整流电路的结构设计-电子工程世界

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关键字：整流电路结构设计编辑：冰封引用地址：整流电路的结构设计

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1 引言有机电致发光(EL)器件，或称有机发光二极管 (OLED)的一般结构是在一金属阴极和一透明阳极之间夹一层有机电致发光介质。在电极间施加一定的电压后，这层发光介质就会发光。将OLED应用于平板显示而制成显示器被称为有机发光显示器，也叫OLED显示器。与LCD相比，OLED具有主动发光，无视角问题；重量轻，厚度小；高亮度，高发光效率；发光材料丰富，易实现彩色显示；响应速度快，动态画面质量高；使用温度范围广；可实现柔软显示；工艺简单，成本低；抗震能力强等一系列的优点，因此他被专家称为未来的理想显示器。 OLED虽然已有了长足进展并已给平板显示领域带来新的曙光，但是OLED技术仍然处在发展期，其中

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3 单相电压型PWM整流电路工作过程分析#e# 3 单相电压型PWM整流电路工作过程分析可以将电压型单相桥式PWM整流电路的4个桥臂看成4个开关，任一时刻应有两个桥臂导通。为避免输出短路1，2桥臂和3，4桥臂都不允许同时导通。因此PWM整流电路有4种工作模式。图3(c)给出PWM整流电路在整流工况下的控制信号时序分布。从图中可以看出随着调制信号的正、负半周变化，电路在如图3(a)，(b)所示的短路、整流、短路3个状态中交替变换。因此交流侧电压us(t)是一个单极性PWM波形，输出幅值为±Ud和0；而对应的电感L上压降uL分别取uN,uN-Ud和uN+Ud三种不同的值，这样通过调节调制比m就能有效控制us1，进而使得电路的

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3 仿真分析及具体设计结果　　3.1 仿真分析　　在亚微米的ESD结构的设计中，一种常见的具体的ESD瞬态检测电压如图2 VDD-VSS间的电压钳位结构。其原理如下：　　主要利用结构中的RC延迟作用，一般T=RC被设计为100ns-1000ns之间，而ESD脉冲通常为纳秒级，其上升时间为十几纳秒。初始状态，IC处于悬空状态下，当个正ESD电压出现在VDD电源线上，而VSS相对为0时，Vx通过RC开始充电，由于其充电常数T比VDD的上升时间大的多，致使Vx无法跟随VDD的变化，从而使P0管打开，N0管关闭，Vg电压迅速上升，N1大管开启，从而提供了一个从VDD到VSS的低阻抗大电流泄放通道并对内部的VD

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1 引言　　ESD(Electric Static Discharge)保护结构的有效设计是CMOS集成电路可靠性设计的重要任务之一，其ESD结构与工艺技术、特征尺寸密切相关，随着IC工艺技术的进一步发展，特征尺寸越来越小，管子的栅氧层厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，而外围的使用环境并未改变，因此ESD的失效问题面临越来越严峻的考验，在亚微米CMOS IC中，通常做LDD(Lightly-Doped Drain)注入，在深亚微米超大规模CMOS IC设计中，通常有Silicide 或Salicide技术，这些技术的使用有助于提高电路的速度、集成度、可靠性等，但这些技术对电路的抗ESD性能极为不利，降低了ESD可靠度。

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摘要：分析传统双半波整流电路的工作原理和存在的问题，提出并分析改进型高频双半波整流电路的原理及其优点，解决传统双半波整流电路中存在的问题。关键词：双半波整流续流 1 引言在低压输出的推挽、桥式、半桥式开关电源电路中，变压器的次级多采用传统型双半桥整流电路。但该电路中变压器的结构复杂，而且要求变压器的容量相对较大。本文介绍的改进型双半波整流电路能实现对推挽、桥式、半桥式等电路结构的简化并提高隔离变压器利用率。下面对比分析两种整流电路的工作原理。 2 传统双半波整流电路传统双半波整流电路中变压器次级线圈中心抽头接输出负端。中心抽头将次

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