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电动汽车 （EV） 市场的快速增长（预计未来十年的复合年增长率将高达 25%1）是由环境问题和政府支持推动的，并由满足高效率和功率密度要求的碳化硅 （SiC） 器件技术实现。 车载充电器（OBC）是现代电动汽车中的关键电力电子系统之一，包括AC-DC和DC-DC功率级。在当今的主流车型中，6.6 kW 单向 OBC 在配备 400 V 电池系统的电动汽车中很受欢迎。然而，双...

一 背景 语义分割（Semantic Segmentation）是计算机视觉中的一项基本任务。与单张图像分类任务相比，语义分割相当于是像素级别上的分类任务。语义分割为许多下游应用特别是近几年来的智能驾驶技术的落地提供了可能。 本文将简单介绍SegFormer的基本原理，同时指导如何导出ONNX模型，并将其部署在优秀的端侧AI芯片AX650N上，希望能给行业内对边缘侧/端侧部署T...

封装配置使整流二极管符合更高的爬电距离和电气间隙标准 奈梅亨，2024 年 7 月 10 日： Nexperia今天推出了采用D2 PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管，可用于各种工业和消费应用，包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式电源 (SMPS)。 这些整流二极管结合了平面芯片技术和最先进的结高压终端 (JT...

车载充电机可实现交流输入（85VAC~265VAC）/直流输出（200VDC-750VDC）输出的功能，其电路的核心架构通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。 其中PFC部分将工频交流电升压转化为高压直流电输出给DC/DC部分做输入，如果PFC设计的损耗过大、采用的元器件过多，就无法实现高效率、小体积设计。 通常传统的SiC器件由于其反向恢复和开关频率...

【2024年6月13日，德国慕尼黑讯】 在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变 。英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全...

符合汽车标准的肖特基二极管现采用R2P DPAK封装 奈梅亨，2024年6月13日： Nexperia今天宣布，其一流的650 V、10 A碳化硅(SiC)肖特基二极管现已符合汽车标准(PSC1065H-Q)，并采用真双引脚(R2P) DPAK (TO-252-2)封装，适用于电动汽车和其他汽车中的多种应用 。此外，为了进一步扩展其SiC二极管产品组合，Nexperi...

SP9683E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，集成 650V GaN 功率器件，适合设计在离线式USB-PD和USB Type-C等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于75mW。 芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在PD/PPS调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的LPS要求。 VDD工作范围9V~54V，在满载输出时，IC在谷底锁定模式下...

【2023 年 11 月 27 日，德国慕尼黑讯】向电动汽车的加速转型推动汽车充电系统取得了重要的创新成果，这愈发需要更具成本效益的高性能功率电子器件 。为此，英飞凌科技股份公司推出QDPAK封装，进一步扩展其650 V CoolMOS™ CFD7A产品阵容。与行业熟知的TO247 THD器件相比，采用QDPAK封装的产品系列具有同等的散热能力，但电气性能更高，能够在车载充电器...

双方就SiC模块的合作进一步提升了模块紧凑度和功率密度 奈梅亨， 2023 年 1 1 月 6 日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布与国际著名的先进电子器件供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系， 共同生产新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模块， 适用于3 kW至11...

【2023年10月10日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容 。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损...

9月14日，日本软银集团旗下的英国芯片设计公司 Arm Holdings 正式在美国纳斯达克挂牌上市，发行股票代码为“ARM”，定价为51美元/ADS（美国存托股份），股价开盘后上涨10%至56.10美元/ADS。截至首日收盘，Arm股价上涨24.69%，报63.59美元。若以收盘价计算，Arm上市首日市值为652.48亿美元，若包括限制性股票单位在内，Arm完全摊薄后的估值接...

第四代器件，提高额定功率和功率密度，降低导通和开关损耗，从而提升能效 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年9月4日 — 日前， 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度 。Vishay Siliconix...

ROHM 开发了内置 650V GaN HEMT 和栅极驱动器的功率级 IC - BM3G0xxMUV-LB 系列。 这些器件非常适合工业和消费应用（例如数据服务器和交流适配器）内的主电源。 在过去的几年里，消费者和工业部门越来越需要更多的能源节约，以实现可持续发展的社会。 虽然 GaN HEMT 有望显着促进小型化和提高功率转换效率，但与硅 MOSFET 相比，栅极驱动的...

中国上海，2023年7月13日—— 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出最新一代 用于工业设备的碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBDs）——“TRSxxx65H系列” 。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种新金属...

近来，ChatGPT成为社会各界关注的焦点。 从技术领域看，ChatGPT的爆发是深度学习领域演进、发展和突破的结果，其背后代表着Transformer结构下的大模型技术的飞速进展。 因此，如何在端侧、边缘侧高效部署Transformer也成为用户选择平台的核心考量。 2023年3月，爱芯元智推出了第三代高算力、高能效比的SoC芯片——AX650N，依托其在高性能、高精度、...

器件采用MPS结构设计，额定电流4 A~ 40 A，正向压降、电容电荷和反向漏电流低 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年5月23日 — 日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出17款新型第三代650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。 Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schott...

～非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化～ 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产 ，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。 据悉，电源和电机的用电量占全世界用电量的一大半，为实...

合并PIN肖特基结构可带来更高的稳健性和效率 奈梅亨，2023年4月20日： 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管 ，主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V SiC肖特基二极管满足工业级器件标准，可应对高电压和高电流应用带来的挑战，包括开关模式电源、AC-DC和DC-DC转换器、...

爱芯元智发布第三代智能视觉芯片AX650N，为智慧生活赋能 中国 上海 2023年3月6日—— 人工智能视觉感知芯片研发及基础算力平台公司爱芯元智宣布推出第三代高算力、高能效比的SoC芯片——AX650N。这是继AX620、AX630系列后，爱芯元智推出的又一款高性能智能视觉芯片。 AX650N是一款兼具高算力与高能效比的SoC芯片，集成了八核A55 CPU，43.2T...

Nexperia发布用于汽车和工业应用的650 V超快恢复整流管 不断扩大的CFP功率二极管产品组合再添新产品 奈梅亨，2022年11月22日：基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布，旗下面向工业和汽车领域的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列产品组合再添新产品。 新增产品包括4个采用CFP3和CFP5封装的650 V、1 A器...