Littelfuse推出高性能的瞬态抑制二极管阵列-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，现宣布推出SRDA3.3系列瞬态抑制二极管——SPA®系列二极管。 SRDA3.3系列将低电容控向二极管与附加的齐纳二极管相结合，以保护数据线路免受静电放电（ESD）和高浪涌事故的危害。 SRDA3.3系列器件的保护能力比其他可用解决方案高40%，且性能也毫不逊色。这些器件的瞬变功耗最高为600W，电源处理能力比市场同类解决方案高出20%。 SRDA3.3系列的低负载电容为10pF (最大值)，比其他解决方案低50%，这使得该产品成为保护电信接口的理想选择，且无需牺牲信号的完整性。

应用包括T1/E1/T3/E3高速电信数据线、xDSL接口、RS-232/RS-485接口、10/100以太网接口和视频线的第三级（IC侧）保护。
“SRDA3.3系列瞬态抑制二极管阵列的卓越浪涌保护能力、功率耗损以及ESD性能使设计工程师能够更加灵活地根据行业标准针对电气威胁设计更大的余量，”瞬态抑制二极管阵列产品线总监Chad Marak表示。 “这些器件的低动态电阻能够确保极低的电容负载，有助于保护如今日益敏感的芯片集，以免芯片过早失效。”
SRDA3.3系列瞬态抑制二极管阵列具有以下主要功能与特色：
功能与特色
• 强大的浪涌保护：雷击，IEC61000-4-5, 35A （8/20µs）；峰值脉冲功率，600W（8/20µs）
• 极低的动态电阻（RDYN），仅为0.5Ω
• I/O到GND的低电容为8pF (typ) /10pF（最大）
• 增强的ESD能力：ESD，IEC61000-4-2，±30kV触头，±30kV（空气）
特色
• 比市场上类似解决方案高40%的浪涌和高20%的电源处理能力；为标准规定的电气威胁提供更高的抵御能力
• 为敏感的芯片集提供极低的箝位电压，防止其发生灾难性故障并最大程度地提高系统可靠性
• 比其他解决方案低50%的最大电容有助于保持信号完整性，并将传输过程中的数据丢失降至最低
• 增强的ESD保护性能远超IEC61000-4-2标准的最高等级（±8kV）

关键字：电路保护二极管编辑：冯超引用地址：Littelfuse推出高性能的瞬态抑制二极管阵列

上一篇：Cadence采用全新可支持电学感知设计的Virtuoso
下一篇：赛普拉斯推出全新USB-串行桥接控制器

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 23:31

如何检测光电二极管的好坏

（1）电阻测量法：用万用表欧姆挡。像测普通二极管一样，正向电阻应为10k左右，无光照射时，反向电阻应为∞，然后让光电二极管见光，光线越强反向电阻应越小。光线特强时反向电阻可降到1k以下。这样的管子就是好的。若正反向电阻都是∞或零，说明管子是坏的。（2）电压测量法：把万用表拨到2V电压档。表笔接光电二极管的两极，在阳光或白炽灯照射下，其电压与光照强度成正比，一般可达0.2~0.4v。（3）电流测量法：把万用表拨在直MA挡或μa挡，红表笔接光电二极管正极，黑表笔接负极，在阳光或白炽灯照射下，起短路电流可达数十到数百微安。

[测试测量]

编制一个循环闪烁的单片机程序控制8个发光二极管

编制一个循环闪烁的程序。有8个发光二极管，每次其中某个灯闪烁点亮10次后，转到下一个闪烁10次，循环不止。解: MOV A,#01H SHIFT: LCALL FLASH RR SJMP SHIFT FLAH: MOV R2,#0AH FLAH1: MOV P1,A LCALL DELAY MOV P,#00H LCALL DELAY DJNZ R2,FLASH1 RET

[单片机]

TVS二极管:为便携电子设备提供有效的ESD保护

　　ESD保护对高密度、小型化和具有复杂功能的电子设备而言具有重要意义。本文探讨了采用TVS二极管防止ESD时，最小击穿电压和击穿电流、最大反向漏电流和额定反向关断电压等参数对电路的影响及选择准则，并针对便携消费电子设备、机顶盒、以及个人电脑中的视频线路保护、USB保护和RJ-45接口等介绍了一些典型应用　　　　随着移动产品、打印机、PC，DVD、机顶盒(STB)等产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。半导体组件日益趋向小型化、高密度和功能复杂化，特别是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求严格的应用很容易受到静电放电的影响。一些采用了深亚微米工艺和甚精细线宽布线的复杂半导体功能电路，对电路瞬变过程的影响更加敏感，

[手机便携]

TVS<font color='red'>二极管</font>:为便携电子设备提供有效的ESD保护

LCD电视背光、I/O端口及电源的电路保护设计

先进的LCD技术带来了更大的屏幕、更宽的视角以及更高品质的视频图像。不过，随着LCD电视的屏幕变得更大更亮，它们也需要更多的工作电压和更大的工作电流，对更稳定和更可靠电路保护技术的需求也更加迫切。　　有很多种电路保护器件都可以被用来帮助保护LCD显示屏免受过高电流或过高电压瞬变引起的损坏。过流保护可采取保险丝或可复位PPTC( 聚合物正温度系数 )器件。选择哪种方案，取决于LCD的设计，该产品可能接触到的危险类别以及相关的安全要求偶。　　PPTC器件一般适用于在启动时会经受大浪涌电流的电路。PPTC器件可经受浪涌电流的冲击，并省去了更换被烧毁保险丝的麻烦。保险丝适合于不要求

[家用电子]

LCD电视背光、I/O端口及电源的<font color='red'>电路保护</font>设计

ROHM开发出低损耗性能和超低噪声特性的快速恢复二极管“RFL/RFS系列”

ROHM开发出实现了低损耗性能和超低噪声特性的第4代快速恢复二极管“RFL/RFS系列” 有助于提高空调、电动汽车充电桩等的电源效率并为减少噪声对策做出贡献全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向在空调和电动汽车充电桩等需要大功率的工业设备和消费电子设备，开发出实现了低VF和高速trr特性*1以及超低噪声特性的第4代快速恢复二极管（以下称“FRD”）650V耐压“RFL/RFS系列”。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题。其中，高功耗的白色家电和电动汽车充电桩等工业设备不仅需要提高电源电路的效率，还需要减轻降噪设计的负担。在这种背景下，ROHM推出的新产品，既实

[电源管理]

ROHM开发出低损耗性能和超低噪声特性的快速恢复<font color='red'>二极管</font>“RFL/RFS系列”

意法半导体推出最新的1200V碳化硅二极管，兼备出色的能效和先进的稳健性

意法半导体2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。下面就随半导体小编一起来了解一下相关内容吧。意法半导体 2A - 40A 1200V碳化硅(SiC) JBS (结势垒肖特基)二极管全系产品让更多的应用设备产品受益于碳化硅技术的高开关能效、快速恢复和稳定的温度特性。意法半导体的碳化硅制程可以制造出稳健性极高、正向电压同级最好(VF最低)的二极管，给电路设计人员更多的发挥空间，用低价的小电流二极管取得高能效和高可靠性，让碳化硅技术更容易打开成本敏感的应用市场，例如太阳能逆变器、工业电机驱动器、家电和电源

[半导体设计/制造]

汽车电路保护器件设计原理

新型车载信息娱乐系统和导航系统提供更多的内容，让你体验到更高质量的音频和视频节目，并且改善了个人通信装置的连接性能。为了适应很高的数据传输速率，满足当前通信的要求，一定要保护这种设备，避免因为顾客误用、危险性的环境和电源波动而造成损坏。在信息娱乐系统中广泛使用自复PPTC(聚合物正温度系数)器件，它们保护精密的电子元件及周边设备。在自复功能不可取或不实际的应用系统中，通常是使用片式表面贴装熔断器。信息娱乐设备也容易因为过高的瞬变电压而损坏，其中包括它所在的工作环境及周边设备产生的静电放电(ESD)脉冲。往往使用ESD保护器件、金属氧化物变阻器(MOV)和齐纳二极管来保护汽车电子设备，例如天线、背光加热器、电池、按键、电

[嵌入式]

适用于高可用性系统的48V 理想二极管“或”控制器具有更高效率并可监视故障

2007 年 4 月 5 日－北京－凌力尔特公司（ Linear Technology Corporation ）推出的双路理想二极管“或”控制器 LTC4355 允许在高可用性系统中用 N 沟道 MOSFET 取代肖特基二极管，并具有广泛的故障监视功能以诊断电源故障。以这种方式形成的输入电源二极管“或”电路可降低功耗、减小热耗散及所占用的印刷电路板面积。该器件 9V 至 80V 的宽工作电压范围支持具有两个正电源的二极管“或”应用，如 12V 分布式总线架构，或两个负电源的返回通路，如 - 48V AdvancedTCA （

[新品]