摩尔定律迈入“后CMOS”时代

世界知名的汽车电子公司采用ST独有的BCD8智能功率和HVCMOS8高压技术， 续写20年的合作伙伴关系 中国，2007年7月10日 — 汽车市场领先的半导体供应商意法半导体（纽约证券交易所：STM)今天宣布与世界知名的汽车电子系统公司博世签订一份技术许可协议，根据签署的协议，博世将获准在自己的晶圆制造厂使用意法半导体的先进的BCD8工艺来设计和制造高度集成的汽车电子产品。这一行动增强了两家公司20多年的战略合作伙伴关系，这也是ST第一次与博世分享其HVCMOS8高压CMOS制造工艺。 BCD8 (双极晶体管-CMOS-DMOS)是ST采用智能功率专利技术实现的最新的制造工艺，可以把模拟、数字和功率电路集成在一个芯片上。这个

    北京时间9月18日凌晨消息，徕卡今日在德国科隆召开新闻发布会，发布了数款新机身与镜头。其中值得关注的旁轴M系新机取消数字编号，首次采用CMOS传感器，加入实时取景与高清摄像等功能，并可通过转接环使用徕卡R系镜头。 　　在M9P之后，徕卡此次取消了命名中的数字编号，新机器不再按照顺序命名为M10，而直接命名为M。新机M没有使用M8和M9使用的柯达CCD传感器，转用了与比利时公司CMOSIS合作生产的全副CMOS传感器，总像素为2400万像素。新机M和S都使用了Maestro影像处理器。 　　机身参数方面：2400万像素CMOS传感器、ISO 200-6400、使用徕卡Maestro影像处理器、3英寸92万像素TFT显示

　　电压比较器是对输入信号进行鉴幅与比较的电路，其功能是比较一个模拟信号和另一个模拟信号(参考信号)，并以输出比较得到的二进制信号。其在A／D转换器、数据传输器、切换功率调节器等设备中有着广泛的应用。在高速度、高精度A／D转换器中，比较器的精度和速度直接影响转换电路的转换精度和转换速度等关键指标；在数据传输器中，比较器的性能对数据传输的误码率有着很大的影响；在切换功率调节器中，调节器的功率调节性能在很大程度上依赖于电压比较器的性能。因此，是高工作频率、高增益、低失调电压、高性能的电压比较器，在模拟集成电路和数／模混合集成电路中十分重要。仿真结果表明，该电压比较器适用于高速A／D转换器、高速数据传输器及高性能切换功率调节器等设备中。

　　继上次 佳能 公布的BSI CMOS传感器 (背照式传感器)之后，又一个可以抗衡索尼的新专利， 佳能 新的堆叠 CMOS传感器 专利浮出水面。索尼A9是世界上第一个带有堆叠 CMOS传感器 的无反相机，而堆叠的CMOS传感器的优势是，整个数据处理速度比传统CMOS传感器快25%，这就是索尼A9相机能够处理每秒20帧的24MP文件的原因。下面就随网络通信小编一起来了解一下相关内容吧。   佳能开发堆叠CMOS传感器 索尼要有压力了 　　不仅堆叠CMOS传感器， 佳能 没有一个全画幅BSICMOS传感器。我们也希望佳能可以推出的自己的堆叠CMOS和BSICMOS传感器，能够集成PDAF对焦和数据传输速度上的提升，并应用在旗舰

纪念摩尔定律50周年 在摩尔公开其对集成电路预言之后的50年， 摩尔定律 已经成为人们家喻户晓的名词。 它的概念经常被引用，但并不总是正确的。总的来说，摩尔定律经常被用以描述现代科学技术的进步。 当IEEE正在整理庆祝摩尔定律50周年的特别报道时，我开始罗列在人们谈及摩尔定律的过程中，容易忽略的几个关键词。 1. 摩尔定律的修订时间。 摩尔起初在预言集成电路复杂性时，曾表示电路板上的元件数量，每年都会翻一番。但在1975年，他重新修订了其预言的内容，即元件数量每两年增长一倍。 2. 晶体管不仅仅变得更小、更快。 摩尔定

Avago Technologies( 安华高科技 ) 宣布，已经在 40nm CMOS 制程技术上达到 20 Gbps 的 SerDes 效能表现。延续嵌入式 SerDes 应用长久以来的领导地位， Avago 的 40nm 核心为公司第七代高效能 SerDes IP ，而 SerDes 的出货总通道数也已经超过六千万， Avago 在提供高可靠度且高效能的 ASIC 产品上拥有辉煌的纪录，目前又在 TSMC 的 40nm CMOS 制程上达到速率高达 20 Gbps 的 SerDes 设计，进一步迈入了新的里程碑。 Avago 为提供通讯、工业和消费性等应用模拟接口零组件之全球领导厂商。 相当适合资料中心

互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)可望大举进驻智慧型手机。手机晶片大厂高通(Qualcomm)日前宣布，其RF360射频(RF)前端系列产品已悉数问世，并获得全球超过十五家原始设备制造商(OEM)用于七十五款行动装置设计。一旦顺利量产商用，将有助扩大CMOS PA在智慧型手机市场的渗透率。 高通RF360前端解决方案正式获中兴旗舰级手机Grand S II LTE采用，意味其CMOS PA技术已可满足长程演进计划(LTE)市场的高频操作性能需求，未来CMOS PA将于支援LTE及LTE-A载波聚合(CA)技术的行动装置市场中大行其道，颠覆射频前端产业版图。 高通台湾区行销总监李承洲表示，高通

真空管 的发明是 电子工业 发展的重要动力。但是，在第二次世界大战之后，由于需要大量的分立元件，设备的复杂性和功耗显着增加，而设备的性能却不断下降，其中一个例子是波音B-29，由300~1000个真空管组成。每个附加组件会降低系统可靠性并增加故障排除时间。 1947年出现了一个重大突破，它来自于贝尔实验室的John Baden，William Shockley和Watter Brattain，他们发明了锗晶体管。1950年，Shockley开发了第一个 双极结晶体管 （BJT）。与真空管相比，晶体管更可靠，功效高，尺寸更小。 1958年，德州仪器的杰克·基尔比（Jack Kilby）搭建了第一个集成电路，由两个双极晶体管组成，该晶