科林研发推出减小工艺误差和支持多次曝光的蚀刻和沉积设备

    Marketwired 2014年7月7日美国加利福尼亚州旧金山消息――面向半导体行业提供创新的晶圆制造设备和服务的全球主要供应商科林研发（Lam Research Corp.）（纳斯达克股票代码：LRCX）今天推出两款新产品，这些产品能为先进曝光工艺提供严格的工艺控制和生产率。多次曝光策略依赖蚀刻和沉积工艺扩大光刻技术的运用，包含越来越多的工艺步骤。科林研发的2300(R) Kiyo(R) F系列导体蚀刻系统采用一项突破性的技术――Hydra(TM) Uniformity系统――通过跨晶圆的工艺控制技术纠正曝光图案的不均匀性。VECTOR(R) ALD Oxide系统利用原子层沉积（ALD）形成高保形介电薄膜，这种薄膜被用来在一系列多次曝光中确定关键图案尺寸。
 
    芯片制造商使用两次曝光和四次曝光方案弥补光刻技术的局限性。与单次曝光相比，多次曝光可以获得更小的制程，其原理是先制作面积较大、密度较低的图案，再缩小尺寸和间隔，然后通过反复使用光刻/蚀刻/沉积步骤来获得理想的尺度。随着工艺步骤的增加，工艺误差也随之增加，因为每一个步骤都会增加一些不均匀性。在这种叠加效应下，为了器件能够符合要求，必须严格控制蚀刻和沉积工艺的误差极限。由于工艺误差会影响器件的性能、功耗和产量，导致耗资费时的返工，因此工艺控制至关重要。除误差控制外，为了缓解工艺步骤增加所造成的制造成本上升，高生产率也是必需的。
 
    科林研发的最新导体蚀刻产品2300 Kiyo F系列使用Hydra技术纠正晶圆的临界尺寸（CD）不均匀性，解决曝光误差问题。该系统的对称反应室就是为提供均匀蚀刻工艺设计的，同时Hydra技术通过局部纠正，进一步提高了均匀性。这项技术使用拥有专利的软硬件，在晶圆的"微"区域映射临界尺寸并调整蚀刻工艺条件以减少误差，因而弥补了上游工艺产生的误差。
 
    VECTOR ALD Oxide系统利用原子级沉积形成具备卓越的厚度均匀性、高重复性和低缺陷率的高保形薄膜。这些性能对基于隔片的多次曝光方法至关重要，在这种方法里，沉积好的薄膜成为掩膜，为后续步骤确定关键的图案尺寸。VECTOR ALD Oxide系统能够在低温条件下沉积薄膜，可在各种各样的材料上形成隔片。此外，该系统还在硬件上支持气体快速开关，与竞争系统相比具备生产率优势。
 
    科林研发负责全球产品的执行副总裁Rick Gottscho表示："科林研发为多次曝光应用所开发的先进技术正帮助我们的客户克服最基本的难题之一。"为保持创新，科林研发采取了一系列措施，包括最近宣布加入IMEC（校际微电子中心）为开发先进曝光解决方案而成立的供应商中心。Gottscho最后表示："随着芯片制造商不断缩小芯片设计的尺度，我们的蚀刻和沉积系统对拓展光刻技术，开发面积更小、密度更高的先进半导体产品来说变得越来越重要。"
 
前瞻性声明
 
    本新闻稿包含的非历史事实的陈述属于前瞻性陈述，受1995年《私人证券诉讼改革法案》的安全港条款约束。这类前瞻性陈述包括但不限于以下方面的陈述：科林研发的产品表现，如为先进曝光工艺提供所需工艺控制技术和生产率的能力，以及科林研发的系统在发展光刻技术中日益提高的重要性。这类前瞻性陈述基于当前的信心和预期，在条件、重要性、价值和效果等方面存在风险、不确定性和变化，包括科林研发在10-K表年报的"风险因素"章节和科林研发向美国证券交易委员会呈报的其他文件中所讨论的内容。在条件、重要性、价值和效果方面存在的这些风险、不确定性和变化可能导致实际结果和本文中预测的结果存在实质性的差异。提醒读者注意不要过度依赖这些前瞻性陈述，这些前瞻性陈述只是截至本文发布日之前做出的。我们不承担为了反映本文发布后发生的情况而修订这些前瞻性陈述的义务。