在2011年也不会缺席,与英特尔(Intel)合资的新加坡厂也将在2011年第2季开始投产,对于三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)2011年也有扩产计画,美光表示不担心供过于求,在产能增加的同时,平板计算机等应用也大幅崛起,预计2011年NAND Flash市场供需可维持健康的状态。 美光近来年陆续在34奈米和25奈米技术世代上,都接连领先三星和东芝,在全球NAND Flash技术地位上大幅提升,加上与英特尔合资建厂,也使得全球NAND F
[半导体设计/制造]