中国真的对FD-SOI制程技术有兴趣？-电子工程世界

分享到: 微博; QQ; 微信; LinkedIn

身为一位记者，我发现撰写有关于“热门”公司、技术与人物的报导，要比我通常负责的技术主题容易得多；一旦我写了那些“时髦”的标题，我会确实感受到人气飙涨。

因为几乎每家媒体都穷追不舍，我不需要向读者解释为何我要写那些，以及那些新闻为何对他们重要；我马上想到的是美国总统候选人川普(Donald Trump)、苹果(Apple)还有FinFET。而相反的，要写冷门题材、比较少人讨论的话题，挑战性就高得多；部分读者会有先入为主的看法，认为那些题目不关他们的事。简而言之，这是一种强迫推销。

在EE Times，半导体产业领域，我发现全空乏绝缘上覆矽(fully depleted silicon on insulator，FD-SOI)就是这类冷门题材，被低估、轻视、忽略，而且引发地域性不同的意见、评论以及讥讽；这是可预期的，因为FD-SOI是晶片产业众多工程师很少经历过的。身为一位记者，我不做评判；而且我并没有参与投资。

但既然我追踪了在美国矽谷以外的人、企业与技术，我观察到FD-SOI故事的曲折与转变，非常有趣。事实证明，中国是FD-SOI最新进展正悄悄上演的舞台。

上个月，法国半导体材料开发制造商Soitec造访中国，其高层与当地媒体畅谈中国应该知道的FD-SOI技术相关事宜；该公司在一份40页的Power-Point简报档中，简短提及了Soitec与上海矽产业投资有限公司(National Silicon Industry Group，NSIG)的财务合作──NSIG打算在今年稍后取得Soitec的14.5%股权。

显然，中国当地媒体抓住了这一点揭示，并引发了有关于FD-SOI在中国的未来发展潜力的话题；现在要预测FD-SOI是否会在中国被接受还太早，但这样的投资是Soitec以及那些同在FD-SOI产业生态系统的厂商们期待已久的，亟需在中国跨出的第一步。

NSIG不应与中国为扶植本土IC产业而建立的“大基金”混为一谈；该机构是一个中国投资平台，是由“大基金”在五年前成立，有五个主要股东，包括华芯投资(Sino IC Capital)、上海国胜集团(Shanghai Guosheng Group)、五岳峰资本(Summit View Capita)、上海新微电子(Shanghai SIMIC)，以及嘉定工业区开发集团(Jiading Industry Development Group)。

在成立时，NSIG表示其关注焦点为“半导体材料业务与其生态系发展”，我不认为我是唯一在NSIG的成立新闻稿中看到FD-SOI线索的人；中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦在新闻稿中提到了“超越摩尔定律(more than Moore)”。

虽然NSIG的宣言在美国并未掀起波澜(因为Soitec在美国市场能见度不高)，Soitec在今年2月宣布今年将有两次增资，总金额在1.3亿~1.8亿欧元之间。根据Euroinvestor网站的讯息，Soitec将利用新收益投资FD-SOI制造产能，并强化公司的资产负债能力。

言外之意很明确，Soitec必须尽可能提升其法国据点的12寸FD-SOI晶圆产能，以因应Globalfoundries与Samsung转向采用FD-SOI晶圆片的量产。在更大的架构下，中国对Soitec的投资不会改变世界，但可能会移动指针。

毕竟──特别在那些深入参与以FinFET技术为中心之世界的人们眼中──FD-SOI通常被形容为一种能见度太低、来得太迟的制程技术，这种观念仍然存在。值得注意的是，FD-SOI的支持者不会说该技术将取代FinFET，他们只简单地说技术蓝图发展不会是单一直线，技术可以是分歧的，FD-SOI 能提供在不同市场、针对不同应用的晶片设计。

虽然直到现在，中国对FD-SOI的兴趣还不明确，特别是当地最大的晶圆代工业者中芯国际(SMIC)显然正积极追赶FinFET技术。但NSIG对Soitec的投资讯息已经浮上台面，这确定了中国对FD-SOI技术确实有一些兴趣，而下一个大问题激起我的好奇心──哪一家中国的晶圆代工厂将押注该技术？让我们翘首以待。

关键字：FD-SOI 编辑：刘燚引用地址：中国真的对FD-SOI制程技术有兴趣？

上一篇：Gartner：2015年半导体公司营收排行榜
下一篇：华虹90纳米嵌入式闪存工艺平台成功量产

推荐阅读最新更新时间：2023-10-12 23:37

Attopsemi董事长Shine Chung：面向FD-SOI的I-Fuse

2018年9月18日，一年一度的上海FD-SOI论坛在上海准时举行，本次大会由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办。 Attopsemi董事长Shine Chung介绍了面向FD-SOI的I-Fuse技术，可以实现超高的可靠性和超低功耗的OTP。 Attopsemi董事长Shine Chung 众所周知，OTP（One Time Programmable）是单片机的一种存储器类型,意思是一次性可编程：程序烧入单片机后，将不可再次更改和清除。随着嵌入式应用的越来越广泛，产品的安全也显得越来越重要。一方面是为了保护硬件设计，另外一方面也是为了产品本身的安

[半导体设计/制造]

Attopsemi董事长Shine Chung：面向<font color='red'>FD-SOI</font>的I-Fuse

格芯宣布尽快在成都厂投产22FDX

据半导体行业观察获悉，今日，格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案，以及与潜在客户的商议，将取消对成熟工艺技术（180nm/130nm）的原项目一期投资。同时，将修订项目时间表，以更好地调整产能，满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。凭借逾20亿美元的设计中标收入以及50多项客户设计，格芯的22FDX技术在汽车、5G连接以及物联网（IoT）等各种高速增长的应用领域内展示了其作为业界领先的功耗优化的芯片平台的吸引力。格芯的中国客户已开始在位于德国德累斯顿的格芯先进生产基地中采用这种技术包括7名客户超过8个产品进入生产爬坡的不同阶段。。

[半导体设计/制造]

联发科传将投单GF 22纳米FD-SOI制程待蔡力行拍板定案

近期联发科传出在上攻10纳米FinFET制程技术失利之后，内部开始评估采用在大陆市场极为火热的FD-SOI制程，联发科为甩开在中、低阶手机芯片市场与展讯激烈缠斗，考虑投单GlobalFoundries最新一代22纳米FD-SOI制程，该计划将待6月新上任的共同执行长蔡力行拍板定案。联发科在中、高阶市场被高通(Qualcomm)堵住，在中、低阶市场又遇到紧迫盯人的展讯，面临前后遭夹击的命运，虽然联发科与台积电合作10纳米制程，欲突围高阶市场，但因设计规格追不上高通，且量产时程一再推迟，使得联发科抢攻高阶10纳米之役不算成功。反观展讯与英特尔(Intel)合作越来越紧密，在连开两颗14纳米高阶芯片之后，可能往中、低阶市场扩

[半导体设计/制造]

存储器开发商Weebit正将ReRAM技术扩展至22nm FD-SOI

以色列半导体存储器开发商Weebit Nano Ltd表示，该公司正在将其嵌入式电阻随机存取存储器（ReRAM）技术扩展到22nm FD-SOI。据eeNews报道，Weebit正在与CEA-Leti研究所合作设计内存模块，其中包括一个万兆位的ReRAM块，目标是22nm FD-SOI工艺。2021年，Weebit在12英寸晶圆上采用28nm FD-SOI工艺技术测试了可用的1Mbit ream阵列。格芯在德国德累斯顿的这个生产节点拥有一个批量FDSOI工艺——22FDX。在闪存无法有效扩展到28nm以下的背景下，这为新兴的非易失性存储技术提供了扩展到更高级节点的机会。与此同时，嵌入式闪存预计不会扩展到22nm，这为Weeb

[手机便携]

格芯发布基于FDX™ FD-SOI平台的毫米波和射频/模拟解决方案

电子网消息，格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK（22FDX®-rfa）解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK（22FDX®-mmWave）解决方案。该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，例如LTE-A、窄带物联网与5G蜂窝收发器、GPS WiFi与WiGig集成芯片、以及各种采用集成eMRAM技术的物联

[半导体设计/制造]