1 工作原理
1）开关模式1（0～TON,见此文《Buck-Boost升降压式PWM DC/DC转换器的主电路组成和控制方式》（a））
在t=0瞬间，开关管V导通，电源电压Ui全部加到电感坛上，电感电流iLf线性增加。二极管D截止，负载由滤波电容Cf ......
稳态工作时，在开关管V导通期间电感电流iLf的增加量△iLf（+）等于它在开关管V关断期间的减小量△iLf（-）则由式（3-70）和式（3-72）可以得到：
从式（3-73）可以看出，当占空比Du=0.5时，Uo=Ui；当Du<0.5时，Uo<Ui；当Du＞0.5时，Uo＞Ui。所以，Buck ......
BuckBoost转换器有3种开关模式。
（1）开关管V导通，电感电流iLf从零增加到最大值ILf max；
（2）开关管V关断，二极管续流，电感电流iLf从ILf max降到零；
（3）开关管V和二极管D都关断（截止），在此期间电感电流iLf为零，负载由 ......
如图为电感电流临界连续时的iLf波形。设ILfG是临界连续电感电流平均值，则
如图 电感电流临界断续
...
假设电容C1的容量很大，转换器旒态工作时，电容C1上的电压基本保持欧，其值为UC1。
1）开关模式1（0～TON，见文《Cuk PWM DC/DC转换器主电路组成和控制方式》（a））
在t=0瞬间，开关管V导通，Cuk PWM DC/DC转换器以开关管V为界 ......
Buck降压式PWM DC/DC转换器有两种基本的工作模式，即电感电流连续模式（CONtinuous Current Mode，CCM）和电感电流断续模式（Discontinuous Current Mode，DOM）工作方式。电感电流连续是指输出滤波电感Lf中的 电流总是大于零， ......
Buck降压式PWM DC/DC转换器，是一种输出直流电压等于或小于输人直流电压的单管非隔离式PWM DC/DC转换器，其电路和工作波形如图所示。 Buck降压式PWMDC/DC转换器的主电路，由开关管V、二极管D、输出滤波电感Lf和输出滤 ......
PWM DC/DC转换器的主电路可以分为两大类：即不带高频变压器的非隔离式PWM DC/DC转换器与带高频变压器的隔离式 PWM DC/DC转换器。它们彼此之间的关系如图所示。
如图 PWM DC/DC转换器主电路之间的关系
对 ......
以具有高频变压的隔离式PWM DC/DC转换器为例，其组成框图如图所示。
如图 具有高频变压的隔离式PWM DC/DC转换器组成框图
（1）逆变。由于高频变压器只能传递交流功率，所以首先必须用逆变器将直流输入电压转换 ......
PWM DC/DC转换器的电路，通常由主电路和控制电路两大部分组成，其电路框图如图所示。
1.主电路及其作用
PWM DC/DC转换器的主电路，是处理
如图 PWM DC/DC转换器电路框图
和传输大功率的电路，对设备 ......
将SEPIC转换器中的开关管V，二极管电路D的位置互易，输入/输出关系互易，即得Zeta转换器如图1所示。
转换器可以认为是由Buck-BccGt电路与Buck电路组合演化而成的。但为了使第二级Buck电路工作，又不增加电路的复杂性 ......
利用三种最基本的PWM转换器，除了可以利用演化的方式派生出新的转换器之外，利用级联方式也可以派生出新的转换器。
将两个Buck-Boost电路组合后，可以得到单开关Buck-Boost级联，其演化过程如图所示。
其中，演化 ......
将两个Boost电路组合后，可以实现单开关Boost级联电路，其演化过程如图所示。在演化过程中引人二极管D1以阻断电感砀在开关管砀关断期 间的无效能量释放回路。第二级输入为第一级的输出，即以C1作为第二级供电电源。当 ......
将Buck-Boost电路与Buck电路级联组合，其等效转换与演化过程如图所示。在演化过程中两级之间加人阻塞二极管D3，以阻断前级对后级的有害回路。经过电路由如图（a）到如图（e）电路所示，转换器的输出/输入电压关系为
如图 ......
对开关管的要求是快速开通、快速关断，只有快速地进行状态转换才符合PWM DC/DC转换器的工作需要，才会使开关过程中的交叠损耗减小。 PWM DC/DC转换器常用的开关管有两种：一种是功率场效应管MOSFET；另一种是绝缘栅双极 ......
1）静态特性及参数
（1）输出特性：MOSFET的输出特性如图所示，其特点是栅一源电压UGS控制漏极电流ID。
（2）漏极（额定）电流ID：MOSFET的电流容量（幅值）（如DGS=10V）。
（3）漏一源击穿电压BUDS是指该型号MOSFET或该管最大瞬时 ......
绝缘栅双极晶体管IGBT（INSu1ated Gate Bipolar Transistor）是一种新型的复合功率开关器件。如图（a）为IGBT芯片的基本结构图，可以看出 ，IGBT比N型沟道的MOSFET多一个P＋层。
IGBT的特点如下。
（1）IGBT是一种电压控制 ......
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