汽车电子化的进展迅速,已经进入了使用电子技术实现高端功能的时代。与此同时,在设计阶段便考虑电磁环境的做法也愈发重要。汽车整体和开发的全部工序都需要在充分意识到EMC(Electro-magnetic Compatibility)的体系中实施。也就是说,“EMC设计框架”已经是不可或缺的机制。
这一机制包括了设计技术、EMC对策、系统开发、交流等产品化所需要的技术和体制。如果能够按照生产一线的实际情况对这些进行恰当的整理,那么就可以灵活应对人们对于汽车的需求变化。
在这里,笔者将以汽车导航系统(车载导航仪)设计一线的经验为依据,从汽车部件厂商的角度出发,介绍对车载设备EMC的思考方法、以及设计流程的一部分。
电磁辐射强度随着车载导航仪的高性能而增大
首先介绍车载导航仪的多功能化和高速化。众所周知,车载导航仪的出发点是导航,然后才是通过DSRC(Dedicated Short Range Communications )、电视、移动网络等通信手段与车外相连接。现在,车载导航仪已不再是单纯的指路工具,而是发展成为了能够借助各类供应商进行多种内容交换的双向交流装置。为了向驾驶员提供安全、放心、便利、舒适的驾驶环境,车载导航仪正在向联结人与机械(这里指汽车)的HMI(Human Machine InteRFace)中心转变(图1)。
图1:汽车多媒体全球导航仪从“指路”装置转变成了向驾驶员提供“贴心服务”和“愉悦心情”的HMI中
今后,车载导航仪的多媒体化还将继续发展,在兼顾前面提到的“安全放心”、“便利舒适”这两个主轴的同时,不断增加功能(图2)。因此,与EMC相关的技术也将愈发重要。比如,当车载导航仪能够与车辆内各个仪器联动,协助防止冲撞时,车载导航仪本身作为传感器,就需要较高的可靠性。这时,抗扰度(对于电磁噪声的耐受性)就会成为课题。而且,随着车内外网络的拓展,防止与外部仪器之间相互干扰的EMC技术也愈发重要。在声音识别和停车辅助等车载导航仪本身的多功能化,以及音视频娱乐功能的一体化进程中,考虑电磁噪声的发射问题是不可回避的课题。
图2:车载导航仪的多媒体化在兼顾“贴心服务”和“愉悦心情”的同时增加功能。EMC成为重要课题。
来自CPU和内存的辐射增大
在这里,让我们来回顾一下车载导航仪的发展历史。1987年作为电子地图显示装置问世的车载导航仪,首先于1990年实现了搜索前往目的地路径和指路的功能,然后,到1995年左右,指路实现了语音化。接着,进入2000年以后,与各种网络服务联动的多媒体化得到了发展。
为了实现上述进步,车载导航仪的性能得到了稳步提高。以路径搜索时间为例,2007年与1990年相比,时间缩短到了1/10以下。位置误差(精度)实现了1/6以下的高精度化(图3)。
图3:性能的变化图在从导航仪向语音导航仪、多媒体型导航仪转变的过程中实现了大幅度的高速化·高精度化
其原动力毋庸置疑是CPU的进步(即计算机系统的大规模化和时钟的高速化)。车载导航仪的CPU时钟和内存总线时钟频率近来得到了快速提高(图4)。CPU 时钟频率正在逼近上限,今后,提高性能可能要依赖在一个LSI内配置多个CPU的多CPU化进程。而另一方面,DRAM的内存总线还在以不增加位宽的前提下提高性能,因此,时钟频率的上升势不可挡。
图4:车载导航仪用CPU/DRAM的高速化趋势辐射能的预测趋于重要
芯片面积和时钟频率的增加容易导致辐射电磁噪声增大。因此,对这些辐射源的辐射进行预测管理会逐渐成为重要环节。对于车载导航仪的核心(Navi-Core),如图 5(a)所示,CPU和总线是主要辐射源。由经验可知,直接来自于CPU的辐射能指标Pc与工作电压的平方、工作频率、芯片面积分别成正比,这些数值的积被作为“辐射能指标”应用到了预测管理(图5(b)注1)之中。内存总线的辐射能指标Pm也同样与工作电压的平方、工作频率、内存总线位宽的积成正比。
注1)来自CPU的电磁噪声主要有以下两个发生源:(1)来自时钟线和信号线的辐射,(2)驱动电路直通电流的辐射。笔者认为(2)占主要地位。驱动电路一般由两个晶体管的图腾柱结构组成,在时钟的边缘部分存在电流贯穿上下晶体管的时刻。该直通电流的辐射是过流进入无限接近于0的阻抗时产生的,远远大于(1)中充放电电流流经时钟线和信号线布线时的辐射。因此可以认为,辐射同样为(2)较大。
图5:车载导航仪的CPU/内存总线辐射能
上一篇:蓄电池电机车调速系统改造及其运行分析
下一篇:LightTools设计实例--汽车仪表盘导光按钮设计
推荐阅读最新更新时间:2023-10-18 16:25
Vishay线上图书馆
- 选型-汽车级表面贴装和通孔超快整流器
- 你知道吗?DC-LINK电容在高湿条件下具有高度稳定性
- microBUCK和microBRICK直流/直流稳压器解决方案
- SOP-4小型封装光伏MOSFET驱动器VOMDA1271
- 使用薄膜、大功率、背接触式电阻的优势
- SQJQ140E车规级N沟道40V MOSFET
- 非常见问题解答第223期:如何在没有软启动方程的情况下测量和确定软启动时序?
- Vicor高性能电源模块助力低空航空电子设备和 EVTOL的发展
- Bourns 推出两款厚膜电阻系列,具备高功率耗散能力, 采用紧凑型 TO-220 和 DPAK 封装设计
- Bourns 全新高脉冲制动电阻系列问世,展现卓越能量消散能力
- Nexperia推出新款120 V/4 A半桥栅极驱动器,进一步提高工业和汽车应用的鲁棒性和效率
- 英飞凌推出高效率、高功率密度的新一代氮化镓功率分立器件
- Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
- 强茂SGT MOSFET第一代系列:创新槽沟技术 车规级60 V N通道 突破车用电子的高效表现
- 面向车载应用的 DC/DC 电源