飞兆半导体新增60V PowerTrench MOSFET-电子工程世界

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器件能够减小电源占位面积，提高功率密度并提升设计效率

DC-DC电源、马达控制、热插拔和负载开关应用，以及服务器的次级同步整流应用的设计人员，需要使用具有更低传导损耗和开关损耗的MOSFET器件以期提高设计的效率。

为了满足这一需求，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench® MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率。

FDMS86500L是采用行业标准5mm x 6mm Power 56封装的器件，它结合了先进的封装技术和硅技术，显著降低了导通阻抗RDS(ON) (2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A)，实现更低的传导损耗。

此外，FDMS86500L使用屏蔽栅极功率MOSFET技术，提供极低的开关损耗 (Qgd 14.6 nC Typ.)，结合该器件的低传导损耗，可为设计人员提供其所需的更高的功率密度。

FDMS86500L MOSFET器件具有更好的品质因数(RDS(ON) * QG)，提供高效率和低功耗，以期满足效率标准和法规的要求。

FDMS86500L器件的其它特性包括采用下一代增强型体二极管技术以实现软恢复；MSL1稳固封装设计；经过100% UIL测试，并符合RoHS标准。

FDMS86500L是飞兆半导体新型60V MOSFET产品系列中的首款器件，这些新型 60V MOSFET器件的推出，进一步强化公司中等电压MOSFET产品系列。飞兆半导体拥有业界最广泛的 MOSFET产品系列，向设计人员提供多种技术选择，以便为应用挑选合适的MOSFET器件。飞兆半导体充分认识到空间受限的应用场合对电流更高、占位面积更小的DC-DC电源的需求，并且了解客户及其所服务的市场，因而能够提供具有独特功能、工艺和封装创新组合的量身定做解决方案，实现电子设计差异化。

关键字：MOSFET 编辑：冀凯引用地址：飞兆半导体新增60V PowerTrench MOSFET

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