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二极管参数

  • 在直流测试中,激光二极管或VCSEL模组的关键技术参数如下: 激光二极管正向压降 拐点测试/线性度测试(dL/dI) 阈值电流 背光探测二极管反向偏置电压 背光探测二极管电流 背光探测二极管暗电流 光输出功率 通过LIV测试扫描,可以完成多数最常见的直流特性测量。这种快速且廉价的直流测试可在测试过程的早期提早确定失效的组件,随后昂贵的非直流域测试系统可以更经济地对...

  • 开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点,还应具有足够大的输出功率,可以采用以下三种类型的整流二极管:快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖特基整流二极管。快速恢复和超快恢复整流二极管具有适中的和较高的正向电压降,其范围是从0.8~1.2V。这两种整流二极管还具有较高的截止电压参数。因此,它们特别适合于在小功率的、输出电压在12V左右的辅助电源电路中使用。...

  • 一、二极管的特性 二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 1、正向特性 另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。...

  • 半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---...

  • 1. 正向平均电流IF(AV)      额定电流——在指定的管壳温度(简称壳温,用TC表示)和散热条件下,其允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值正向平均电流是按照电流的发热效应来定义的,因此使用时应按有效值相等的原则来选取电流定额,并应留有一定的裕量。 当用在频率较高的场合时,开关损耗造成的发热往往不能忽略当采用反向漏电流较大的功率二极管时,其断态损耗造成的发热效应也不...

  • 型号 稳定电压 型号 稳定电压 型号 稳定电压 1N5236 7.5 1N5738 12 1N6002 12 1N5237 8.2 1N5739 13 1N6003 13 1N5238 8.7 1N5740 15 1N6004 15 1N5239 9.1 1N5741 16 1N6005 16 1N5240 10 1N5742 18 1N6006 18 1N5241 11 1N5...

  • ①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。 VWM是TVS最大连续工作的直流或脉冲电压,当这个反向电压加入TVS的两极间时,它处于反向关断状态,流过它的电流应于或等于其最大反向漏电流ID。 ②最击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS最的雪崩电压。25℃时,在这个电压之前,TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流(IR)时,加入TVS两极间的电压为其最击穿电压VBR...

  • 二极管参数中英文对照表 文字符 号 中文 English I F(AV) 正向平均电流(整流管) mean foreard current (of diode) I T(AV) 通态平均电流 mean on-state current V RSM 反向不重复峰值电压 non-reetitive p...

  • 一、激光的产生机理   在讲激光产生机理之前,先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程,   一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为自发辐射;   二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁,称之为受激辐射;   三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。   自发辐射,即使是两个同时从某一高能态向低能态跃迁的粒子,它们发出...

  • 电性能 1二极管(见图二) 2、电性能...

  • 1N系列稳压二极管参数及代换表...

  • 半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容 Cj---结(极间)电容, 表示在二极管两端加规定偏压下,锗检波二极管的总电容 Cjv---偏压结电容 Co---零偏压电容 Cjo---零偏压结电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cs---管壳电容或封装电容 Ct---总电容 CTV---电压温度系数。在测试电流下,稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 CTC---...

  •    一、二极管的特性   二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 图1、二极管的伏安特性曲线    1、正向特性   另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同...

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