KLA-Tencor ： 创新加速

      自去年下半年半导体产业陷入低谷时，千方百计削减成本支出似乎成为业内同行们生存的不二法则。然而，对于有远见的公司来说，加大创新和研发的力度则更加“靠谱”。KLA-Tencor借SEMICON West 2009之际推出了两款新型的晶圆缺陷监测系统2835和Puma9550，以及一款新型的电子束再检测系统eDR-5210，以解决3Xnm/2Xnm节点的缺陷问题。
 
      “目前业界正在采用更加复杂和先进的光刻技术，新材料的应用和更苛刻的结构也屡见不鲜。如何处理各种新缺陷和更小的工艺窗口是检测设备面临的巨大挑战。”KLA-Tencor的chief marketing officer Brian Trafas说，“3Xnm/2Xnm节点会有多种多样的缺陷技术问题，很多不仅严重影响良率，而且难以捕捉。此次推出的新机台性能和产能均有大幅提升，可以帮助客户更快的解决难题。”

      与大线宽相比，3Xnm/2Xnm节点时的“良率杀手”通常更小，这些缺陷也更难与诸如图形边缘粗糙度或色差等自然差异区分开来，而这些自然差异属于会影响根源分析的海量“非关键”缺陷。新型的2835系列明场检测平台采用PowerBroadbandTM，这是一种独特的高亮度光源，其设计可实现更多重复捕获难以发现的缺陷，加快检测速度，并更好的区分关键缺陷和非关键缺陷。该机台采用了4类创新技术，即宽频照明、更大的光强、可选的成像模式、方向性电场，其中方向性电场技术更是第一次采用。Brian Trafas坦言，为了满足节点缩小对敏感度的要求，明场光学成像系统毫无疑问的需要创新，研发的主要目标就是提高缺陷监测信号，同时降低噪音干扰。

      对于芯片制造商来说，新产品的上市时间和良率是其盈利的关键。当明场检测系统无法对每个设备工艺层提供最佳检测时，暗场检测技术就成为最好的互补。Puma9550系列暗场检测平台集合了独特的高数值孔径收集光学系统、更大功率的激光、新型的影像获取系统和创新算法，大大提高了产能敏感度。其速度优势可帮助芯片厂尽快达到最先进器件生产的良率目标。

      当前，光学图像的最小缺陷尺度已精确到单个像素，电子束再检测对缺陷检测来说必不可少。eDR-5210电子束缺陷再检测和分类系统支持多种技术和架构的改进，可提升设备的解析度、再检测率、分类精确度和生产力。作为再检测设备，附加了与KLA-Tencor检测系统进阶连接的能力，提高与良率相关的缺陷数据结果，并提高整体生产力。整个过程的自动化可增强可靠性，加快发现问题的速度。

      “虽然受经济大环境的影响，半导体产业的发展有所放缓，但是技术创新却是例外。”Brian Trafas坦言，“新型器件、3D晶体管、高K金属栅、应变硅等纷纷登上舞台，对良率和检测技术的要求颇高，唯有加速创新才是应对之道。”