海力士明年将投入20亿美元用于资本支出

稳懋半导体（3105）执行长王郁琦接受《日本经济新闻》访问时表示，由于智慧手机和其他电子装置3D感测应用需求快速上升，2018年稳懋打算把资本支出提高至少1倍。 王郁琦说：「由于3D感测功能在许多装置用途愈来愈广泛，2018年我们的资本支出将至少倍增…3D感测应用将不局限于把手机解锁，我们相信这类功能不会只用于扫描脸部，未来这类功能也能扫描物体或感应环境。」2017年稳懋资本支出约为1亿美元。 目前以iPhone X TrueDepth相机的3D感测功能最引人注目，iPhone X脸部辨识系统雷射零组件全部由稳懋制造。尽管iPhone X需求不如许多市场观察家预期，稳懋仍看好前景。王郁琦预期智慧手机3D感测商机将扩大，这项技术也可

　　为庆祝位于韩国清州市（Cheongju）、支持300mm晶圆的新制造车间“M11”的建成，韩国海力士半导体于当地时间08年8月28日邀请政府官员等举行了竣工典礼。 　　M11将采用40nm制造工艺，专门生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存。预定08年9月开始投产。最初月产规模为4万枚（按晶圆使用量计算），将来会根据市场动向逐渐增产。最多可能会增产至每月20万枚。 　　M11为清州工厂的第三栋制造车间，海力士认为，新的制造车间具有能够利用现有工厂设备及人员的优势。目前，该公司正在全球整合支持200mm晶圆的工厂，清州工厂支持200mm晶圆的制造车间也于08年7月纳入了整合对象。该公司董事会主席兼首席执行

《韩联社》引述内部消息人士说法报导，三星电子旗下半导体业务员工可望在1月31日领到年度绩效奖金（Overall Performance Incentive）， 奖金金额最高将达个人年薪的50%。   另一个消息来源披露，SK海力士也将于1月底或2月初发放奖金，金额最高同样可达个人年薪的50%。   一名产业消息人士说：「其他公司的员工都对这2家企业的大笔奖金羡慕不已。 这2家半导体制造商去年业绩表现强劲。 」2017年1月三星同样也发给半导体事业员工最多达年薪50%的奖金。   三星电子本月稍早发布2017年第4季初估财报， 营业利益达破纪录的15.1兆韩元，而分析师估计其中超过10兆韩元是来自半导体事业。 三星旗下半导体事业员工

10月12日上午消息，据台湾媒体报道，业内人士预计，由于台积电看好明年IDM(集成器件制造)厂扩大委托代工，台积电月底可能将再度调升今年资本支出预算至25亿~30亿美元以上。 　　 台积电花钱扩产不手软，由于看好明年IDM厂扩大委托代工，及65纳米以下先进工艺产能供不应求，台积电今年来公告取得设备及厂房等总投资金额，已超过新台币700亿元(约合21亿至22亿美元)，今年额定23亿美元资本支出几乎都已用完。业内人士预计，台积电月底可能将再度调升今年资本支出预算至25亿~30亿美元以上，且明年资本支出有可能调升至35亿~40亿美元。 　　 虽然市场对芯片代工厂第四季及明年第一季的接单仍有疑虑，但是台积电花钱如流水般

集微网消息，三星电子12日宣布，已在半导体业务新设晶圆代工部门，要在全球半导体需求畅旺之际，扩大纯晶圆代工业务份额。 此举无疑是要力拚超越台积电。 业内人士指出，三星藉由分割的动作，意欲去除客户疑虑的用意明显，可是分割后的代工部门仍在集团内，其实差异不大；且三星本身和不少客户具竞争关系，此举是否足以降低客户疑虑，值得观察。 三星晶圆代工部门将为高通与辉达这类只做芯片设计的无厂半导体公司，生产手机芯片与其他非内存芯片，并与台积电等公司竞争。 新部门将由掌管整个半导体业务的总裁金奇男掌管。 南韩另一芯片厂SK海力士最近也宣布要分拆晶圆代工业务。 三星半导体业务改组后有三大支柱，分别是内存、系统整合芯片与晶圆代工。 韩媒Pulse报导，

电子网消息，10月29日，SK集团副会长、SK海力士(株)代表理事CEO朴星昱来锡考察。省委常委、市委书记李小敏，市长汪泉会见了朴星昱一行，双方就深化战略合作、拓展合作领域进行了深入交流并达成共识。 近年来无锡扎实推进产业强市主导战略，把集成电路产业作为产业发展的重点，专门制定出台相关政策意见，设立总规模200亿元的产业投资基金，加快推进集成电路产业发展。李小敏表示，特别是今年成功引进了华虹无锡集成电路研发制造基地项目和天津中环无锡集成电路大硅片项目。这些项目的落地，不仅完善了无锡集成电路产业链，也为SK海力士在锡发展提供了有力支撑。此次双方深化战略合作，不仅将推动无锡集成电路产业发展迈上新台阶，也为SK海力士在无锡乃至江苏更

启动反垄断调查，一方面是获得了“实锤”证据，甚至不排除，三星、SK海力士、美光之中出现“污点证人”的情况。另一方面，这次反垄断调查，也标志着中国存储芯片即将吹响反攻的号角。国产存储芯片若想复制京东方的成功，还需要时间和耐心。 不久前，媒体报道中国反垄断机构启动了对于三星、海力士、美光三家存储芯片巨头的反垄断调查。媒体推测，如裁定三大巨头存在价格垄断行为，以2016-2017年度销售额进行处罚，那么罚金将在8亿美元-80亿美元之间。 在三星Note7手机接连自燃之后，存储芯片价格疯涨，即便是房价也赶不上存储芯片的上涨速度。内存条价格最高时一度翻了4倍，固态硬盘价格最高时，接近涨价前的2倍。这使中国消费者和整机厂

据Anandtech报道，SK hynix日前发布了其最新一代的3D NAND。据介绍，新产品具有176层电荷charge trap单元。在美光宣布他们的176L NAND开始以Crucial品牌产品发货之后，SK hynix是第二家达到这一层数的NAND制造商。 这是SK hynix的第三代产品，其PUC（Periphery under Cell）设计的特点是通过在存储器单元阵列下放置外围逻辑来减小芯片尺寸，类似于英特尔和美光的CMOS下阵列设计。（SK hynix将这种管芯布局及其charge trap闪存单元的组合称为“ 4D NAND”。）这一代的变化包括位生产率提高了35％（仅比理论上从128层增长到176层时的值稍