通过MEMS来改变面发光激光器的波长-电子工程世界

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　　据日经BP社报道，日本横河电机开发出可通过MEMS结构来改变面发光激光器（VCSEL）的波长的技术，并在日前举行的“微机械/MEMS展”上进行了展示。展出元件中，通过金凸块接合技术层叠了基于磷化铟(InP)的VCSEL芯片、以及集成有用于改变波长的MEMS部件的硅芯片。

　　此次的元件在硅芯片上形成了带有凹面镜的多层反射膜，在该反射膜与VCSEL芯片发光部之间设置了间隙。波长由这一间隙的距离决定。由于间隙能够随着配备有多层反射膜的静电致动器发生微小变化，因此可利用这一点来控制波长。应用于光纤通信领域，输出普通的波长为1.55微米波段的激光时，能够在50nm的范围内改变其波长。该技术在实际应用时，在采用波长复用技术的光通信系统中，能够灵活地避开其它元件正在使用的波长，从而能够使通信容量得到实质性的扩大。

关键字：波长首页反射膜 VCSEL MEMS 元件硅芯片激光器 InP 产业编辑：孙树宾引用地址：通过MEMS来改变面发光激光器的波长

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