Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率-电子工程世界

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Diodes推出全新两款采用了旗下专利沟槽型超级势垒整流 (Trench SBR) 技术的器件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格要求。

两款全新沟槽型超级势垒整流器具有超低正向电压、低漏电流，并以较低的温度工作，有效满足充电器输出整流二极管的要求，从而易于处理36kHz断续模式充电器设计的较短电流脉冲。

Diodes推出的两款器件包括适合10W智能手机充电器的15A SBRT15U50SP5，以及为12.5W平板电脑充电器而设的20A SBRT20U50SLP。这类充电器的设计日益纤薄小巧，而且对效率和温度有严格的要求，传统的肖特基 (Schottky) 二极管解决方案已经无法配合。

SBRT15器件在15A的电流下，正向电压为0.47V；SBRT20器件则在20A的电流下达到0.5V的正向电压，加上+90ºC的工作温度，可尽量减少导通损耗并提高充电器效率。SBRT15及SBRT20在+125ºC的高温下，分别达到105mA和100mA的低反向漏电流，有助于把阻断模式损耗降到最低。

SBRT20U50SLP及SBRT15U50SP5是完善的沟槽型超级势垒整流产品系列首两款面世的整流器，提供从10V到100V宽广的反向电压范围、0.2A到40A的电流处理能力，以及多种不同的封装选择，包括Diodes旗下节省空间的PowerDI123、PowerDI5和PowerDI5060。

注：SBR及PowerDI均为Diodes公司的注册商标。

关键字：Diodes SBRT15U50SP5 SBRT20U50SLP 编辑：刘东丽引用地址：Diodes沟槽型超级势垒整流器提高下一代充电器效率

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