三星、海力士 加码资本支出

韩国三星、海力士调高今年资本支出，幅度约两成，年度新资本支出总和23兆韩元（约新台币5,952亿元）起跳，创历史新高。三星有望再次超越英特尔，成为全球半导体业资本支出最大的业者，要靠存储器赚钱，强化晶圆代工实力，成为台积电强劲对手。

业界解读，三星与海力士砸大笔钞票投资，不仅要把全球DRAM市场「整碗捧走」，也有防堵东芝一旦顺利取得尔必达竞标，日本厂商在存储器业再度坐大的意味，抢在东芝结合尔必达之前先发制人。

分析师预期，三星、海力士大举加码资本支出，将扩大与台湾、美国、日本等存储器业者差距。三星、海力士今年上半年在DRAM业的市占总和，有望首度冲上七成。

韩国时报报导，三星加码今年半导体投资，由原订15兆韩元（约新台币3,880亿元）增加二成至18兆韩元（约新台币4,666亿元）。新增投资额主要用来改造美国德州奥斯汀厂成为系统芯片专属工厂，并发展NAND与DRAM产品。

据报导，三星存储器业务总裁全东守（Jun Dong-soo）坦言，若尔必达被东芝或其它竞争对手收购，三星势必面临挑战，因此决定先发制人。

海力士规划今年资本支出由原订4.2兆韩元（约新台币1,086亿元）调高20%至5兆韩元（约新台币1,293亿元）。三星、海力士是全球前两大DRAM厂，两家公司去年第四季市占率各为44.3%、23.3%，尔必达排名第三、市占率12%。储存型快闪存储器（NAND Flash）方面，三星、海力士市占率各为34.6%、13.7%，分居龙头与第三；东芝市占率29.7%，排名第二。

业界指出，三星今年首季营业利益大增96.6%，最大贡献来自存储器部门，尤其DRAM结合NAND芯片出货的利润丰厚。若东芝拿下尔必达，就取得兼具DRAM与NAND芯片优势，韩国业者不敢掉以轻心。

三星、海力士势力持续扩张，更具银弹与技术优势，为未来新投资做准备。三星更能藉由在存储器业的获利，投入晶圆代工研发，成为台积电强劲对手。